太原钼管产量
太原钼管产量大概数据
| 时间 | 品名 | 产量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2017 | 钼管 | 15000-18000 | 吨 |
| 2018 | 钼管 | 14000-17000 | 吨 |
| 2019 | 钼管 | 16000-19000 | 吨 |
| 2020 | 钼管 | 13000-16000 | 吨 |
| 2021 | 钼管 | 18000-21000 | 吨 |
太原钼管产量行情
太原钼管产量资讯
金融监管总局：推进人工智能金融行业应用基础设施建设
《意见》提出，促进行业人工智能应用生态建设。推进人工智能金融行业应用基础设施建设，促进人工智能应用成果在行业共享复用。鼓励大型金融机构发挥示范作用，向中小金融机构输出人工智能技术和管理经验。支持中小金融机构加强协作，共同推进应用场景落地。鼓励与人工智能产业加强协同，以金融应用促进产业创新发展，以产业成果促进金融应用提质增效。 国家金融监督管理总局关于银行业保险业人工智能安全开发应用的指导意见 各金融监管局，各政策性银行、大型银行、股份制银行、外资银行、金融资产管理公司、理财公司，各保险集团（控股）公司、保险公司、保险资产管理公司，各金融控股公司，各总局管理单位： 为深入贯彻《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》关于加快人工智能技术创新、加强人工智能治理的战略部署，落实《国务院关于深入实施“人工智能+”行动的意见》，推动数字金融高质量发展，有序推进人工智能科技创新与金融业务深度融合，引导金融领域人工智能应用朝着有益、安全、公平方向健康有序发展，现提出如下意见。 一、总体要求 以新时代中国特色社会主义思想为指导，完整准确全面贯彻新发展理念，坚持防风险、强监管、促高质量发展的工作主线，统筹发展和安全，加快培育发展金融行业新质生产力，推动人工智能应用合规、透明、可信赖，加强分类分级管理，有效应对人工智能发展带来的风险挑战，更好服务实体经济和满足人民群众需要。 坚持谁使用谁负责，压实金融机构作为金融服务提供方、人工智能技术使用方的主体责任，强化金融机构内部各环节工作责任落实，明确人工智能开发应用各方分工和权责义务。 坚持自主可控，持续提升人工智能相关技术、设备自主可控水平，提高对业务经营发展有重大影响的关键平台、关键软硬件的自主研发能力，加强信息技术应用创新适配。 坚持务实高效，以提升业务价值为导向，科学规划人工智能开发应用投入，有效平衡成本与效益，推动人工智能切实服务经济高质量发展和金融业务高效运转。 坚持安全发展，严格落实国家网络安全和信息化工作要求，遵守网络安全、数据安全各项法律法规制度，强化技术安全和应用安全保障，全面提升安全防护和应急处置能力。 二、完善人工智能治理架构 （一） 加强人工智能 安全开发应用治理。 开发应用人工智能的银行业保险业金融机构（以下简称金融机构），董（理）事会应指定专门委员会对人工智能开发应用管理负责，统筹制定发展规划，推进能力体系建设，制定制度规范，明确牵头部门和跨业务、科技、数据职能部门的协同机制，加强人才队伍建设，遵循技术发展客观规律，确保人工智能应用与金融机构风险管理能力相匹配。 （二）建立人工智能应用管理体系。金融机构应建立健全人工智能应用需求分析、数据准备、训练开发、部署运行、维护迭代、评估退出的全生命周期管理体系，规范模型研发、应用及资产管理，加强数据安全评估、算法风险筛查、伦理审查评估、责任追溯机制建设，实施人工智能应用风险分类分级管理。探索建立业务价值导向的人工智能应用绩效评估机制。 （三）加强人工智能应用场景和业务流程管理。金融机构应按照应用场景与技术适配原则，加强人工智能算法评估，将合适的人工智能技术应用于适当的业务场景。推动人工智能在服务实体经济、加强金融风险管理等领域发挥积极作用，穿透管控关联交易、资金运用等重点领域风险问题。完善人机协同的业务管理流程，科学设定人工智能的功能边界、系统和数据权限，明确人员岗位责任，确保业务全流程管理责任清晰、可落实、可追溯。 三、推进高水平人工智能开发应用 （四）完善开发与测评体系。鼓励有条件的金融机构建立一站式人工智能开发平台，实现模型开发部署全流程管理。加强面向业务人员的低代码开发、交互式模型验证能力建设。完善人工智能测评体系，建设测试工具链、测评指标和测试用例集，全面评估模型的基础能力、金融业务支持能力、安全可靠性，提高自动化测评能力。 （五）推动新一代人工智能技术应用。支持金融机构在风险可控的前提下， 推进生成式人工智能技术的业务应用和配套能力体系建设 ，稳妥探索人工智能技术研发和金融智能体建设。 金融机构对生成式人工智能模型要实施准入管理，评估模型效能及安全合规性。外部引入的生成式人工智能模型需经过网信部门备案。 （六）加强人工智能运营服务体系建设。定期开展对模型效能的测评分析，构建数据闭环反馈机制，形成“数据—模型—应用”的迭代优化。支持有条件的金融机构建立企业级模型即服务（MaaS）平台，实现模型在企业层面共享复用。 （七）促进行业人工智能应用生态建设。推进人工智能金融行业应用基础设施建设，促进人工智能应用成果在行业共享复用。鼓励大型金融机构发挥示范作用，向中小金融机构输出人工智能技术和管理经验。支持中小金融机构加强协作，共同推进应用场景落地。鼓励与人工智能产业加强协同，以金融应用促进产业创新发展，以产业成果促进金融应用提质增效。 四、提升数据治理能力 （八）完善数据管理运营体系。金融机构要推动数据运营机制建设，建立覆盖数据全生命周期的管理流程，提升数据服务能力。构建企业级数据模型和数据资产地图，强化元数据管理，确保数据可寻可用，不同类型的数据可兼容，数据源头可追溯。加强对非结构化数据的管理，制定数据采集、清洗、标注、应用、退出管理规范。稳妥选择使用技术自主、性能可靠、安全防护能力强的数据库产品。 （九）建设人工智能高质量数据集。金融机构应针对人工智能业务场景持续推进高质量数据集建设，确立数据质量标准，建立高效的质量检控机制，确保数据准确性、相关性、一致性、完整性和无偏见。探索运用人工智能技术强化实时数据、非结构化数据的动态感知、智能提取和解析处理。持续监测数据分布漂移，确保数据集及时更新。 （十）支持行业数据集共建共享。鼓励有条件的金融机构协同多源数据，融合行业经验知识与专业判断，通过系统性筛选、清洗、标注、合成等方式形成高质量数据集，支持金融机构间依法合规开展数据集共享。 （十一）推进知识工程建设。支持金融机构构建企业级知识管理体系。坚持服务业务的价值导向，构建核心知识模型，建立知识萃取、整合、共享机制流程，建立从知识创建、审核、发布、更新到归档的全流程管理规范。鼓励利用人工智能技术提升知识萃取、表示、融合和对齐能力。 五、加强智能算力建设 （十二）加强智能算力设施建设。金融机构应充分依托已有算力资源基础，按照国家相关政策要求，按需布局智能算力资源建设，应用绿色低碳技术，建设自主可控、安全高效的算力底座，助力高水平科技自立自强。鼓励有条件的大型金融机构向中小金融机构输出算力服务，支持同业探索基础设施共建共享。支持金融机构在安全合规前提下，使用国家算力节点或行业基础设施降低人工智能研发应用成本，加强对智能算力资源的信息科技重要外包管理。 （十三）提高安全运行能力。 金融机构要加强智能算力资源的云化管理，加强对人工智能应用的运行监测，实现对应用、模型、算力、网络的一体化管理，保障人工智能应用安全可靠运行。 六、完善人工智能风险治理框架 （十四）健全风险治理体系。金融机构应将人工智能风险纳入全面风险管理体系，定期开展对人工智能应用风险及管理措施的评估审查。推动模型算法、数据资源、基础设施、应用系统等安全能力建设，完善业务及风险管理流程，防范模型生成结果不可靠风险，防止模型黑箱导致关键业务流程难落责问题。夯实数据安全、网络安全、个人信息与隐私保护和业务连续性基础。有效应对金融业务侧可能产生的投资策略趋同、放大市场波动风险，严禁滥用人工智能技术生成虚假信息、操纵市场价格。 （十五）实施风险分类分级管理。金融机构应根据业务场景重要性、应用规模、对客影响度、模型依赖度、模型复杂度等因素，对人工智能应用进行风险识别和分类分级管理。建立管理制度，制定应用清单，实施分级管控措施，落实管理责任。 （十六）强化高风险应用准入管理。涉及资金交易、资产评估、信贷审批、承保理赔、风险管理等，以及与客户利益直接相关、直接影响金融合约达成的生成式人工智能场景应用应被视为高风险应用。人工智能高风险应用须经本机构风险管理委员会批准后方可实施。 （十七）加强高风险应用监测和干预。金融机构要加强对人工智能在业务场景中的运行监测，及时发现和管控模型风险。 在高风险应用关键环节建立人工监督和干预机制，明确紧急停用及模型退出条件，建立备用系统或人工替代流程。 （十八）加强外包风险管理。使用外部人工智能技术时，金融机构应在外包策略、数据安全、集中度管理等方面建立管理机制，通过合同协议明确安全管理方面的权责义务，确保金融机构能够有效管控相关风险。与外部企业开展合作时，应建立有效的风险隔离“防火墙”，防范风险跨业传递。对外包合作机构实行名单制管理，对引入的外部模型建立严格的内部评估框架，有效评价模型的优缺点和适配性。 （十九）加强供应链风险与开源技术管理。金融机构要建立对人工智能算力、模型、数据、技术工具等的供应链安全合规管理机制，确保应用自主可控，防范对个别技术服务过度依赖引发的集中度风险。完善开源技术使用规范，建立开源软件管理台账，对外部引入的开源组件应进行审查评估，加强代码审计、漏洞扫描及安全测试，定期排查开源组件风险隐患，防范供应链投毒。 七、提升人工智能安全开发应用能力 （二十）增强稳健性。金融机构应确保训练数据集质量、数量和分布符合建模要求，采取合适的模型架构与训练策略，加强对抗样本检测及压力测试，严格评估模型的敏感性、稳定性、抗噪能力和容错能力。模型部署后，持续监测其性能表现，建立训练反馈更新机制，实现模型持续迭代优化。 （二十一）提高透明度。金融机构应加强人工智能应用透明度管理，为高风险场景应用制定透明度和可解释性标准，明确模型设计、数据使用、特征选择及输出结果的逻辑。