贵溪钼锭产量
贵溪钼锭产量大概数据
| 时间 | 品名 | 产量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2017 | 贵溪钼锭产量 | 15000-20000 | 吨 |
| 2018 | 贵溪钼锭产量 | 18000-22000 | 吨 |
| 2019 | 贵溪钼锭产量 | 20000-25000 | 吨 |
| 2020 | 贵溪钼锭产量 | 22000-28000 | 吨 |
| 2021 | 贵溪钼锭产量 | 25000-30000 | 吨 |
贵溪钼锭产量行情
贵溪钼锭产量资讯
斯瑞新材：正积极开发钼铜材料以匹配光模块市场需求
6月17日，斯瑞新材的股价出现上涨，截至17日10:59分，斯瑞新材涨5.06%，报41.76元/股。 消息面上：被问及“贵司现有高性能铬粉制备技术，能否用于小金属产品制备，比如高性能钨粉、钼粉等？” 斯瑞新材6月16日在互动平台回答投资者提问时表示，公司现有制备技术主要围绕高性能金属铬粉及铜合金粉末，同时公司积极布局铜合金3D打印技术产业化，依托等离子体送丝制粉及多种真空气雾化工艺，可根据产品性能需求灵活选用适配的真空制粉路线，制备定制化、性能稳定的增材制造专用铜合金粉末，产品兼具高导热、高强度等优异特性。 6月16日，斯瑞新材在互动平台回答投资者提问时表示，光模块芯片基座用热沉材料，需同时满足低膨胀系数与高导热性能的要求。目前，钨铜材料是该领域主流应用方案。除钨铜外，钼铜、铜金刚石也是性能优良的热沉材料：钼铜兼具低膨胀、高导热及轻量化优势；铜金刚石相比前两者拥有更为优异的散热性能。当前，公司正积极开发钼铜材料以匹配市场需求，同时研发低成本、可批量生产的铜金刚石制备工艺，为1.6T以上高速率光模块的规模化应用储备技术能力，支撑下游光模块产品的发展需求。公司围绕1.6T及以上高速率光模块壳体高散热需求，开发各类铜合金粉末、3D打印工艺并结合VC均热技术，提出“全流程+一体化”的解决方案，可实现更为灵活的结构设计，持续与客户推进验证，进一步满足高端散热场景需求。2025年，公司已向主要客户中小批量供应800G、1.6T方向的高强度高导热铜合金壳体。 斯瑞新材在互动平台表示，当前，公司正积极开发钼铜材料以匹配市场需求，同时研发低成本、可批量生产的铜金刚石制备工艺，为1.6T以上高速率光模块的规模化应用储备技术能力，支撑下游光模块产品的发展需求。公司围绕1.6T及以上高速率光模块壳体高散热需求，开发各类铜合金粉末、3D打印工艺并结合VC均热技术，提出“全流程+一体化”的解决方案，可实现更为灵活的结构设计，持续与客户推进验证，进一步满足高端散热场景需求。2025年，公司已向主要客户中小批量供应800G、1.6T方向的高强度高导热铜合金壳体。 6月5日，斯瑞新材在互动平台回答投资者提问时表示，随着人工智能、物联网、云计算等新一代信息技术快速发展，全球算力需求持续增长，算力中心建设规模稳步扩张，带动了高速光模块市场需求提升。2025年，光模块芯片基座/壳体实现营业收入7380.80万元，同比增长208.29%。 6月5日，斯瑞新材在互动平台回答投资者提问时表示，公司液体火箭发动机推力室内壁应用于液体火箭发动机，推力室是火箭发动机的重要装置，推进剂燃烧产生的高温、高压燃气热能在推力室内转化为动能，在高温高压的极端服役条件下，推力室内壁材料必须具有良好的耐高温、低周疲劳和导热性能。公司研发的耐高温铜合金材料，已通过下游不同客户验证并用于实际火箭发射。主要客户覆盖蓝箭航天、九州云箭、深蓝航天等企业。关于相关产品的详细情况请参阅公司在上海证券交易所网站披露的《2025年年度报告》。 斯瑞新材4月28日披露2025年年度报告显示：公司主要从事高强高导铜合金材料及制品、中高压电接触材料及制品、高性能金属铬粉、CT和 DR 球管零组件、光模块芯片基座/壳体等的研发、生产和销售。