越南一氧化锰产量
越南一氧化锰产量大概数据
| 时间 | 品名 | 产量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2017 | 一氧化锰 | 20000-25000 | 公吨 |
| 2018 | 一氧化锰 | 22000-27000 | 公吨 |
| 2019 | 一氧化锰 | 25000-30000 | 公吨 |
| 2020 | 一氧化锰 | 26000-31000 | 公吨 |
| 2021 | 一氧化锰 | 28000-33000 | 公吨 |
越南一氧化锰产量行情
越南一氧化锰产量资讯
沪铝具备支撑，氧化铝弱势盘整【机构评论】
宏观方面：近期美国财政部发布数据显示，美国联邦政府债务总额突破40万亿美元。对于美国财政风险的担忧再度成为市场焦点，上周美国财政部发布公告称将长期国债回购操作规模至少扩大一倍，美元和美国国债收益率承压，对大宗商品形成一定利好。本周关注美国对伊朗经济制裁新闻发布会以及沃什在杰克逊霍尔全球央行年会讲话。 供应方面：电解铝供应端稳定，国内电解铝运行产能4530万吨以上，存在一定超产情况。海外方面，阿联酋铝业、巴林铝业相继开始复产，印尼、越南等新投产能继续推进。 需求方面：SMM数据显示上周铝下游加工龙头企业开工率环比回升0.1个百分点至60%，行业传统淡季制约开工回暖乏力。海关数据显示7月我国出口铝材55.3万吨，同比增长16.2%，随着内外价差收敛，环比下降近5万吨。铝制品出口39.6万吨，同比增长31.2%，环比下降3.6万吨。出口偏高、废铝短缺等因素驱动国内表观消费延续同比强势，但环比有所下滑。 库存方面：过去一周铝锭社库下降2.6万吨至86万吨，铝棒社库增加0.2万吨至14.5万吨。LME库存下降0.1万吨至24.7万吨。 现货方面：华东、中原和华南现货升贴水波动有限，分别在0元、-60元和155元，华南铝棒加工费小幅回升至250元附近。LME0-3升贴水回落9美元至-12美元。 总体来看，美元和美债收益率受到抑制，宏观情绪偏积极。产业具备支撑，虽有海外供应增长预期的压制，但现阶段海外低库存，国内淡季维持去库节奏，沪铝短期或围绕24000元偏强震荡。 上周氧化铝2610收盘于2698元，上涨0.07%。国内现货阴跌，各地指数下跌5元左右,山西指数在2725元/吨。海外方面，东澳FOB363美元/吨，较前一周略有上涨。山西因尾矿库治理减产氧化铝企业近期进入投料复产状态，涉及产能200万吨。上周国内氧化铝运行产能持平在9685万吨附近，平衡处于宽松状态，行业库存维持升势。过剩前景压制未改，当前北方部分氧化铝厂进入完全成本亏损状态，距离现金亏损仍有距离，供应被动调整暂难规模出现。氧化铝延续低位震荡，成本整体呈现上涨趋势，2600元位置暂具备支撑，趋势性反弹需要等待供应反馈或政策驱动。 （来源：国投期货）
2026-08-24 19:33:59沪铝震荡偏强 社库继续去化【沪铝收盘评论】
沪铝日内偏强震荡，主力合约报收23765元/吨，涨0.61%。中东冲突前景不明，地缘风险溢价对铝价仍有一定支撑，国内淡季社库持续去化，对铝价仍有一定支撑，传统旺季即将来临，关注后续需求表现。 中东局势仍未缓和，伊朗最高国家安全委员会秘书雷扎伊表示，如果美国对伊朗继续发动经济战，将没有石油会通过霍尔木兹海峡乃至波斯湾地区。地缘风险依然存在，海湾地区当地电解铝生产仍缺乏稳定安全的外部环境，将给予铝价一定风险溢价支撑。 “金九银十”传统季节性消费旺季即将来临，但铝需求表现偏弱，季节性消费淡季特征延续回暖成色不足。铝锭社库淡季持续去化，打破历年8月淡季累库的季节性规律。周末铝锭社库继续去化。8月淡季尾声刚需提货，铝锭社库有望延续去库态势。“金九银十”传统季节性消费旺季即将来临，下游铝加工企业开工率略有回升，若旺季落地后终端集中开工，下游加工企业提货需求集中释放，库存去化斜率将有望进一步抬升。 对于当前走势，新湖期货表示，短期宏观面的不确定性仍存。不过在全球尤其是海外原铝供应短缺的格局仍不会改变的情况下，铝价下方仍有支撑。国内铝材、铝制品出口延续高位，且将迎来传统旺季。海外供应虽有增加预期，但短期实际产量回升仍有限，国内供应弹性小。国内外将延续去库状态，这给予铝价较强支撑。 （文华综合）
