伊拉克三氯氢硅产量
伊拉克三氯氢硅产量大概数据
| 时间 | 品名 | 产量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2015 | 三氯氢硅 | 1400-1600 | 公吨 |
| 2016 | 三氯氢硅 | 1500-1700 | 公吨 |
| 2017 | 三氯氢硅 | 1600-1800 | 公吨 |
| 2018 | 三氯氢硅 | 1700-1900 | 公吨 |
| 2019 | 三氯氢硅 | 1800-2000 | 公吨 |
伊拉克三氯氢硅产量行情
伊拉克三氯氢硅产量资讯
中科三环上半年净利同比增11.86% 通过降低重稀土用量等措施带动综合毛利率提升
中科三环8月22日发布的2026年半年报显示：上半年，公司实现营业收入 361,377.21 万元，较上年同期增长 23.67%；归属于上市公司股东的净利润 4,921.27 万元，较上年同期增长 11.86%；磁材产品毛利率 12.63%，比上年同期增加 3.24%。 主要系公司核心产品销量同比增长， 通过优化配方工艺、降低重稀土用量等降本措施，带动综合毛利率同比提升； 部分下属子公司经营改善，盈利水平持续 向好；公司进一步完善库存管理，关键原材料库存结构优化，资产质量稳步提升。 对于公司主要业绩驱动因素，中科三环在其半年报中提及：2026 年上半年，面对日益激烈的市场竞争和复杂多变的外部环境，在全体员工的共同努力下，公司坚持稳中求进， 聚焦提升经营质量：核心产品销量同比增长，通过优化配方工艺、降低重稀土用量等降本措施，带动综合毛利率同比提 升；部分下属子公司经营改善，盈利水平持续向好；公司进一步完善库存管理，关键原材料库存结构优化，资产质量稳 步提升。 对于公司主要业务及产品用途，中科三环在其半年报中介绍： 公司主要产品为烧结钕铁硼和粘结钕铁硼永磁材料， 广泛应用于新能源汽车、汽车电机、电子消费类产品、机器人、 工业电机、节能电梯、变频空调、风力发电等领域。在低碳经济席卷全球的大势之下，世界各国都把环境保护、低碳排 放作为关键科技领域给予关注，以烧结钕铁硼和粘结钕铁硼为代表的稀土永磁材料对建立完整的低碳减排绿色产业链具 有重要作用。 人形机器人与低空经济是高性能钕铁硼的两大新兴需求增长极，前者靠关节伺服电机拉动高端磁材爆发式增长，后 者以 eVTOL 和无人机驱动高功率密度磁材需求扩容，两者共同重塑稀土永磁的需求结构与技术方向。目前人形机器人行 业尚未实现规模化量产，待其实现商业化落地后，将会对钕铁硼永磁材料行业和公司带来积极影响。报告期内，公司着 力人形机器人用高性能磁体的研究开发，以把握其未来商业化落地后的市场机会。同时，积极持续地关注低空经济领域 发展，努力把握潜在市场机会。 对于2026 年度经营计划，中科三环表示：2026 年，公司将紧扣未来发展战略，聚焦核心目标，推进各项重点工作落地，推动企业经营持续向好。 （1）持续强化技术研发，聚焦重点研发方向，加大核心技术攻关力度，推动研发成果产业化应用，提升产品技术含量与 市场竞争力；完善研发管理与激励机制，激发研发团队创新活力。 （2）优化市场开拓策略，深耕核心客户与重点市场，积极拓展新兴应用领域，完善销售渠道与服务体系，提升市场覆盖 广度与深度；持续优化国内外市场结构，增强市场抗风险能力。 （3）深化生产运营管理，推进生产基地智能化、自动化升级，优化生产流程与资源配置，进一步降本增效；加强供应链 协同管理，保障原材料稳定供应与成本可控。 （4）推进数字化转型，扩大信息化系统应用覆盖范围，完善业财一体化建设，提升数据整合与分析能力，以数字化赋能 经营管理与决策。 （5）健全人才与激励体系，持续引进关键领域人才，完善人才培养与发展通道，充分调动员工积极性与创造力。 （6）强化合规管理，持续跟踪行业政策变化，动态优化合规管理体系，确保公司各项经营活动严格遵守法律法规与监管 要求。 回顾钕铁硼重要的原材料镨钕金属今年上半年的价格表现可以看出：年初镨钕金属报74万元/吨，在氧化镨钕现货偏紧、下游磁材企业春节前后备货采购等供需基本面因素共振下急速拉涨，2月底触及109万元/吨的年内高点，累计涨幅达47.3%。