2025 年度，公司实现营业收入 157,159.48 万元，归属于上市公司股东的净利润 14,759.80 万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 13,880.78 万元，同比分别增长 18.19%、29.20%、34.74%。 提及公司发展战略，斯瑞新材在其2025年年报中介绍：从行业格局与发展趋势来看，公司整体发展战略清晰聚焦、针对性突出。作为多个细分领域新材料的领跑者，公司的战略目标是在每个细分领域做到技术创新世界第一、市场占有率世界第一，并依托绝对的技术领先优势筑牢战略落地根基。 创新层面，公司持续推进“每年在公司所从事的新材料细分领域新增发明专利占据全国第一、全球第一，并力争达到全球新增专利的 50%以上”的创新战略，依托该战略布局，公司在新材料行业处于技术创新的领先地位，构建坚实的技术壁垒，为全球化市场布局提供核心支撑与源头动力。市场层面，公司统筹推进全球化拓展与规模化产能建设，精准匹配下游行业高速发展的刚需产能供给，并争取占据全球 50%以上的市场占有率。通过打造产能和提高市场占有率，公司可以更好地实现其战略目标，稳步向新材料细分领域全球头部企业迈进。公司采用的创新研发和市场营销模式聚焦各细分行业标杆优质客户，通过与标杆客户的联合技术研发和市场合作，高效驱动前沿技术迭代升级和海内外市场开拓，全方位赋能企业巩固行业领跑优势。 斯瑞新材4月28日披露2026年第一季度报告显示：一季度，公司实现营业总收入4.43亿元，同比增长28.75%；归母净利润4307.64万元，同比增长33.24%。 华龙证券发布的关于斯瑞新材的2025年报及2026年一季报点评报告显示：航空航天、AI算力及高端医疗新兴业务开始兑现，公司业绩实现高增。依托在先进铜基新材料领域的底层技术积累，公司在过往数年中布局航空航天、AI算力及高端医疗等战略性新兴产业，经过数年发展，实现盈利能力与业务结构的双重优化，开始步入高质量成长期。公司明确提出在多个细分领域力争实现“技术创新与市场占有率双第一”的目标，未来三至五年将主要聚焦于三大新质生产力增长极。首先是在商业航天赛道，随着国家星网及千帆星座等低轨卫星组网加速，运载火箭发射步入高密度常态化，公司已打通液体火箭发动机推力室内壁“材料-成形-组件”的全工艺链，针对200吨级以上大推力发动机的铜铬铌材料已取得关键技术突破，项目一阶段达产后将形成500套组件的年产能，有望重塑航天核心构件的全球供应格局。其次是在高端医疗与光通信领域，公司年产3万套CT球管零组件项目及2000万套光模块芯片基座项目的有序推进，我们认为或将直接卡位国产替代与800G/1.6T高速率光模块散热治理的刚需节点，尤其在低成本铜金刚石及3D打印铜合金壳体等前沿工艺上的先发优势，将构筑起极高的技术壁垒。此外，随着泰国制造基地的投运与全球化营销网络的深化，公司对日韩、欧洲及RCEP区域的市场渗透将进一步对冲单一市场的波动风险。从材料供应商向高壁垒制造平台的跨越，将为公司未来增长奠定更大弹性。从2026年一季度来看，公司收入利润增速均有所加快。华龙证券表示：公司高强高导铜合金材料及制品、中高压电接触材料及制品业务保持稳健增长，高性能金属铬粉、医疗影像零组件、光模块芯片基座/壳体业务在相关产业高景气度下实现高增长，带动公司业绩增长。据公司公告，2025年公司完成定向融资，支持火箭发动机推力室材料及零组件项目、年产3万套医疗影像装备材料零组件项目等的顺利落地投产，有望在2026年开始放量，推动公司业绩持续向上。风险提示：铜价等原材料价格大幅波动；新业务拓展存在不确定性；关税政策变化超预期；汇率波动风险；宏观经济不及预期；数据引用风险。
2026-06-17 11:20:36【公告】竞价采购活动公告——中信戴卡铝锭采购