对人工智能生成内容应进行显著标识，并向金融消费者主动说明。加强模型开发、变更管理和训练过程记录，日志保存期限应不低于业务存续期。 （二十二）促进可解释性。金融机构应制定人工智能模型的可解释性方法，加强推理解释和决策分析。可解释性不足的人工智能技术在高风险场景应用时，仅能作为辅助工具，应由人工进行最终决策。人工智能模型应用于涉及客户权益或有实质性财务影响的关键决策时，须设置人工复核节点，完整保留原始数据、推理路径及阈值触发记录，确保责任可追溯。定期对人工智能模型算法开展审计。 （二十三）保障伦理道德与公平性。金融机构开发应用人工智能应符合法律法规及社会价值观要求。建立人工智能开发应用伦理审查监测制度，制定符合伦理道德的行为准则，加强数据集审查和对特定群体的影响评估，避免算法歧视等不公平性问题。使用受保护特征或属性时应进行正当性说明，删除偏见样本。涉及公共服务、关键信息基础设施及影响公共安全的人工智能应用，应开展伦理风险监测评估，及时对模型运行异常情况进行处置。 （二十四）加强数据安全与个人信息保护。金融机构应将人工智能数据安全纳入企业数据安全管理体系，严格落实数据分类分级保护要求。 规范开发过程 和数据访问权限，防范数据投毒，完善数据脱敏规范，避免使用可直接识别出个体的数据。姓名、身份证号、手机号、银行卡号等个人信息和隐私数据不得用于生成式人工智能模型训练和优化，有效防止客户隐私泄露。 加强模型安全护栏建设，加强内容过滤及脱敏管理。严格管理外包过程中的数据安全。 （二十五）提升网络安全防御能力。金融机构要加强人工智能开发应用中的网络安全管理，加强对抗攻击测试和输出验证，通过数据隔离、访问控制等措施提升模型部署安全，持续监控模型行为，定期扫描、修补人工智能模型及相关系统组件漏洞，有效防范提示词注入、思维链注入、多模态攻击、上下文污染等威胁。提升智能体系统安全保障能力，防范数据泄露、记忆污染、身份越权、工具滥用、运行失控等安全风险。 （二十六）加强运营韧性及业务连续性管理。金融机构要将人工智能应用纳入业务连续性管理体系，开展业务影响分析，制定应急预案，加强安全运行管理、事件处置和容灾能力建设。发生故障时，人工流程要及时介入或启用备份系统，保障人工智能应用稳定性、可靠性。 八、保障与监督 （二十七）加强督促指导。金融监管总局及各级派出机构加强指导，积极推动人工智能技术安全开发应用，督促辖内金融机构全面落实风险治理要求。压实监管部门责任，各级监管部门要加强风险评估和监督检查，重点关注相关金融业务合规风险，督促金融机构健全风险治理体系，对政策落实不到位、执行走偏等问题及时予以纠正，对违规行为严肃查处。 （二十八）推动建立安全应用实施规范。金融监管总局会同相关部门积极推动构建银行业保险业生成式人工智能安全开发应用技术框架，规范分类分级管理，明确安全开发标准规范，引导金融机构有效提升人工智能应用安全开发水平。 （二十九）加强风险监测与应对处置。金融机构面向公众服务或高风险场景应用使用生成式人工智能技术的，应向金融监管总局或其派出机构报告。金融监管总局及派出机构建立监测预警与处置机制，优化风险监测预警指标体系，加强分析处置，完善监管工具方法，督促金融机构做好事前、事中、事后全链条风险防控，加强网络安全、数据安全等风险事件复盘分析，督促金融机构改进优化防御体系，聚焦对客服务、高风险应用场景制定风险应急预案，提升应急响应能力。做好跨部门合作协调，形成合力，避免信息孤岛，防范系统性风险。 （三十）建立监管定期评估机制。金融监管总局及派出机构强化对金融机构开发应用人工智能的监督管理，重点加强高风险场景应用监管。建立对监管政策和监管效果的年度评估机制，持续提高监管适配能力。 （三十一）加强监管人才队伍建设。金融监管总局及派出机构加强数字化、智能化培训，提升监管人员数据分析和智能工具的使用能力，着力培养复合型监管人才，提升与人工智能技术复杂度相匹配的风险识别、监测和处置能力。 （三十二）促进行业交流。鼓励加强人工智能领域沟通交流，通过经验分享、培训研讨、技能竞赛、案例宣传等方式，营造人工智能发展的良好文化氛围。行业自律组织应发挥桥梁纽带作用，促进行业经验交流。 点击跳转原文链接： 国家金融监督管理总局关于银行业保险业人工智能安全开发应用的指导意见
2026-06-18 18:50:06斯瑞新材：正积极开发钼铜材料以匹配光模块市场需求