3月终端需求实质性收缩叠加市场利空消息发酵，价格快速回落至90万元/吨附近。4月受精矿涨价支撑氧化物成本、部分分离厂停产及出口管制窗口期海外订单释放支撑，价格修复反弹至99.9万元/吨。5月-6月下游进入传统需求淡季，磁材企业对镨钕金属询单采购活动减少，价格二次探底至83万元/吨。6月中下旬，由于废料回收企业因税票问题出现大规模减产，市场供应预期趋紧，带动镨钕价格触底回升，6月30日收于90.5万元/吨。上半年均价约90.5万元/吨，振幅48.3%。 》点击查看SMM稀土现货价格 》订购查看SMM金属现货历史价格走势 据SMM最新的报价显示：8月24日，镨钕金属的价格为875000~885000 元/吨，其均价为880000元/吨，较前一交易日持平。上周镨钕金属价格先抑后扬，周初延续偏弱运行，临近周末，受大厂采购氧化镨钕带动，上周五出现强势反弹。 对于稀土的后市，短期来看，需求端，终端电机企业"高温假"陆续结束，叠加"金九银十"传统需求旺季临近，头部磁材企业订单排产预期较好，市场对下游补库备货抱有较强预期，但后续仍需关注旺季需求预期能否兑现，以及成本端氧化镨钕新增产能的释放节奏，预计镨钕金属价格将区间震荡偏强运行。 推荐阅读： 》镨钕金属周环比涨0.57%止跌转涨 旺季预期下短期偏强震荡【SMM分析】
2026-08-24 19:48:01小米连发三芯，自研芯片从手机打到汽车
小米正在把自研芯片从手机SoC继续向外扩。 8月24日，小米一口气发布三款玄戒自研芯片：面向旗舰手机的SoC玄戒O3、面向端侧大模型计算的高带宽AI加速芯片玄戒O100，以及面向智能驾驶的高算力芯片玄戒D100。 其中，玄戒O3仍然沿着手机主芯片路线向前走，将于今年9月率先搭载在小米18 Fold上，支持小米MiMo多模态模型；O100则是一颗专门为大模型推理设计的AI加速芯片，目前尚未公布首款量产设备；D100主要瞄准汽车智驾计算，同样尚未公布首发车型。O100和D100均计划于2027年正式商用。 不过三颗芯片已经出现在同一台设备上。全天候科技在现场看到，小米展示了一款AI Cube「Prototype」桌面AI高算力终端原型机，该产品同时搭载玄戒O3、O100和D100，并在本地部署120B和3B双模型，支持快慢系统切换。 据小米工作人员向全天候科技介绍，这款设备不联网，本地化运行，系统为小米HyperOS，目前暂未确定是否会对外出售，可能还是要看市场需求。 如此来看，AI Cube更多只是小米自研三颗芯片的一次集中展示。真正决定它们商业价值的仍然是各自在手机、AI计算和汽车等不同设备上的落地规模。 从设计来看，O3采用3nm工艺，集成240亿颗晶体管，拥有10核CPU、16核GPU以及200TOPS NPU，并首次支持LPDDR6内存； O100采用6nm工艺和3D晶圆级堆叠，通过Hybrid Bonding将两层DRAM和一层NPU计算晶圆直接连接，近存计算带宽达到1.22TB/s，并搭载14核NPU； D100采用3nm工艺，搭载20核CPU和16核NPU，单芯片最高支持160GB内存，并能够在本地部署超过200B参数的大模型。 这背后也是一笔规模经济的账。芯片研发前期投入巨大，如果最终只能服务一两款机型，研发投入需要由有限的出货量承担。而如果同一套计算能力能够逐步进入手机、汽车乃至其他本地AI设备，能够承载这笔研发投入的终端规模就会被拉大。 当然，这套逻辑目前仍停留在向外扩张的第一步。 O3将在今年进入量产设备，O100和D100则要等到明年才正式商用。三颗芯片能不能真正进入足够多的设备，以及自研芯片最终能否转化成成本、性能或者产品差异化，都还需要更大的出货规模验证。 （华尔街见闻）
2026-08-24 19:22:11Hot Chips深度：HBM走向定制化与三维堆叠，三星、英伟达、美光各亮路线图