尊敬的各位客户： 中信戴卡股份有限公司（以下简称“中信戴卡”）将于2026年6月下旬举办铝锭竞价采购活动。本次采购依托上海有色网金属交易中心安汇达竞价交易平台进行，现将相关事项公告如下： 一、活动详情 •活动时间：2026年6月下旬（具体时间另行通知） •活动发起方：中信戴卡股份有限公司 •竞价机制：减价竞价（采购方发起，出价最低者中标） 二、采购标的详情 •采购标的： 99.80铝锭 ，AL≥99.80%，FE≤0.1等 •品牌范围：中铝、魏桥、蒙泰、创源、锦联、霍煤鸿骏、青铜峡、榆林、百河等品牌 •采购总量：首场300吨 •出价数量：150吨或300吨 •交货方式：送货到厂（河北省秦皇岛市） •定价基准：以竞价当日SMM A00铝均价+X（最优价中标） •竞价时间：竞价日9：30-10：00 •付款方式：货到3日内付款，销售方需于交货当月开具增值税发票 三、供应商准入条件及须知 （一）企业资质 基本要求：成立时间不少于2年,注册资金不低于1000万(实缴)； 生产商需提供营业执照、IATF16949质量体系标准以及排污许可证；贸易商需提供营业执照以及实际业务证明。 （二）企业准入 供应商须同时完成以下三项准入流程，方可获取竞价资格： 1.平台认证：完成安汇达交易平台的注册与资质认证； 2.供应商入库：通过中信戴卡管理平台的供应商准入审核并完成入库； 3.资金清算签约：签约安汇达平台服务协议，开通“清算通”资金清算功能。 （三）交易规则 参与企业须接受并遵守交易中心关于竞价交易平台的交易规则，交易规则详情请见 https：//www.anhuida.com/user/bidding_rules 。 四、报名与咨询 活动平台： 安汇达竞价交易平台 ( www.anhuida.com ) 咨询联系： 韩凝：15921865909 王寒冰：18017326572 我们诚邀具备相应资质的供应商积极参与，共同打造公平、高效、透明的供应链生态！ 上海有色网金属交易中心 2026年6月15日
2026-06-15 12:18:21钨退钼进 势不可挡？
近日，据韩国媒体The Elec报道，SK海力士已顺利完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证工作，并计划于今年年底前在韩国清州M15工厂正式实现量产。 这款产品最初在SK海力士内部被称为“400层级”NAND闪存，但因超高层数堆叠工艺面临的技术挑战，尤其是沟道孔蚀刻等关键制程难度指数级上升，最终将实际量产层数下修至375层。 然而，相较于层数的微调，真正令业界关注的关键变革，隐藏在一个细节里：这款375层NAND闪存首次在字线金属栅极中引入了钼（Mo）材料，取代了传统上已沿用了十余年的钨（W）薄膜。 然而，SK海力士的技术转向，并非孤例。 在此之前，三星电子、美光等存储巨头就已布局了采用钼材料的相关产品；全球半导体设备龙头泛林半导体也明确表态，钨向钼的技术切换，是高层数3D NAND演进的唯一可行路径。 随着行业巨头相继从钨转向钼，行业释放出一个清晰的信号：曾在存储芯片行业沿用十余年的钨材料体系迎来替代拐点。钼金属一跃成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存落地的核心关键材料。 在这场半导体材料革命中，为何全球存储巨头集体转向钼？相较于老牌导电金属钨，钼具备哪些不可替代的优势？这场材料替代风暴，又将如何重塑半导体材料产业链、改写全球行业的竞争格局？ 为什么要“以钼代钨”？ 要理解“以钼代钨”的缘由，首先需要理解3D NAND的技术演进逻辑。 众所周知，3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元来提升容量。随着层数的攀升，穿行于各层之间的字线数量同步激增，字线的线宽也在不断被压缩至纳米级的极限尺寸。字线是连接存储单元控制栅极、负责选择与操作特定行内存单元的核心线路，其材料性能直接决定了芯片的信号传输效率和存储密度。 回顾字线材料演变史：早期方案是多晶硅，因其电阻较高，从64层、96层起主流方案转向电阻率更低的金属钨。彼时，钨堪称材料层面的胜利，支撑了3D NAND从两位层数跨越到三位层数的黄金时期。 然而，当层数突破300+层大关时，电阻率高、阻挡层对到点空间挤占、长期可靠性隐患等传统钨材料的结构性缺陷暴露无遗。 