6月17日，斯瑞新材的股价出现上涨，截至17日10:59分，斯瑞新材涨5.06%，报41.76元/股。 消息面上：被问及“贵司现有高性能铬粉制备技术，能否用于小金属产品制备，比如高性能钨粉、钼粉等？” 斯瑞新材6月16日在互动平台回答投资者提问时表示，公司现有制备技术主要围绕高性能金属铬粉及铜合金粉末，同时公司积极布局铜合金3D打印技术产业化，依托等离子体送丝制粉及多种真空气雾化工艺，可根据产品性能需求灵活选用适配的真空制粉路线，制备定制化、性能稳定的增材制造专用铜合金粉末，产品兼具高导热、高强度等优异特性。 6月16日，斯瑞新材在互动平台回答投资者提问时表示，光模块芯片基座用热沉材料，需同时满足低膨胀系数与高导热性能的要求。目前，钨铜材料是该领域主流应用方案。除钨铜外，钼铜、铜金刚石也是性能优良的热沉材料：钼铜兼具低膨胀、高导热及轻量化优势；铜金刚石相比前两者拥有更为优异的散热性能。当前，公司正积极开发钼铜材料以匹配市场需求，同时研发低成本、可批量生产的铜金刚石制备工艺，为1.6T以上高速率光模块的规模化应用储备技术能力，支撑下游光模块产品的发展需求。公司围绕1.6T及以上高速率光模块壳体高散热需求，开发各类铜合金粉末、3D打印工艺并结合VC均热技术，提出“全流程+一体化”的解决方案，可实现更为灵活的结构设计，持续与客户推进验证，进一步满足高端散热场景需求。2025年，公司已向主要客户中小批量供应800G、1.6T方向的高强度高导热铜合金壳体。 斯瑞新材在互动平台表示，当前，公司正积极开发钼铜材料以匹配市场需求，同时研发低成本、可批量生产的铜金刚石制备工艺，为1.6T以上高速率光模块的规模化应用储备技术能力，支撑下游光模块产品的发展需求。公司围绕1.6T及以上高速率光模块壳体高散热需求，开发各类铜合金粉末、3D打印工艺并结合VC均热技术，提出“全流程+一体化”的解决方案，可实现更为灵活的结构设计，持续与客户推进验证，进一步满足高端散热场景需求。2025年，公司已向主要客户中小批量供应800G、1.6T方向的高强度高导热铜合金壳体。 6月5日，斯瑞新材在互动平台回答投资者提问时表示，随着人工智能、物联网、云计算等新一代信息技术快速发展，全球算力需求持续增长，算力中心建设规模稳步扩张，带动了高速光模块市场需求提升。2025年，光模块芯片基座/壳体实现营业收入7380.80万元，同比增长208.29%。 6月5日，斯瑞新材在互动平台回答投资者提问时表示，公司液体火箭发动机推力室内壁应用于液体火箭发动机，推力室是火箭发动机的重要装置，推进剂燃烧产生的高温、高压燃气热能在推力室内转化为动能，在高温高压的极端服役条件下，推力室内壁材料必须具有良好的耐高温、低周疲劳和导热性能。公司研发的耐高温铜合金材料，已通过下游不同客户验证并用于实际火箭发射。主要客户覆盖蓝箭航天、九州云箭、深蓝航天等企业。关于相关产品的详细情况请参阅公司在上海证券交易所网站披露的《2025年年度报告》。 斯瑞新材4月28日披露2025年年度报告显示：公司主要从事高强高导铜合金材料及制品、中高压电接触材料及制品、高性能金属铬粉、CT和 DR 球管零组件、光模块芯片基座/壳体等的研发、生产和销售。2025 年度，公司实现营业收入 157,159.48 万元，归属于上市公司股东的净利润 14,759.80 万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 13,880.78 万元，同比分别增长 18.19%、29.20%、34.74%。 提及公司发展战略，斯瑞新材在其2025年年报中介绍：从行业格局与发展趋势来看，公司整体发展战略清晰聚焦、针对性突出。作为多个细分领域新材料的领跑者，公司的战略目标是在每个细分领域做到技术创新世界第一、市场占有率世界第一，并依托绝对的技术领先优势筑牢战略落地根基。 创新层面，公司持续推进“每年在公司所从事的新材料细分领域新增发明专利占据全国第一、全球第一，并力争达到全球新增专利的 50%以上”的创新战略，依托该战略布局，公司在新材料行业处于技术创新的领先地位，构建坚实的技术壁垒，为全球化市场布局提供核心支撑与源头动力。市场层面，公司统筹推进全球化拓展与规模化产能建设，精准匹配下游行业高速发展的刚需产能供给，并争取占据全球 50%以上的市场占有率。通过打造产能和提高市场占有率，公司可以更好地实现其战略目标，稳步向新材料细分领域全球头部企业迈进。公司采用的创新研发和市场营销模式聚焦各细分行业标杆优质客户，通过与标杆客户的联合技术研发和市场合作，高效驱动前沿技术迭代升级和海内外市场开拓，全方位赋能企业巩固行业领跑优势。 斯瑞新材4月28日披露2026年第一季度报告显示：一季度，公司实现营业总收入4.43亿元，同比增长28.75%；归母净利润4307.64万元，同比增长33.24%。 华龙证券发布的关于斯瑞新材的2025年报及2026年一季报点评报告显示：航空航天、AI算力及高端医疗新兴业务开始兑现，公司业绩实现高增。依托在先进铜基新材料领域的底层技术积累，公司在过往数年中布局航空航天、AI算力及高端医疗等战略性新兴产业，经过数年发展，实现盈利能力与业务结构的双重优化，开始步入高质量成长期。公司明确提出在多个细分领域力争实现“技术创新与市场占有率双第一”的目标，未来三至五年将主要聚焦于三大新质生产力增长极。首先是在商业航天赛道，随着国家星网及千帆星座等低轨卫星组网加速，运载火箭发射步入高密度常态化，公司已打通液体火箭发动机推力室内壁“材料-成形-组件”的全工艺链，针对200吨级以上大推力发动机的铜铬铌材料已取得关键技术突破，项目一阶段达产后将形成500套组件的年产能，有望重塑航天核心构件的全球供应格局。