AI算力需求的爆发正将HBM存储推向架构演进的十字路口。在本届Hot Chips大会上，三星、美光、SK海力士与英伟达密集披露各自技术路线图，核心议题高度集中： HBM正从标准化商品走向定制化平台，三维垂直堆叠成为下一代架构的共同方向，而散热与功耗约束已成为制约扩展的首要瓶颈。 三星提出将HBM基础底片（base die）从通信层演进为定制化AI平台的三阶段路线图，并披露ZHBM概念——将HBM直接垂直堆叠于XPU之上，目标是将总DRAM功耗较HBM5降低约70%，绝对功耗降幅超过100W，带宽提升2.3倍以上。与此同时，英伟达披露其实验室已拥有至少三款RVA23处理器，并完成了CUDA在RISC-V硬件上运行的首次公开演示，展示了第三方定制CPU接入NVLink Fusion生态的具体路径。 从市场影响看，超大规模云厂商AI资本支出的持续加速是贯穿本届大会的核心叙事主线。存储分析师Jim Handy指出， HBM每片晶圆产出的GB数仅为标准DDR的三分之一，加之过去十余年行业几乎没有大规模新建晶圆厂，新建产能即便在激进时间表下也需约两年，行业对当前需求冲击的响应能力严重受限。 HBM现货价格已较此前水平上涨约7倍，三星、SK海力士、美光及主要NAND供应商均录得异常强劲的营收增长。 HBM供需结构：产能瓶颈短期难以缓解 Handy的分析勾勒出当前存储市场的核心矛盾。 需求侧，几乎所有主流AI加速器——包括英伟达GPU、谷歌TPU及各类定制硅片——均依赖HBM；连部分网络组件也开始采用HBM，创造了数年前几乎不存在的新需求类别。供给侧，由于历史上工艺微缩足以满足位元增长，DRAM供应商已逾十年未进行大规模产能扩张，短期新建产能几乎无望。 Handy同时驳斥了"算法效率提升将压低硬件需求"的常见论断。他认为，当一项新技术将内存需求降低6倍，超大规模云厂商的典型反应是用相同预算处理6倍的Token，而非削减资本支出。效率提升改变的是AI基础设施的生产力，未必减少投入其中的资金总量。 AI基础设施的扩张同步收紧了NAND与HDD市场。META测试在TLC SSD与HDD之间部署低成本QLC SSD后发现性能改善，促使超大规模数据中心更广泛地采用SSD；AI基础设施对HDD需求的拉动也已造成短缺，QLC SSD随之开始填补新存储层级甚至替代缺货HDD，助推NAND进入短缺状态，铠侠和闪迪（SNDK）从中受益。 美光视角：硅片消耗、散热与可靠性构成架构约束 美光HBM设计架构师Ragu从成本与物理极限两个维度量化了HBM扩展的代价。在典型的包含4个12层HBM堆栈的GPU封装中，内存硅片总量约为GPU硅片的8倍，意味着系统级封装中约90%的硅片与内存相关。一个DRAM裸片失效即可影响整个封装，可靠性挑战随堆栈高度增加而显著加剧。 Ragu引用Meta公布的Llama 3研究数据： 约17%的非预期训练中断归因于HBM。这一数据直接揭示了HBM可靠性对大规模AI训练集群的实质性影响。 散热问题已上升为首要架构约束。 HBM基础底片是发热最严重的区域之一，热量从底部产生而散热装置位于DRAM堆栈上方，迫使热量穿越每一层。美光表示，HBM从设计之初就越来越多地围绕散热限制展开，局部功率密度和热点已与总功耗同等重要。 在堆叠极限方面， 美光认为16层HBM在技术路径上可行，但JEDEC讨论的20层堆叠仍面临大量未解难题——TSV密度、功率密度、散热、机械完整性及制造良率均构成严苛约束，而非信号传输距离本身（整个堆栈高度仍低于约1毫米）。 从带宽扩展路径看，HBM通过极度并行化实现性能跃升：HBM3E每个DRAM裸片有128个Bank，HBM4增至256个；外部接口I/O线路在接口长度（shoreline）基本不变的情况下从约1,000条翻倍至2,000条。HBM由此从HBM1的128 GB/s带宽与1 GB容量，扩展至HBM4的超过2.8 TB/s带宽与单颗24 GB以上容量，代价是持续攀升的硅片消耗强度。 美光预期，随着AI工作负载细分，HBM将从通用产品走向针对特定工作负载的定制化架构，处理器与配对内存将日益协同优化。