因此，到如今300+层时代，钨在高层数NAND中彻底触碰到了其物理与工艺天花板，这一代材料红利已经被吃尽。 图源：东方财富 钨触顶、钼崛起，掀起新一轮材料竞赛 与此同时，在半导体领域仅作为溅射靶材、光刻掩模等辅助材料存在的钼，长期以来属于行业关注度极低的小众金属。而如今，钼凭借其独特的物理化学特性，正从边缘辅料逆袭为高层数存储芯片的核心功能性材料。 据了解，钼是一种难熔金属，密度约为钨的一半，熔点高达约2623°C，热膨胀系数低、导热率优异，这些特性使其天然适配高密度、高热量、高可靠性的芯片制造环境，早已在冶金、特种合金、光伏等领域广泛应用。而在半导体产业中，其经历了从边缘辅料到核心功能材料的完整转变。 从基础物理参数来看，钼与钨均属于高导电、高熔点金属，二者体相电阻率相差极小，钨约5.28μΩ·cm，钼约5.34μΩ·cm，宏观导电能力几乎持平。但进入纳米尺度——也就是3D NAND栅极、接触孔这类芯片微结构中，二者的性能差距被急剧放大，这也是高层数闪存选择钼的核心原因。 不同金属在不同厚度下的电阻率（图源：imec） 在芯片微缩结构内，钨的电阻率会随线宽减小、结构深宽比提升出现断崖式上涨，进而造成信号延迟、芯片功耗上升、发热加剧；而钼的电子平均自由程更短，在纳米尺度下电阻率增幅仅为钨的六成左右，能够长期维持稳定的导电性能。 同时，钨作为栅极材料，必须搭配TiN氮化钛作为阻挡层，防止金属扩散与漏电，这层辅料会持续占用堆叠空间。在375层、400层等高堆叠架构中，每层额外增设的阻挡层会持续挤占堆叠空间，累计占用30%-40%的有效结构厚度，直接锁死存储密度提升上限；钼则凭借优异的界面稳定性，无需额外增设阻挡层，这意味着在同等线宽条件下，钼字线的有效导电截面显著大于钨字线，等效导电性能的提升远高于单纯电阻率对比数据所带来的影响。在多层堆叠结构中可直接节省大量垂直物理空间，为存储密度提升腾出余地。 此外，在制程工艺适配性上，二者的差异同样显著。传统钨金属主要依靠CVD化学气相沉积工艺成膜，面对3D NAND动辄40:1以上的高深宽比孔道结构，CVD填充极易出现空洞、薄膜不均等缺陷，直接拉低产品良率；而钼完美适配当下先进制程主流的ALD原子层沉积技术，填充均匀性强、薄膜成型平整度与贴合度更高，能够完美匹配超高堆叠架构的制造要求。并且钼与二氧化硅等绝缘介质的粘附性更强，电迁移抗性更优，能有效降低芯片长期使用中的失效风险，大幅提升产品可靠性。 纵观钼材料在半导体行业的应用历程，其发展大致可分为三个阶段： 早期阶段，钼仅作为辅助材料存在，主要用于半导体溅射靶材、光刻掩模基材、封装散热部件等非核心环节，市场体量有限，行业关注度较低。 随着ALD沉积工艺、高纯金属提纯技术逐步成熟，钼前驱体实现商业化量产，钼开始小范围切入逻辑芯片接触孔、先进封装TSV硅通孔等场景，完成从辅料到功能材料的转型。 真正的爆发节点，正是3D NAND走向300层以上超高堆叠的时代，传统钨材料触及物理极限，钼顺势接棒，成为字线金属栅极的首选方案，正式跻身半导体核心材料行列。 一场由钼主导的半导体材料迭代浪潮已然开启，不仅将重构3D NAND技术演进路径，未来更有望重塑全球半导体材料产业链格局。 不止NAND，钼打开半导体多场景增量空间 NAND已是确定性爆发赛道 上文提到，NAND是钼材料当前最大、最确定的应用市场。随着存储巨头相继导入，钼的需求量级正在快速提升。 据行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，按照其技术路线的持续推进，预计2030年将达到80吨。SK海力士则从明年开始大规模导入钼工艺，初期年需求量约为4吨。需要注意的是，上述采购量仅是字线工艺方面的直接用量，若考虑靶材等更大口径的应用，实际需求不止于此。 DRAM：下一个增量市场轮廓已现 钼材料在DRAM领域的应用前景同样值得高度关注。事实上，NAND领域的钼前驱体供应商已在量产设备中展开相关布局，DRAM紧随其后引入钼材料已成大概率趋势。 