2026-08-24 19:32:30沪铜偏强运行 国内社库去化【8月24日SHFE市场收盘评论】
沪铜早间小幅飘红，日内涨幅震荡扩大，收盘主力合约上涨0.76%，报108110元。美国财务部对美债的干预效果昙花一现，引发了美元信用下降的担忧，美指弱势运行，有色氛围尚可。铜市方面，矿端紧张状况延续，仍需密切关注国内冶炼厂生产积极性，上周LME铜库存增加较多，非美地区库存回升对铜价的支撑有所转弱，不过伴随着铜价的回落，周初国内社库下降较多。 最近美国财务部长频繁释放政策信号干预美债，长期美债收益率短暂回落后重回强势，由于市场担心美元信用下滑，最近美元指数弱势运行，提振贵金属和有色走势。由于此前公布的美国经济数偏弱，最近市场对于9月美联储加息定价不强，本周将迎来全球央行年会和美国PCE物价指数洗礼。 国内铜精矿加工费仍承压运行。最近副产品硫酸价格有所下滑，叠加加工费持续走弱，后续仍需关注冶炼厂生产积极性。全球铜库存表现继续分化，COMEX铜库存延续攀升姿态，上周LME铜库存回升较多，由于铜价出现回落，smm统计的国内精炼铜社会库存周初回落，目前非美地区库存整体仍然偏低。 对于铜价后续走势，正信期货表示，产业方面，LME铜挤仓担忧缓和，现货升冲高回落仍维持高位，注销仓单占比降至30%附近，美铜虹吸效应减弱。国内方面交割后现货维持升水，总体库存水平偏低，基本面方面提供价格支撑。综合来看，宏观与基本面共振阶段性反弹逐步告一段落，高位出现减仓调整迹象，宏观面暂缺乏长期驱动，基本面提供支撑背景下，铜价维持高位震荡运行。 （文华综合）
2026-08-24 19:26:25翻出沃什15年前的旧预测：他向来是美联储里最担心通胀的那一位
美联储主席沃什即将在杰克逊霍尔年会发表首秀演讲，外界对其通胀立场的追问正在升温。 15年前的预测记录揭示，这位现任主席对通胀的警惕程度，始终超出其绝大多数同僚——尽管那场通胀迟迟未能兑现。 沃什将于8月28日在杰克逊霍尔经济政策研讨会亮相。在通胀连续五年超出2%目标、沃什本人又刻意保持沉默风格的背景下，市场对这次演讲寄予厚望。宾夕法尼亚大学沃顿商学院教授、前费城联储主席Patrick Harker指出： 他必须说出比'我们正在应对'更多的内容，那样的表态已经不够用了。 华尔街盼来的答案迟迟未至。沃什就任以来有意推行“更安静的美联储”，拒绝提供政策路径预测，这一做法已令市场感到不安。最新7月经济数据显示通胀降温、就业增长放缓、消费支出下滑，9月加息概率已显著回落，但市场真正需要的，是一张具体的控通胀路线图。 预测记录：他是委员会里最鹰派的那一个 据《华尔街日报》8月24日报道，沃什在2007年至2011年担任美联储理事期间，与利率委员会的其他成员一起，每个季度都提交经济增长、失业率和通胀预测。这些预测直到几年后才公之于众，而那时他早已离开美联储。文章写道： “15年前担任美联储理事时，沃什比几乎所有同事都更担心通货膨胀” 要理解沃什的通胀观，2007年至2011年间他担任美联储理事期间留下的预测记录，提供了最直接的证据。 2007年10月，沃什是参与美联储新扩大的经济预测总结（SEP）的17位官员之一。彼时，尽管次贷损失已在积聚、信贷市场已现动荡，委员会整体对2010年前后的经济仍持相对乐观态度——沃什的预测同样坐落于通胀与失业率均较低的紧密集群之中，尚未显出明显异常。 转折出现在2009年1月。随着金融危机深度超出预期，各官员对2011年的预测开始大幅分化。沃什的坐标随之变化——通胀预期高于中位数，失业率预期低于中位数。这是一种典型的鹰派组合：他认为经济活动将比同僚预期的更快修复，物价压力也将更早回升。他在当次会议上直接表示： 我依然怀疑通缩风险是否真的像许多其他风险那样高。 到2010年1月，已正式结束的衰退并未带来就业的快速复苏。