封装技术也将从微凸块（micro-bumps）和热压键合向个位数微米间距的熔融键合（fusion bonding）和混合键合（hybrid bonding）演进。 三星路线图：base die演进与ZHBM愿景 三星的三阶段路线图是本届大会最具前瞻性的技术披露之一。 第一阶段聚焦于将内存控制器从XPU迁移至定制化HBM base die。三星估算，控制器约占XPU硅片面积的5%至10%，将这部分空间释放给计算核心有望使性能提升10%至20%。三星表示，大多数客户正在积极探索这一架构。 第二阶段利用定制化HBM base die周围未使用的边缘区域（shoreline），通过专用控制器和PHY直接连接第二层内存，预计延迟和带宽表现将优于基于PCIe的扩展方案，该第二层内存可以是LPDDR甚至HBF。三星认为，随着上下文窗口和KV缓存扩大，容量的重要性已接近带宽。 第三阶段即ZHBM：取消传统2.5D中介层，将HBM直接垂直集成于XPU顶部。通过移除横向PHY/D2D路径，I/O和TSV结构可遍布整个芯片投影区域，目标能效约0.5 pJ/bit，总DRAM功耗较HBM5降低约70%，绝对功耗降幅超过100W。不过，当前散热限制指向约4层堆叠，而非12层或16层，距离工程化落地仍有相当距离。 三星在计算卸载策略上保持克制： 散热限制使得在base die中放置大量密集计算单元并不合理，优先选择将LLM推理中内存受限的Attention计算卸载至HBM，计算密集型的Prefill和FFN仍保留在XPU。接口策略上，三星目前倾向于专有HBM厂商接口而非UCIe，理由是UCIe面积更大且功耗更高；其散热路径块（Heat Path Block）在覆盖足够热点区域时可将峰值温度降低35%以上。 ZHBM还要求在小于6微米间距下实现晶圆级集成和混合铜键合，DRAM与SoC设计之间长期存在的边界必须消除，两者需从设计之初就围绕布线、散热、功率密度和物理互连进行协同设计。 SK海力士：封装极限与混合键合路径 SK海力士的演讲聚焦于从12层向16层乃至20层扩展的封装工程挑战。 在其16层HBM3E测试芯片中，即便将总堆栈厚度从720微米增至775微米，单个DRAM裸片厚度仍需比12层方案减薄约10%，片间间隙缩小约50%，芯片翘曲控制与间隙填充难度大幅上升。SK海力士指出，HBM4的总厚度775微米已接近当前封装方法的实际极限，未来扩展不能无限依赖增加封装高度。 对于混合键合，SK海力士认为其在20层左右将变得极具吸引力，但预计HBM4E阶段尚不会采用。假设的20层堆叠中，裸片厚度可增加约20%至24%，热导率提升约35%。即便如此，混合键合也无法解决base die局部热点问题——SK海力士正在开发IHBM，通过在热点区域上方添加硅散热块改善局部散热，且需从设计初期协同优化，而非后期追加。 SK海力士还判断，训练与推理最终可能采用不同的内存架构：训练需要兼顾高带宽与高容量，支持堆栈高度持续增加；推理则可能采用较小规模的极高带宽内存池，将带宽不敏感数据放置于LPDDR或其他低成本层级。 英伟达与RISC-V：CUDA生态开放新路径 英伟达的演讲标志着其AI生态系统策略的实质性进展。一年前，将CUDA引入RISC-V面临的最大障碍是缺乏合适的RVA23硬件；如今，英伟达实验室已拥有至少三款RVA23处理器，SiFive在Hot Chips大会期间完成了CUDA在RISC-V硬件上运行的首次公开演示。 英伟达演讲者Franz明确，其出发点是符合RVA23配置文件和RISC-V服务器平台规范，英伟达不希望为CUDA制定单独的RISC-V规范。CUDA的特定额外要求仅约两页，核心包括PCIe缓存一致性（避免GPU DMA过程中的显式CPU缓存操作）和PCIe点对点通信（支持GPU间直接数据交换）。 NVLink Fusion为这一路径提供了商业逻辑： 客户可使用定制CPU或加速器，同时保留英伟达大部分机架级架构。 RISC-V CPU由此可在专用系统中替代英伟达基于ARM的主机处理器，关键要求是集成英伟达C2C网络——该网络可提供高达PCIe约5倍的带宽和一致性。