钼在HBM领域的应用尤为值得注意。HBM通过垂直堆叠DRAM层来提升带宽，层数已达8至12层，HBM4规格更高。在如此高密度堆叠的场景下，钨的电阻高、氟残留、填充困难等短板被极致放大。 相比之下，钼电阻率比钨低30%至40%，无需TiN阻挡层，接触电阻降低约56%，良率更高。据市场信息，单颗HBM的钼靶用量约为普通DRAM的3至5倍，HBM4的钼渗透率已接近100%。随着三星、SK海力士、美光在HBM3e/HBM4产品中全面转向钼字线，DRAM领域对钼的需求正快速赶上NAND。 逻辑芯片的远期想象空间 从NAND到DRAM再到逻辑芯片，钼在半导体领域的应用路径正在形成清晰的传导脉络。 在逻辑芯片领域，钼正被积极探索作为铜互连的替代材料。铜互连在10nm以下先进制程中因表面散射和晶界散射而面临电阻率指数级上升的窘境，而钼的电子平均自由程远短于铜，在纳米尺度下受到尺寸效应的负面影响更小。另有研究指出，钼与钌在特定结构下的表现优于传统方案。 业内预期，逻辑芯片将在未来两到三年内开始逐步采用钼互连方案，这将把钼的市场空间从一个细分应用推向半导体材料的全局性变革。 从投资逻辑角度看，NAND赛道是当前最确定的机会窗口——存储巨头的技术路线图均已明确，钼需求呈指数级增长态势，而国内钼靶材企业进入存储大厂供应链的进程正在加速，国产替代的空间广阔。中期来看，DRAM和HBM领域的钼渗透率正在快速提升，将成为下一个重要的需求拉动极。长期而言，逻辑芯片互连方案的变革将为钼打开更大想象空间。 全球玩家跑马圈地，产业链价值重估 随着“以钼代钨”成为行业趋势，全球存储厂商的技术路线、产品迭代节奏开始出现分化，而上游材料、设备、耗材等配套产业链，也迎来了全新的市场增量与竞争格局。 先从存储厂商来看，三星的技术路线已相当清晰：已从2024年4月量产的第九代286层3D NAND开始，在金属布线工艺中引入钼；第十代400层以上产品将于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。SK海力士紧随其后，其375层产品敲定今年年底量产，接下来将依次推出480层和604层产品，意味着钼材料在NAND领域的渗透率将持续走高。 美光则双线布局NAND与DRAM领域钼材料应用，探索复合金属技术路线，差异化抢占先进制程市场；相较之下，铠侠、西部数据相对保守，目前仍处于技术验证阶段，暂无明确量产规划。 向上游产业链延伸，这场材料变革正在带动整条半导体供应链的价值重估。 SK海力士的供应链体系中，法国液化空气集团（Air Liquide）、美国英特格（Entegris）与德国默克被确定为主要供应商。韩国本土企业SK Specialty也正积极入局，双方正在商讨其借用液化空气集团的配送基础设施来构建供应能力的方案。 在设备方面，据科创板日报披露，SK海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了后者的设备。泛林集团的设备采用单片晶圆处理方法，逐片处理晶圆；东京电子的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。三星选择的是泛林集团的沉积设备处理钼材料。 同时，在靶材领域，高纯钼原料与半导体钼靶材需求爆发，随着3D NAND层数持续提升、应用场景不断拓展，2026-2028年全球半导体级钼材料市场规模有望扩容4倍以上。有数据显示，全球电子级高纯钼靶材市场2025年销售额达到了77.52亿元，预计2032年将达到132.0亿元，年复合增长率为7.9%，增量空间巨大。国内企业正在加速追赶，并取得了一定突破。 其次，钼前驱体作为核心耗材，目前较为依赖海外进口，是国内材料企业攻坚的核心赛道。再者，适配钼制程的ALD设备需求持续攀升，国内设备厂商加速技术研发与客户验证，有望借助本轮材料迭代实现弯道超车。此外，钼制程配套的CMP抛光液、专用清洗液等电子化学品，也将迎来全新增量市场。 