沃什再度成为预期通胀更高、同时预期失业率也更高的少数派——这一组合在其他鹰派官员中亦属罕见。 2011年1月的预测会议上，失业率在过去一年持续高企于9%以上，缓慢下行。2013年，沃什是四位预期通胀将达到2%的官员之一，但却是其中唯一一位同时预期届时劳动力市场仍将处于较差状态的人。 分歧的根源：他对失业率的解读与众不同 沃什与同僚的核心分歧，在于如何理解高企的失业率。 危机后，多数政策制定者将9%的失业率视为周期性闲置产能（slack），并据此判断价格压力将受到抑制。沃什持截然不同的看法。他认为，危机本身以及他眼中不利于增长的政府政策，已对失业率造成结构性的永久性抬升。资本无法流向最具生产力的用途，劳动力市场的调整受阻，华盛顿政策的不可预期性又令情况愈加恶化。 这一逻辑的推论是：如果高失业率是结构性而非周期性的，它便不构成真正的闲置，也不会对物价形成下压。 沃什因此得出了不同于大多数同僚的结论——高失业率与高通胀可以同时存在。 他在会议上的表述也印证了这一框架。他对财政、监管和贸易政策的批评，在其通胀预判中占据核心位置：规模受损的经济体将更快触及其上限，也更容易受到外部通胀冲击。 那场通胀，迟来了整整十年 历史给出了一个耐人寻味的结局：沃什预警的通胀，未能在他离开美联储后的数年内到来。 沃什于2011年离职。此后的大部分时间里，通胀持续低于官员预期，而非高于。失业率稳步下行，到2020年已降至3.5%，远低于沃什乃至最乐观同僚的预期下限。物价压力长期平淡。 增长确实令人失望，这与沃什和同僚的担忧相符。但那场他预言的通胀，最终等到了一场疫情和一轮财政刺激洪峰，才在整整十年后姗姗而至。 对华尔街而言，这段历史记录的解读存在分歧。 部分投资者将其视为沃什对通胀天然保持警觉的佐证，认为他骨子里是一位强硬的反通胀者。但另一种解读同样成立：沃什对通胀成因的理解，或许更为非传统——他对失业率等需求侧指标的信赖程度较低，而更倚重供给侧因素与政府政策对潜在产出的影响。 沃什的现实困境：旧框架能否读懂新经济 沃什如今执掌的是他当年身处其中的那个委员会，但面对的经济局面已截然不同。 15年前，他面对的是经济深度萎缩后的修复期与失业高企；今天，失业率处于低位，通胀已连续五年超过2%目标。与此同时，一场规模尚难估量的人工智能技术革命正在展开。沃什曾公开表示，AI驱动的进步可能为经济提供更大的增长空间，技术趋势总体上倾向于压低成本。他在被问及如何解读当前经济时，仍援引了与15年前相同的分析框架——"我们在推断总供给，我们在对生产率作出判断。" 然而，他同时是点阵图最知名的批评者之一。在今年6月的首次主席会议上，他拒绝提交任何利率或经济预测。他此前在一场私下场合表示，"这些预测一直很糟糕，我的点也不会完美，所以我不会给出。" Evercore ISI高级经济学家Marco Casiraghi指出，"仅重复6月和7月新闻发布会上关于恢复价格稳定的高度承诺，可能已经不够。"8月28日，市场将在杰克逊霍尔的演讲厅里，等待一个比承诺更具体的答案。
2026-08-24 19:12:07Hot Chips深度：HBM走向定制化与三维堆叠，三星、英伟达、美光各亮路线图
AI算力需求的爆发正将HBM存储推向架构演进的十字路口。在本届Hot Chips大会上，三星、美光、SK海力士与英伟达密集披露各自技术路线图，核心议题高度集中： HBM正从标准化商品走向定制化平台，三维垂直堆叠成为下一代架构的共同方向，而散热与功耗约束已成为制约扩展的首要瓶颈。 三星提出将HBM基础底片（base die）从通信层演进为定制化AI平台的三阶段路线图，并披露ZHBM概念——将HBM直接垂直堆叠于XPU之上，目标是将总DRAM功耗较HBM5降低约70%，绝对功耗降幅超过100W，带宽提升2.3倍以上。与此同时，英伟达披露其实验室已拥有至少三款RVA23处理器，并完成了CUDA在RISC-V硬件上运行的首次公开演示，展示了第三方定制CPU接入NVLink Fusion生态的具体路径。 