Franz的明确表态是，RISC-V的吸引力不在于x86或ARM的不足，而在于众多厂商可针对重要利基市场进行定制化实现，而这些市场未必能获得大型现有CPU供应商的专项支持。 配合英伟达的推进，Canonical已在Ubuntu 26.04 LTS中将RVA23设为官方RISC-V基准，约95%的常规Linux软件包存档已可用；RISC-V国际基金会及SiFive的Krste Asanović表示，多家供应商将于今年向市场推出RVA23服务器级芯片，大部分矩阵扩展工作预计在未来12至18个月内完成批准。RISC-V软件与硬件生态的协同成熟度正在加速提升。
2026-08-24 19:11:152026年8月份鲅鱼圈蒙古5#高强度焦煤第三次港口现货采购谈判采购招标公告
2026年8月份鲅鱼圈蒙古5#高强度焦煤第三次港口现货采购已具备采购条件，现公开邀请供应商参加谈判采购活动。 项目简介 1.1 项目名称：2026年8月份鲅鱼圈蒙古5#高强度焦煤第三次港口现货采购 1.2 委托人：鞍钢股份有限公司 1.3 代理机构：鞍钢招标有限公司 1.4 项目资金落实情况：自筹 1.5 项目概况：详见委托申请附件的公开附件 1.6 平台和网址：鞍钢智慧招投标平台（http://bid.ansteel.cn/TPBidder） 采购范围及相关要求 2.1 采购范围：详见委托申请附件的公开附件 2.2 交货期：需在合同签订后7日内在装货港具备装船条件 2.3 交货地点：辽宁省营口市: 2.4 货物质量标准或主要技术性能指标：详见附件 供应商资格要求 3.1 供应商资质要求：见附件 点击查看招标详情： 》2026年8月份鲅鱼圈蒙古5#高强度焦煤第三次港口现货采购谈判采购公告
2026-08-24 17:53:06凯利达与您相约2026 SMM(第三届)华南有色金属年会
全球绿色转型与 "双碳" 目标深入推进，有色金属产业低碳、智能、高端升级步伐加快。华南地区作为产业核心集聚区，产业链完备、资源禀赋突出、政策支撑有力，发展动能强劲。 由上海有色网主办的 2026SMM（第三届）华南有色金属年会 定于 9 月 9 日 - 11 日在广西南宁举办。大会围绕价格行情、市场趋势、贸易环境、政策导向、低碳技术五大议题，打造行业高端交流合作平台。 闻喜县凯利达贸易有限公司 诚邀各界同仁齐聚南宁，共襄盛举，同推技术创新与数字化智能转型，助力企业把握机遇、应对挑战，共促有色金属行业高质量发展。 点击 报名表单 立即登记参会！ 展位号：B22 闻喜县凯利达贸易有限公司 成立于 2013 年，坐落于中国镁都山西省闻喜县，公司占地 10 万多平方米，主要从事铝、镁、锌精炼剂、国标镁锭及异形镁锭、炒灰剂、清渣剂、金属添加剂的生产，年生产能力可达 10 万吨。同时经销：氯化镁、萤石粉、锰粉、铝铍、氮化硼等产品，为客户提供一站式采购。公司地理位置优越，交通便利，离机场 40 公里，高速路口 10 公里。 公司目前是亚洲规模较大的熔融精炼剂生产厂家，现已建成具有现代化高标准的熔炼车间、颗粒车间，拥有先进的检测设备及专业研发团队，完善的销售及物流体系，可实现全国 7 天内到货，48 小时现场售后服务。已通过质量管理、环境管理、职业健康安全管理体系认证。取得国家发明专利、实用新型专利等 20 余项。 主营产品 精炼剂 添加剂 镁锭 公司根据铝不同牌号研发不同的颗粒精炼剂产品，环保无烟、不烧渣、渣量小、渣中含铝量低，除碱金属效果明显，产品远销国内外，出口已占总销量的 52%，国内许多规模以上大型铝、镁企业已与我司建立长期合作关系。 公司奉行以 “最好的品质、最优的服务、理想的性价比” 为宗旨，竭诚欢迎海内外客商携手合作，共谋发展。 联系方式 电话：0359‑8523 111 139‑9489‑3999 传真：0359‑8523 111 邮箱：657510432@qq.com 点此立即参加2026 SMM（第三届）华南有色金属年会 SMM会议联系人 丁卫全 18029344837 dingweiquan@smm.cn
2026-08-24 17:38:52