其次是在高端医疗与光通信领域，公司年产3万套CT球管零组件项目及2000万套光模块芯片基座项目的有序推进，我们认为或将直接卡位国产替代与800G/1.6T高速率光模块散热治理的刚需节点，尤其在低成本铜金刚石及3D打印铜合金壳体等前沿工艺上的先发优势，将构筑起极高的技术壁垒。此外，随着泰国制造基地的投运与全球化营销网络的深化，公司对日韩、欧洲及RCEP区域的市场渗透将进一步对冲单一市场的波动风险。从材料供应商向高壁垒制造平台的跨越，将为公司未来增长奠定更大弹性。从2026年一季度来看，公司收入利润增速均有所加快。华龙证券表示：公司高强高导铜合金材料及制品、中高压电接触材料及制品业务保持稳健增长，高性能金属铬粉、医疗影像零组件、光模块芯片基座/壳体业务在相关产业高景气度下实现高增长，带动公司业绩增长。据公司公告，2025年公司完成定向融资，支持火箭发动机推力室材料及零组件项目、年产3万套医疗影像装备材料零组件项目等的顺利落地投产，有望在2026年开始放量，推动公司业绩持续向上。风险提示：铜价等原材料价格大幅波动；新业务拓展存在不确定性；关税政策变化超预期；汇率波动风险；宏观经济不及预期；数据引用风险。
2026-06-17 11:20:36本钢建设建筑工程分公司第十五项目部北营能源介质管道维修工程用电缆等材料采购招标
1. 采购条件 本采购项目本钢建设建筑工程分公司第十五项目部北营能源介质管道维修工程用电缆等材料（BGBGXCHGXHD260616296846）采购人为本溪钢铁（集团）建设有限责任公司，采购项目资金来自自筹，该项目已具备采购条件，现进行公开询比。 2. 项目概况与采购范围 2.1 项目名称：本钢建设建筑工程分公司第十五项目部北营能源介质管道维修工程用电缆等材料 2.2 采购失败转其他采购方式：转谈判采购 2.3 本项目采购内容、范围及规模详见附件《物料清单附件.pdf》。 3. 投标人资格要求 3.1 本次采购不允许联合体投标。 3.2 本次采购要求投标人须具备如下资质要求： （1）流通型营业执照 （2）生产型营业执照 3.3 本次采购要求投标人需满足如下注册资金要求： 生产型注册资金：6.0（万元）及以上 流通型注册资金：6.0（万元）及以上 3.4 本次采购要求投标人须具备如下业绩要求： 请详见采购方案。 3.5 本次采购要求投标人须具备如下能力要求、财务要求和其他要求： 财务要求：详见附件（如有需要） 能力要求：详见附件（如有需要） 其他要求：请详见附件。 3.6依法必须进行招标的项目，失信被执行人投标无效。 4. 采购文件的获取 4.1 凡有意参加投标者，请于2026年06月16日13时00分至2026年06月23日13时00分(北京时间，下同)，登录鞍钢智慧招投标平台http://bid.ansteel.cn下载电子采购文件。 点击查看招标详情： 》本钢建设建筑工程分公司第十五项目部北营能源介质管道维修工程用电缆等材料采购公告
2026-06-16 13:28:31钨退钼进 势不可挡？
近日，据韩国媒体The Elec报道，SK海力士已顺利完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证工作，并计划于今年年底前在韩国清州M15工厂正式实现量产。 这款产品最初在SK海力士内部被称为“400层级”NAND闪存，但因超高层数堆叠工艺面临的技术挑战，尤其是沟道孔蚀刻等关键制程难度指数级上升，最终将实际量产层数下修至375层。 然而，相较于层数的微调，真正令业界关注的关键变革，隐藏在一个细节里：这款375层NAND闪存首次在字线金属栅极中引入了钼（Mo）材料，取代了传统上已沿用了十余年的钨（W）薄膜。 然而，SK海力士的技术转向，并非孤例。 在此之前，三星电子、美光等存储巨头就已布局了采用钼材料的相关产品；全球半导体设备龙头泛林半导体也明确表态，钨向钼的技术切换，是高层数3D NAND演进的唯一可行路径。 随着行业巨头相继从钨转向钼，行业释放出一个清晰的信号：曾在存储芯片行业沿用十余年的钨材料体系迎来替代拐点。钼金属一跃成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存落地的核心关键材料。 在这场半导体材料革命中，为何全球存储巨头集体转向钼？相较于老牌导电金属钨，钼具备哪些不可替代的优势？这场材料替代风暴，又将如何重塑半导体材料产业链、改写全球行业的竞争格局？ 为什么要“以钼代钨”？ 要理解“以钼代钨”的缘由，首先需要理解3D NAND的技术演进逻辑。 众所周知，3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元来提升容量。随着层数的攀升，穿行于各层之间的字线数量同步激增，字线的线宽也在不断被压缩至纳米级的极限尺寸。字线是连接存储单元控制栅极、负责选择与操作特定行内存单元的核心线路，其材料性能直接决定了芯片的信号传输效率和存储密度。 回顾字线材料演变史：早期方案是多晶硅，因其电阻较高，从64层、96层起主流方案转向电阻率更低的金属钨。