落到终端应用层面，钼材料带来的性能提升也将传导至下游全场景。例如搭载钼栅极的3D NAND闪存，读写速度可提升20%~30%，功耗降低15%~20%，单颗芯片存储密度提升30%以上。对于AI服务器、数据中心而言，更高密度、更低延迟的存储产品能够有效缓解高算力场景下的存储带宽瓶颈；对于智能手机、平板电脑等消费电子，可支撑终端轻薄化设计，同时大幅优化续航能力，助力终端产品迭代升级。 综合来看，本轮材料迭代对于国内半导体产业而言，是难得的国产化黄金窗口期。不同于传统制程追赶的代差壁垒，钼材料属于全新技术赛道，国内外产业研发、量产节奏基本同步，不存在绝对技术代差。同时，国内拥有全球领先的钼资源储量与成熟的基础钼产业集群，具备天然供应链优势。 上游可依托本土资源，攻坚高纯钼提纯、高端前驱体“卡脖子”技术；中游国产ALD设备可借助本轮量产浪潮完成客户验证，快速实现国产化替代；下游国内存储厂商可同步跟进钼材料技术路线，因此有望摆脱跟随式发展困境，实现弯道超车。 钼材料规模化量产的隐忧与挑战 虽然钼的技术优势全面碾压传统钨材料，但从实验室技术到规模化量产落地，仍面临多重产业化壁垒，这也是业界厂商仍处于验证阶段、尚未大规模量产的核心原因。 有行业专家向笔者表示，目前行业核心难点集中在材料提纯、前驱体制备、制程管控、产线适配等几大维度。 超高纯度提纯门槛高：半导体核心制程使用的钼材料，纯度需达到6N-7N（99.9999%-99.99999%），微量杂质就会引发芯片漏电、性能衰减、寿命缩短等问题。当前全球高端高纯钼原料、高纯钼前驱体市场，长期被默克、液化空气等海外巨头垄断，国内传统钼企多聚焦工业级产品，高端产品的稳定性、一致性仍需持续打磨。 前驱体输送与管控难度大：区别于气态氟化钨，主流钼前驱体常温下为固态，无法直接适配传统气态输送产线，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时精准把控物料的供给量与输送速率，对产线硬件改造、制程参数精细化管控提出极高要求，初期设备投入成本较高。 固态前驱体相比气态或液态前驱体在热稳定性和供料均匀性方面存在天然劣势，大晶粒钼薄膜的稳定沉积对集成成功至关重要，小晶粒钼的电阻率对厚度的依赖性与钨相当，会导致性能大打折扣。 imec等研究机构已多次发出警示：从材料体特性到实际器件性能之间存在显著落差，钼最终呈现的电学、热学和电迁移特性，完全取决于沉积薄膜的晶粒尺寸和晶界结构。不是任何“钼”都能实现低电阻——工艺方案的优劣决定了性能天花板的上限。 存量产线改造成本高： 原有面向钨CVD工艺的存储产线，无法直接适配钼ALD沉积工艺，企业需要新增设备、重构制程流程，前期资本投入压力较大。 薄膜工艺良率管控严苛： 钼ALD薄膜的厚度、均匀度、附着力对腔体温度、气压、气体流量等参数高度敏感，参数细微偏差就会导致批量产品质量波动，需要企业长期的工艺积累与量产打磨。 钼矿供应与价格波动风险： 随着钼在半导体领域的用量快速攀升，上游矿端资源供给的瓶颈问题日益突出。钼粉价格已出现大幅上涨，半导体用靶材钼的供需缺口预期将持续存在。若需求快速放量而矿端扩产滞后，钼价的剧烈波动可能对中游靶材厂商和下游芯片制造商的成本结构带来冲击。 从全球供需格局来看，钼资源的分布高度集中。若主要产区面临地缘政治或政策变动因素干扰，供应链安全性将面临考验。这既是挑战，也进一步强化了钼材料国产替代的投资逻辑。 针对上述壁垒，全产业链正循序渐进的探索破局路径，规避技术风险与改造成本压力，加速推动钼材料产业化落地。 还值得注意的是，“以钼代钨”本身并非技术演进的终点。 在半导体行业材料的竞逐中，钌（Ru）同样是备受关注的方向。钌的电阻率甚至低于钼，但其成本和工艺废料问题严重限制了大规模商业化应用的可行性。 如果能够解决成本和工艺废料问题，钌材料在高端场景中仍是颇具竞争力的挑战者。imec院士Tőkei曾指出：钼较钨有更优电阻率且无需阻挡层；较钌成本更低、附着力更好。 更重要的是，拓扑半金属等新材料方向也在快步进入研究视野。