从市场影响看，超大规模云厂商AI资本支出的持续加速是贯穿本届大会的核心叙事主线。存储分析师Jim Handy指出， HBM每片晶圆产出的GB数仅为标准DDR的三分之一，加之过去十余年行业几乎没有大规模新建晶圆厂，新建产能即便在激进时间表下也需约两年，行业对当前需求冲击的响应能力严重受限。 HBM现货价格已较此前水平上涨约7倍，三星、SK海力士、美光及主要NAND供应商均录得异常强劲的营收增长。 HBM供需结构：产能瓶颈短期难以缓解 Handy的分析勾勒出当前存储市场的核心矛盾。 需求侧，几乎所有主流AI加速器——包括英伟达GPU、谷歌TPU及各类定制硅片——均依赖HBM；连部分网络组件也开始采用HBM，创造了数年前几乎不存在的新需求类别。供给侧，由于历史上工艺微缩足以满足位元增长，DRAM供应商已逾十年未进行大规模产能扩张，短期新建产能几乎无望。 Handy同时驳斥了"算法效率提升将压低硬件需求"的常见论断。他认为，当一项新技术将内存需求降低6倍，超大规模云厂商的典型反应是用相同预算处理6倍的Token，而非削减资本支出。效率提升改变的是AI基础设施的生产力，未必减少投入其中的资金总量。 AI基础设施的扩张同步收紧了NAND与HDD市场。META测试在TLC SSD与HDD之间部署低成本QLC SSD后发现性能改善，促使超大规模数据中心更广泛地采用SSD；AI基础设施对HDD需求的拉动也已造成短缺，QLC SSD随之开始填补新存储层级甚至替代缺货HDD，助推NAND进入短缺状态，铠侠和闪迪（SNDK）从中受益。 美光视角：硅片消耗、散热与可靠性构成架构约束 美光HBM设计架构师Ragu从成本与物理极限两个维度量化了HBM扩展的代价。在典型的包含4个12层HBM堆栈的GPU封装中，内存硅片总量约为GPU硅片的8倍，意味着系统级封装中约90%的硅片与内存相关。一个DRAM裸片失效即可影响整个封装，可靠性挑战随堆栈高度增加而显著加剧。 Ragu引用Meta公布的Llama 3研究数据： 约17%的非预期训练中断归因于HBM。这一数据直接揭示了HBM可靠性对大规模AI训练集群的实质性影响。 散热问题已上升为首要架构约束。 HBM基础底片是发热最严重的区域之一，热量从底部产生而散热装置位于DRAM堆栈上方，迫使热量穿越每一层。美光表示，HBM从设计之初就越来越多地围绕散热限制展开，局部功率密度和热点已与总功耗同等重要。 在堆叠极限方面， 美光认为16层HBM在技术路径上可行，但JEDEC讨论的20层堆叠仍面临大量未解难题——TSV密度、功率密度、散热、机械完整性及制造良率均构成严苛约束，而非信号传输距离本身（整个堆栈高度仍低于约1毫米）。 从带宽扩展路径看，HBM通过极度并行化实现性能跃升：HBM3E每个DRAM裸片有128个Bank，HBM4增至256个；外部接口I/O线路在接口长度（shoreline）基本不变的情况下从约1,000条翻倍至2,000条。HBM由此从HBM1的128 GB/s带宽与1 GB容量，扩展至HBM4的超过2.8 TB/s带宽与单颗24 GB以上容量，代价是持续攀升的硅片消耗强度。 美光预期，随着AI工作负载细分，HBM将从通用产品走向针对特定工作负载的定制化架构，处理器与配对内存将日益协同优化。封装技术也将从微凸块（micro-bumps）和热压键合向个位数微米间距的熔融键合（fusion bonding）和混合键合（hybrid bonding）演进。 三星路线图：base die演进与ZHBM愿景 三星的三阶段路线图是本届大会最具前瞻性的技术披露之一。 第一阶段聚焦于将内存控制器从XPU迁移至定制化HBM base die。三星估算，控制器约占XPU硅片面积的5%至10%，将这部分空间释放给计算核心有望使性能提升10%至20%。三星表示，大多数客户正在积极探索这一架构。 第二阶段利用定制化HBM base die周围未使用的边缘区域（shoreline），通过专用控制器和PHY直接连接第二层内存，预计延迟和带宽表现将优于基于PCIe的扩展方案，该第二层内存可以是LPDDR甚至HBF。