彼时，钨堪称材料层面的胜利，支撑了3D NAND从两位层数跨越到三位层数的黄金时期。 然而，当层数突破300+层大关时，电阻率高、阻挡层对到点空间挤占、长期可靠性隐患等传统钨材料的结构性缺陷暴露无遗。 因此，到如今300+层时代，钨在高层数NAND中彻底触碰到了其物理与工艺天花板，这一代材料红利已经被吃尽。 图源：东方财富 钨触顶、钼崛起，掀起新一轮材料竞赛 与此同时，在半导体领域仅作为溅射靶材、光刻掩模等辅助材料存在的钼，长期以来属于行业关注度极低的小众金属。而如今，钼凭借其独特的物理化学特性，正从边缘辅料逆袭为高层数存储芯片的核心功能性材料。 据了解，钼是一种难熔金属，密度约为钨的一半，熔点高达约2623°C，热膨胀系数低、导热率优异，这些特性使其天然适配高密度、高热量、高可靠性的芯片制造环境，早已在冶金、特种合金、光伏等领域广泛应用。而在半导体产业中，其经历了从边缘辅料到核心功能材料的完整转变。 从基础物理参数来看，钼与钨均属于高导电、高熔点金属，二者体相电阻率相差极小，钨约5.28μΩ·cm，钼约5.34μΩ·cm，宏观导电能力几乎持平。但进入纳米尺度——也就是3D NAND栅极、接触孔这类芯片微结构中，二者的性能差距被急剧放大，这也是高层数闪存选择钼的核心原因。 不同金属在不同厚度下的电阻率（图源：imec） 在芯片微缩结构内，钨的电阻率会随线宽减小、结构深宽比提升出现断崖式上涨，进而造成信号延迟、芯片功耗上升、发热加剧；而钼的电子平均自由程更短，在纳米尺度下电阻率增幅仅为钨的六成左右，能够长期维持稳定的导电性能。 同时，钨作为栅极材料，必须搭配TiN氮化钛作为阻挡层，防止金属扩散与漏电，这层辅料会持续占用堆叠空间。在375层、400层等高堆叠架构中，每层额外增设的阻挡层会持续挤占堆叠空间，累计占用30%-40%的有效结构厚度，直接锁死存储密度提升上限；钼则凭借优异的界面稳定性，无需额外增设阻挡层，这意味着在同等线宽条件下，钼字线的有效导电截面显著大于钨字线，等效导电性能的提升远高于单纯电阻率对比数据所带来的影响。在多层堆叠结构中可直接节省大量垂直物理空间，为存储密度提升腾出余地。 此外，在制程工艺适配性上，二者的差异同样显著。传统钨金属主要依靠CVD化学气相沉积工艺成膜，面对3D NAND动辄40:1以上的高深宽比孔道结构，CVD填充极易出现空洞、薄膜不均等缺陷，直接拉低产品良率；而钼完美适配当下先进制程主流的ALD原子层沉积技术，填充均匀性强、薄膜成型平整度与贴合度更高，能够完美匹配超高堆叠架构的制造要求。并且钼与二氧化硅等绝缘介质的粘附性更强，电迁移抗性更优，能有效降低芯片长期使用中的失效风险，大幅提升产品可靠性。 纵观钼材料在半导体行业的应用历程，其发展大致可分为三个阶段： 早期阶段，钼仅作为辅助材料存在，主要用于半导体溅射靶材、光刻掩模基材、封装散热部件等非核心环节，市场体量有限，行业关注度较低。 随着ALD沉积工艺、高纯金属提纯技术逐步成熟，钼前驱体实现商业化量产，钼开始小范围切入逻辑芯片接触孔、先进封装TSV硅通孔等场景，完成从辅料到功能材料的转型。 真正的爆发节点，正是3D NAND走向300层以上超高堆叠的时代，传统钨材料触及物理极限，钼顺势接棒，成为字线金属栅极的首选方案，正式跻身半导体核心材料行列。 一场由钼主导的半导体材料迭代浪潮已然开启，不仅将重构3D NAND技术演进路径，未来更有望重塑全球半导体材料产业链格局。 不止NAND，钼打开半导体多场景增量空间 NAND已是确定性爆发赛道 上文提到，NAND是钼材料当前最大、最确定的应用市场。随着存储巨头相继导入，钼的需求量级正在快速提升。 据行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，按照其技术路线的持续推进，预计2030年将达到80吨。SK海力士则从明年开始大规模导入钼工艺，初期年需求量约为4吨。需要注意的是，上述采购量仅是字线工艺方面的直接用量，若考虑靶材等更大口径的应用，实际需求不止于此。 DRAM：下一个增量市场轮廓已现 钼材料在DRAM领域的应用前景同样值得高度关注。事实上，NAND领域的钼前驱体供应商已在量产设备中展开相关布局，DRAM紧随其后引入钼材料已成大概率趋势。 钼在HBM领域的应用尤为值得注意。HBM通过垂直堆叠DRAM层来提升带宽，层数已达8至12层，HBM4规格更高。在如此高密度堆叠的场景下，钨的电阻高、氟残留、填充困难等短板被极致放大。 相比之下，钼电阻率比钨低30%至40%，无需TiN阻挡层，接触电阻降低约56%，良率更高。据市场信息，单颗HBM的钼靶用量约为普通DRAM的3至5倍，HBM4的钼渗透率已接近100%。随着三星、SK海力士、美光在HBM3e/HBM4产品中全面转向钼字线，DRAM领域对钼的需求正快速赶上NAND。 逻辑芯片的远期想象空间 从NAND到DRAM再到逻辑芯片，钼在半导体领域的应用路径正在形成清晰的传导脉络。 在逻辑芯片领域，钼正被积极探索作为铜互连的替代材料。