国内科研团队已在用二硫化钼这类二维材料探索芯片制造的可能性，而磷化钼等拓扑半金属在极细纳米线中的电阻率甚至低于铜，展现出令人瞩目的潜力。 这意味着，钼虽然在这一轮材料革命中占据了先机，但半导体材料竞赛的赛道还在延伸。对行业参与者而言，当前的关键在于将钼工艺尽快落地转化为产品优势；对投资者而言，则需在密切关注钼赛道的同时，保持对未来替代方案的前瞻性观察。 写在最后 当半导体制造走到物理极限的边缘时，创新的主体正在从架构设计与微缩制程，渐渐转移到材料和工艺的底层突破。 钼从实验室走向量产线，从三星的一条产线扩散到SK海力士的整厂改造，从NAND的字线推进到DRAM的HBM堆叠再到逻辑芯片的互连探索，标志着金属材料在整个半导体行业中正在被重估其战略价值。 传统上，业界习惯于将芯片性能的提升归功于摩尔定律驱动的晶体管微缩。然而在3D堆叠成为主流、二维微缩逼近极限的今天，材料革命正在成为延续半导体性能提升曲线的关键变量。 展望未来，“以钼代钨”已经不再是一个是否会发生的问题，而是一个以多快速度发生的问题。当这场材料变革全面铺开之后，下一个站上舞台中央的半导体关键材料，会是谁？ 本文来源： 半导体行业观察
2026-06-15 09:48:18本钢实业冶金炉料公司原料镁锭采购招标
1. 采购条件 本采购项目本钢实业冶金炉料公司原料镁锭采购（BGBXSSHGXHD260611295900）采购人为本溪钢铁（集团）有限责任公司新实业发展公司，采购项目资金来自自筹，该项目已具备采购条件，现进行公开询比。 2. 项目概况与采购范围 2.1 项目名称：本钢实业冶金炉料公司原料镁锭采购 2.2 采购失败转其他采购方式：转谈判采购 2.3 本项目采购内容、范围及规模详见附件《物料清单附件.pdf》。 3. 投标人资格要求 3.1 本次采购不允许联合体投标。 3.2 本次采购要求投标人须具备如下资质要求： （1）生产型营业执照 （2）流通型营业执照 3.3 本次采购要求投标人需满足如下注册资金要求： 生产型注册资金：500.0（万元）及以上 流通型注册资金：500.0（万元）及以上 3.4 本次采购要求投标人须具备如下业绩要求： 投标单位（公司）需提供2023年1月1日至投标截止日镁锭供货业绩凭证至少一份（合同及对应发票均在期限内）（扫描件） 3.5 本次采购要求投标人须具备如下能力要求、财务要求和其他要求： 财务要求：详见附件（如有需要） 能力要求：详见附件（如有需要） 其他要求：详见采购方案 3.6依法必须进行招标的项目，失信被执行人投标无效。 4. 采购文件的获取 4.1 凡有意参加投标者，请于2026年06月12日09时00分至2026年06月23日09时00分(北京时间，下同)，登录鞍钢智慧招投标平台http://bid.ansteel.cn下载电子采购文件。 点击查看招标详情： 》本钢实业冶金炉料公司原料镁锭采购公告
2026-06-12 19:39:472026 SMM 印尼矿业大会锡考察团拜访印尼锡锭出口商协会（AETI）
6月4日，在由上海有色网信息科技股份有限公司（SMM）主办，印度尼西亚共和国外交部、印尼国家经济委员会、印度尼西亚镍矿商协会（APNI）、MMR协办，雅加达期货交易所作为战略合作伙伴的 2026 SMM 印尼矿业大会暨关键金属会议 召开期间，上海有色网信息科技股份有限公司（SMM）铜锡海外营销经理吴涛等携手2026 SMM 印尼矿业大会暨关键金属会议锡论坛参会代表组成考察团一行前往印尼锡锭出口商协会（AETI）进行考察交流，受到了印尼锡锭出口商协会管理层的热情接待。 交流会上，AETI 相关负责人详细介绍了协会发展背景，以及部分印尼本土锡企整体生产运营现状。在问答互动环节，双方围绕印尼锡矿开采配额审批进度、部分现行产业相关政策等行业重点议题展开充分探讨，互通市场信息、交换行业观点。 本次面对面交流进一步拉近了海内外行业伙伴的距离，为后续锡产业链跨区域合作、信息互通奠定了良好基础。 