三星认为，随着上下文窗口和KV缓存扩大，容量的重要性已接近带宽。 第三阶段即ZHBM：取消传统2.5D中介层，将HBM直接垂直集成于XPU顶部。通过移除横向PHY/D2D路径，I/O和TSV结构可遍布整个芯片投影区域，目标能效约0.5 pJ/bit，总DRAM功耗较HBM5降低约70%，绝对功耗降幅超过100W。不过，当前散热限制指向约4层堆叠，而非12层或16层，距离工程化落地仍有相当距离。 三星在计算卸载策略上保持克制： 散热限制使得在base die中放置大量密集计算单元并不合理，优先选择将LLM推理中内存受限的Attention计算卸载至HBM，计算密集型的Prefill和FFN仍保留在XPU。接口策略上，三星目前倾向于专有HBM厂商接口而非UCIe，理由是UCIe面积更大且功耗更高；其散热路径块（Heat Path Block）在覆盖足够热点区域时可将峰值温度降低35%以上。 ZHBM还要求在小于6微米间距下实现晶圆级集成和混合铜键合，DRAM与SoC设计之间长期存在的边界必须消除，两者需从设计之初就围绕布线、散热、功率密度和物理互连进行协同设计。 SK海力士：封装极限与混合键合路径 SK海力士的演讲聚焦于从12层向16层乃至20层扩展的封装工程挑战。 在其16层HBM3E测试芯片中，即便将总堆栈厚度从720微米增至775微米，单个DRAM裸片厚度仍需比12层方案减薄约10%，片间间隙缩小约50%，芯片翘曲控制与间隙填充难度大幅上升。SK海力士指出，HBM4的总厚度775微米已接近当前封装方法的实际极限，未来扩展不能无限依赖增加封装高度。 对于混合键合，SK海力士认为其在20层左右将变得极具吸引力，但预计HBM4E阶段尚不会采用。假设的20层堆叠中，裸片厚度可增加约20%至24%，热导率提升约35%。即便如此，混合键合也无法解决base die局部热点问题——SK海力士正在开发IHBM，通过在热点区域上方添加硅散热块改善局部散热，且需从设计初期协同优化，而非后期追加。 SK海力士还判断，训练与推理最终可能采用不同的内存架构：训练需要兼顾高带宽与高容量，支持堆栈高度持续增加；推理则可能采用较小规模的极高带宽内存池，将带宽不敏感数据放置于LPDDR或其他低成本层级。 英伟达与RISC-V：CUDA生态开放新路径 英伟达的演讲标志着其AI生态系统策略的实质性进展。一年前，将CUDA引入RISC-V面临的最大障碍是缺乏合适的RVA23硬件；如今，英伟达实验室已拥有至少三款RVA23处理器，SiFive在Hot Chips大会期间完成了CUDA在RISC-V硬件上运行的首次公开演示。 英伟达演讲者Franz明确，其出发点是符合RVA23配置文件和RISC-V服务器平台规范，英伟达不希望为CUDA制定单独的RISC-V规范。CUDA的特定额外要求仅约两页，核心包括PCIe缓存一致性（避免GPU DMA过程中的显式CPU缓存操作）和PCIe点对点通信（支持GPU间直接数据交换）。 NVLink Fusion为这一路径提供了商业逻辑： 客户可使用定制CPU或加速器，同时保留英伟达大部分机架级架构。 RISC-V CPU由此可在专用系统中替代英伟达基于ARM的主机处理器，关键要求是集成英伟达C2C网络——该网络可提供高达PCIe约5倍的带宽和一致性。Franz的明确表态是，RISC-V的吸引力不在于x86或ARM的不足，而在于众多厂商可针对重要利基市场进行定制化实现，而这些市场未必能获得大型现有CPU供应商的专项支持。 配合英伟达的推进，Canonical已在Ubuntu 26.04 LTS中将RVA23设为官方RISC-V基准，约95%的常规Linux软件包存档已可用；RISC-V国际基金会及SiFive的Krste Asanović表示，多家供应商将于今年向市场推出RVA23服务器级芯片，大部分矩阵扩展工作预计在未来12至18个月内完成批准。RISC-V软件与硬件生态的协同成熟度正在加速提升。
2026-08-24 19:11:15