铜互连在10nm以下先进制程中因表面散射和晶界散射而面临电阻率指数级上升的窘境，而钼的电子平均自由程远短于铜，在纳米尺度下受到尺寸效应的负面影响更小。另有研究指出，钼与钌在特定结构下的表现优于传统方案。 业内预期，逻辑芯片将在未来两到三年内开始逐步采用钼互连方案，这将把钼的市场空间从一个细分应用推向半导体材料的全局性变革。 从投资逻辑角度看，NAND赛道是当前最确定的机会窗口——存储巨头的技术路线图均已明确，钼需求呈指数级增长态势，而国内钼靶材企业进入存储大厂供应链的进程正在加速，国产替代的空间广阔。中期来看，DRAM和HBM领域的钼渗透率正在快速提升，将成为下一个重要的需求拉动极。长期而言，逻辑芯片互连方案的变革将为钼打开更大想象空间。 全球玩家跑马圈地，产业链价值重估 随着“以钼代钨”成为行业趋势，全球存储厂商的技术路线、产品迭代节奏开始出现分化，而上游材料、设备、耗材等配套产业链，也迎来了全新的市场增量与竞争格局。 先从存储厂商来看，三星的技术路线已相当清晰：已从2024年4月量产的第九代286层3D NAND开始，在金属布线工艺中引入钼；第十代400层以上产品将于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。SK海力士紧随其后，其375层产品敲定今年年底量产，接下来将依次推出480层和604层产品，意味着钼材料在NAND领域的渗透率将持续走高。 美光则双线布局NAND与DRAM领域钼材料应用，探索复合金属技术路线，差异化抢占先进制程市场；相较之下，铠侠、西部数据相对保守，目前仍处于技术验证阶段，暂无明确量产规划。 向上游产业链延伸，这场材料变革正在带动整条半导体供应链的价值重估。 SK海力士的供应链体系中，法国液化空气集团（Air Liquide）、美国英特格（Entegris）与德国默克被确定为主要供应商。韩国本土企业SK Specialty也正积极入局，双方正在商讨其借用液化空气集团的配送基础设施来构建供应能力的方案。 在设备方面，据科创板日报披露，SK海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了后者的设备。泛林集团的设备采用单片晶圆处理方法，逐片处理晶圆；东京电子的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。三星选择的是泛林集团的沉积设备处理钼材料。 同时，在靶材领域，高纯钼原料与半导体钼靶材需求爆发，随着3D NAND层数持续提升、应用场景不断拓展，2026-2028年全球半导体级钼材料市场规模有望扩容4倍以上。有数据显示，全球电子级高纯钼靶材市场2025年销售额达到了77.52亿元，预计2032年将达到132.0亿元，年复合增长率为7.9%，增量空间巨大。国内企业正在加速追赶，并取得了一定突破。 其次，钼前驱体作为核心耗材，目前较为依赖海外进口，是国内材料企业攻坚的核心赛道。再者，适配钼制程的ALD设备需求持续攀升，国内设备厂商加速技术研发与客户验证，有望借助本轮材料迭代实现弯道超车。此外，钼制程配套的CMP抛光液、专用清洗液等电子化学品，也将迎来全新增量市场。 落到终端应用层面，钼材料带来的性能提升也将传导至下游全场景。例如搭载钼栅极的3D NAND闪存，读写速度可提升20%~30%，功耗降低15%~20%，单颗芯片存储密度提升30%以上。对于AI服务器、数据中心而言，更高密度、更低延迟的存储产品能够有效缓解高算力场景下的存储带宽瓶颈；对于智能手机、平板电脑等消费电子，可支撑终端轻薄化设计，同时大幅优化续航能力，助力终端产品迭代升级。 综合来看，本轮材料迭代对于国内半导体产业而言，是难得的国产化黄金窗口期。不同于传统制程追赶的代差壁垒，钼材料属于全新技术赛道，国内外产业研发、量产节奏基本同步，不存在绝对技术代差。同时，国内拥有全球领先的钼资源储量与成熟的基础钼产业集群，具备天然供应链优势。 上游可依托本土资源，攻坚高纯钼提纯、高端前驱体“卡脖子”技术；中游国产ALD设备可借助本轮量产浪潮完成客户验证，快速实现国产化替代；下游国内存储厂商可同步跟进钼材料技术路线，因此有望摆脱跟随式发展困境，实现弯道超车。 钼材料规模化量产的隐忧与挑战 虽然钼的技术优势全面碾压传统钨材料，但从实验室技术到规模化量产落地，仍面临多重产业化壁垒，这也是业界厂商仍处于验证阶段、尚未大规模量产的核心原因。 有行业专家向笔者表示，目前行业核心难点集中在材料提纯、前驱体制备、制程管控、产线适配等几大维度。 超高纯度提纯门槛高：半导体核心制程使用的钼材料，纯度需达到6N-7N（99.9999%-99.99999%），微量杂质就会引发芯片漏电、性能衰减、寿命缩短等问题。当前全球高端高纯钼原料、高纯钼前驱体市场，长期被默克、液化空气等海外巨头垄断，国内传统钼企多聚焦工业级产品，高端产品的稳定性、一致性仍需持续打磨。 前驱体输送与管控难度大：区别于气态氟化钨，主流钼前驱体常温下为固态，无法直接适配传统气态输送产线，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时精准把控物料的供给量与输送速率，对产线硬件改造、制程参数精细化管控提出极高要求，初期设备投入成本较高。 