印尼锡锭出口商协会（AETI）简介 简介 AETI（Association of Indonesian Tin Exporters）成立于2014年5月9 日 ， 2015年3月14日成为印度尼西亚工商会（KADIN）成员。 目标：推动政府、企业及相关各方开展高效合作；提升印尼锡产品附加值；鼓励在锡矿开采行业实施良好采矿实践。 AETI 管理委员会 AETI 会员 目前，AETI拥有23家锡出口商成员公司，分布在邦加岛、勿里洞岛和廖内群岛。 AETI 职责／职能 倡导支持国家锡产业的政策 •维护锡出口市场的稳定与可持续性 •确保成员遵守环保与贸易法规 •作为出口商与政府沟通的平台 此外，其列举了印尼贸易部、工业部，印度尼西亚国会以及能源与矿产资源部相关议题进行了分享。 AETI 内部活动 培训与发展、AETI会员大会、锡业买卖双方洽谈会。 其他事项：矿区复垦、公益慈善、会议活动等 为彰显AETI对环境的承诺，AETI已在邦加勿里洞启动了一项复垦计划，目标恢复500公顷废弃的采后矿区土地。 AETI还定期为邦加勿里洞社区开展社会项目。 印尼锡市场动态 AETI预计，2026 年度矿产开采工作计划（RKAB） 中，印尼全国锡产量配额约5 万吨。该数字已从2025年的约53,000吨下调，以维持全球锡价稳定。 目前已有 10 家企业获得RKAB批准。 印尼能源与矿产资源部（ESDM）正对RKAB实施更严格的评估与调整。印尼政府采取这一政策，旨在保障未来能源储备，同时控制锡贸易结构，防止非法采矿行为。 印尼锡业监管政策演变态势 近年来，印尼锡业监管模式发生重大转变。政策调整旨在保障自然资源可持续利用、完善资源管理体系、增加国家财政收入，并推动下游产业发展。 其从监管变革与动态、核心目标与实施动因、核心法规依据及执行状态以及对锡行业的实际影响等进行了梳理： 1. RKAB有效期恢复为1年（此前为3年期制度） 政策旨在强化政府对年度产量的监管，堵塞非法采矿漏洞，并根据全球市场需求实时调整配额。 法规依据：能源与矿产资源部（ESDM）法令，现已正式实施。 目前冶炼厂需每年重新提交申请，审批流程趋于严格。该举措虽降低了多年份供应量的可预判性，但有效遏制了投机性超额申领生产配额的行为。 2.下游发展政策（Hilirisasi） 推动印尼从原料、精炼锭出口国转型为高附加值成品生产国，让利润留存国内。 该政策是现任政府国家发展理念的重要支柱，隶属于总统施政八大核心目标（Asta Cita）。 印尼简化工业锡制品出口监管规则，监管范围涵盖原料采购与产品技术标准，以此推动锡焊料、锡化工品、锡粉、锡板等高端锡产品的国内生产与出口。 3.将锡列为关键战略矿产 将锡提升至关乎国家韧性与安全的战略地位，保障电动汽车、电子等重点产业的长期国内供应。 法规依据：《关键及战略矿产治理总统条例》，目前制定推进中。 锡被划定为关键战略矿产后，矿业监管更加严格，中央政府获得产量管控最高权限。此举加快了印尼锡产业的下游化进程，叠加全球供应持续趋紧，一度推动锡价大幅上涨。 4.制定锡矿基准价格 为印尼国内锡矿交易建立公平的标准化定价下限，确保国家收入（权益金）最优化，同时保障地方矿企/合作伙伴获得合理收益。 法规依据：能源与矿产资源部（ESDM）法令，制定中。 该政策可杜绝本地矿商、合作方与冶炼厂之间低价报价及恶意压价行为。国内矿石交易价格参照伦敦金属交易所、印尼商品交易所、雅加达期货交易所等公开国际基准价制定，并结合本土实际成本进行调整。 5.战略商品单一出口门户政策 战略商品需通过指定统一门户 / 交易平台集中办理出口业务，实现全流程合规监管、流向可追溯，并确保税费与特许权使用费足额征缴。 法规依据：经济部与贸易部联合制定规章，目前制定中。 出口业务统一经由国有指定机构 —— 印尼达南塔拉资源公司（Danantara Sumber Daya Indonesia）办理，这或将弱化国内私营企业在出口环节中的作用。 》点击查看2026 SMM 印尼矿业大会暨关键金属会议报道专题
2026-06-12 16:12:49