固态前驱体相比气态或液态前驱体在热稳定性和供料均匀性方面存在天然劣势，大晶粒钼薄膜的稳定沉积对集成成功至关重要，小晶粒钼的电阻率对厚度的依赖性与钨相当，会导致性能大打折扣。 imec等研究机构已多次发出警示：从材料体特性到实际器件性能之间存在显著落差，钼最终呈现的电学、热学和电迁移特性，完全取决于沉积薄膜的晶粒尺寸和晶界结构。不是任何“钼”都能实现低电阻——工艺方案的优劣决定了性能天花板的上限。 存量产线改造成本高： 原有面向钨CVD工艺的存储产线，无法直接适配钼ALD沉积工艺，企业需要新增设备、重构制程流程，前期资本投入压力较大。 薄膜工艺良率管控严苛： 钼ALD薄膜的厚度、均匀度、附着力对腔体温度、气压、气体流量等参数高度敏感，参数细微偏差就会导致批量产品质量波动，需要企业长期的工艺积累与量产打磨。 钼矿供应与价格波动风险： 随着钼在半导体领域的用量快速攀升，上游矿端资源供给的瓶颈问题日益突出。钼粉价格已出现大幅上涨，半导体用靶材钼的供需缺口预期将持续存在。若需求快速放量而矿端扩产滞后，钼价的剧烈波动可能对中游靶材厂商和下游芯片制造商的成本结构带来冲击。 从全球供需格局来看，钼资源的分布高度集中。若主要产区面临地缘政治或政策变动因素干扰，供应链安全性将面临考验。这既是挑战，也进一步强化了钼材料国产替代的投资逻辑。 针对上述壁垒，全产业链正循序渐进的探索破局路径，规避技术风险与改造成本压力，加速推动钼材料产业化落地。 还值得注意的是，“以钼代钨”本身并非技术演进的终点。 在半导体行业材料的竞逐中，钌（Ru）同样是备受关注的方向。钌的电阻率甚至低于钼，但其成本和工艺废料问题严重限制了大规模商业化应用的可行性。 如果能够解决成本和工艺废料问题，钌材料在高端场景中仍是颇具竞争力的挑战者。imec院士Tőkei曾指出：钼较钨有更优电阻率且无需阻挡层；较钌成本更低、附着力更好。 更重要的是，拓扑半金属等新材料方向也在快步进入研究视野。国内科研团队已在用二硫化钼这类二维材料探索芯片制造的可能性，而磷化钼等拓扑半金属在极细纳米线中的电阻率甚至低于铜，展现出令人瞩目的潜力。 这意味着，钼虽然在这一轮材料革命中占据了先机，但半导体材料竞赛的赛道还在延伸。对行业参与者而言，当前的关键在于将钼工艺尽快落地转化为产品优势；对投资者而言，则需在密切关注钼赛道的同时，保持对未来替代方案的前瞻性观察。 写在最后 当半导体制造走到物理极限的边缘时，创新的主体正在从架构设计与微缩制程，渐渐转移到材料和工艺的底层突破。 钼从实验室走向量产线，从三星的一条产线扩散到SK海力士的整厂改造，从NAND的字线推进到DRAM的HBM堆叠再到逻辑芯片的互连探索，标志着金属材料在整个半导体行业中正在被重估其战略价值。 传统上，业界习惯于将芯片性能的提升归功于摩尔定律驱动的晶体管微缩。然而在3D堆叠成为主流、二维微缩逼近极限的今天，材料革命正在成为延续半导体性能提升曲线的关键变量。 展望未来，“以钼代钨”已经不再是一个是否会发生的问题，而是一个以多快速度发生的问题。当这场材料变革全面铺开之后，下一个站上舞台中央的半导体关键材料，会是谁？ 本文来源： 半导体行业观察
2026-06-15 09:48:18本钢建设矿建公司管道项目部辽阳球团超低排放改造钢材公开询比采购招标
1. 采购条件 本采购项目本钢建设矿建公司管道项目部辽阳球团超低排放改造钢材公开询比（BGBGXCHGXHD260612296202）采购人为本溪钢铁（集团）建设有限责任公司，采购项目资金来自自筹，该项目已具备采购条件，现进行公开询比。 2. 项目概况与采购范围 2.1 项目名称：本钢建设矿建公司管道项目部辽阳球团超低排放改造钢材公开询比 2.2 采购失败转其他采购方式：转谈判采购 2.3 本项目采购内容、范围及规模详见附件《物料清单附件.pdf》。 3. 投标人资格要求 3.1 本次采购不允许联合体投标。 3.2 本次采购要求投标人须具备如下资质要求： （1）生产型营业执照 （2）流通型营业执照 3.3 本次采购要求投标人需满足如下注册资金要求： 生产型注册资金：35.0（万元）及以上 流通型注册资金：35.0（万元）及以上 3.4 本次采购要求投标人须具备如下业绩要求： 请详见采购方案。 3.5 本次采购要求投标人须具备如下能力要求、财务要求和其他要求： 财务要求：详见附件（如有需要） 能力要求：详见附件（如有需要） 其他要求：请详见附件。 3.6依法必须进行招标的项目，失信被执行人投标无效。 4. 采购文件的获取 4.1 凡有意参加投标者，请于2026年06月12日13时00分至2026年06月22日13时00分(北京时间，下同)，登录鞍钢智慧招投标平台http://bid.ansteel.cn下载电子采购文件。 点击查看招标详情： 》本钢建设矿建公司管道项目部辽阳球团超低排放改造钢材公开询比采购公告
2026-06-12 19:47:02
