海外碲化钼产量
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海外碲化钼产量行情
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有色资金分化 沪铝增仓下跌【机构评论】
【铜】 周二沪铜震荡收阴在均线密集位置,持仓主力换月至2608合约。换月后,上海铜升水25元,广东升水180元。供应端,铜精矿持续紧俏,且国内硫酸价格、白银价格明显回落,自产精炼铜盈亏风险持续恶化。本周交投区间预计高于上周,更高上涨潜力主要以观察外盘为主。 【铝&氧化铝&铝合金】 今日沪铝回落,华东中原佛山现货升贴水-80元、-140元、-90元,昨日铝锭社库较上周四下降2.2万吨至129万吨。5月以来国内表观消费同比恢复正增长,出口成为主要拉动,不过传统淡季内需仍偏弱,去库强度有待观察。美伊即将签署协议令铝市场供应端受限预期得到一定缓解,短期沪铝处于下行通道但全球存短缺预期,等待回调后买入机会。铸造铝合金跟随铝价波动,市场参与度较低。今日北方氧化铝现货指数上调10-15元。今年以来河北、广西、山西出现意外减产令过剩程度收窄,多重消息刺激下氧化铝连续反弹,但上方空间受到过剩前景的压制,仍以区间震荡对待,等待几内亚矿石政策落地。 【锌】 SMM0#锌均价下调35元至24715元/吨,对近月沪锌贴水45元/吨。下游前期逢低采买,日内现货交投平平。现货进口亏损略收窄,比价仍不利于进口矿补入,除部分北方地区外,国内其他地区国产矿TC普遍转负,沪锌易涨难跌。矿紧锭松,沪锌方向性稍弱,维持高位震荡看待。侧重跟踪炼厂开工,耐心等待矛盾进一步演化。 【铅】 沪铅空头大幅减仓,盘面继续反弹,内外价差收窄,跨市反套资金再次入场痕迹明显,进口窗口有望二次打开。SMM1#铅均价16150元/吨,期现价差扩大至105元/吨,精废倒挂25元/吨,下游逢低偏向原生铅采购,炼厂成本库存不高,降价去库意愿不足,对盘面形成明显支撑。出口订单好转,国内仍处淡季,前期放假电池企业复产带动开工回暖,但终端需求疲弱,不足以支撑铅价大幅上行,沪铅反弹关注1.65万元/吨一线压力。 【镍及不锈钢】 镍市弱势震荡,市场交投平淡。不锈钢市场处于传统消费淡季,基本面多空博弈加剧,期现联动偏弱。钢厂盈利水平尚可,现货原料核算利润维持2%-3%,库存原料利润达3.5%-5%,支撑高排产格局。金川升水1000元,进口镍贴450元,电积镍贴水100元。品位10-12%的高镍生铁报1150元/镍点。上游带来的成本支撑尚存。纯镍库存再度增加3500吨到12万吨,不锈钢库存中止去库,最新报94万吨。镍市平淡,低位震荡。 【锡】 沪锡震荡收阴在均线组合上方,国内锡上游关联股票同步震荡,关注换月节奏。锡市下游高端算力与上游资源稀缺被市场广泛认知,供求基本面现状对价格影响有限。市场预计5月缅甸锡精矿出口量有一定环降概率,等待进口详细数据。倾向锡价宽幅震荡,前期2607合约高执行价卖看涨期权即将到期,谨慎交易。
2026-06-16 18:31:18关于SMM铝元素终端消费模型优化后数据正式上线的公告
尊敬的用户: 您好!“SMM:铝元素终端消费:年度”数据已于6月15日正式上线。新增指标及其ID如下: SMM: 铝元素终端消费: 建筑用铝: 年度-a12873008 SMM: 铝元素终端消费: 建筑用铝-预期: 年度-a12873015 SMM: 铝元素终端消费: 建筑用铝同比增速: 年度-a12873022 SMM: 铝元素终端消费: 交通用铝: 年度-a12873009 SMM: 铝元素终端消费: 交通用铝-预期: 年度-a12873016 SMM: 铝元素终端消费: 交通用铝同比增速: 年度-a12873023 SMM: 铝元素终端消费: 电力电子用铝: 年度-a12873010 SMM: 铝元素终端消费: 电力电子用铝-预期: 年度-a12873017 SMM: 铝元素终端消费: 电力电子用铝同比增速: 年度-a12873024 SMM: 铝元素终端消费: 包装用铝: 年度-a12873011 SMM: 铝元素终端消费: 包装用铝-预期: 年度-a12873018 SMM: 铝元素终端消费: 包装用铝同比增速: 年度-a12873025 SMM: 铝元素终端消费: 耐用消费品用铝: 年度-a12873012 SMM: 铝元素终端消费: 耐用消费品用铝-预期: 年度-a12873019 SMM: 铝元素终端消费: 耐用消费品用铝同比增速: 年度-a12873026 SMM: 铝元素终端消费: 机械设备用铝: 年度-a12873013 SMM: 铝元素终端消费: 机械设备用铝-预期: 年度-a12873020 SMM: 铝元素终端消费: 机械设备用铝同比增速: 年度-a12873027 SMM: 铝元素终端消费: 其他用铝: 年度-a12873014 SMM: 铝元素终端消费: 其他用铝-预期: 年度-a12873021 SMM: 铝元素终端消费: 其他用铝同比增速: 年度-a12873028 因模型优化而计划停更的数据点,将于2026年6月26日正式停更。对您造成的不便深感歉意。 上海有色网 铝研究团队 2026年6月16日 关于SMM铝元素终端消费模型优化的公告
2026-06-16 11:01:232026天目湖新型电化学储能技术研讨会丨工信部能源电子大赛赛题首发
报到时间 2026年6月24日 14:00-22:00 会议时间 2026年6月25日-6月26日 会议地点 江苏 · 溧阳 · 天目湖豪生大酒店 报告日程 指导单位 长三角物理研究中心 主办单位 天目湖先进储能技术研究院有限公司 承办单位 天目湖储能院深水科技公司 协办单位 江苏时代新能源科技有限公司、溧阳天目先导电池材料科技有限公司、江苏卫蓝新能源电池有限公司、中科海钠科技有限责任公司、蓝固(常州)新能源有限公司、深圳耀石锂电科技有限公司、江苏省先进动力和储能电池技术创新中心、艾迪天目(常州)新材料科技有限公司、常州膜介领航新能源材料科技有限公司、常州一硫电池科技有限公司、复阳固态储能科技(溧阳)有限公司、江苏华永烯科技有限公司、江苏麦格聚能科技有限公司、江苏宜锂科技有限责任公司、夸克检测技术(江苏)有限公司、溧阳市溧泉科技有限公司、溧阳中科固能新能源科技有限公司、宁波蔚孚科技有限公司、苏州储慧智能科技有限公司、至微新能 (常州) 科技有限公司、安迈特科技(北京)有限公司、中科先储(常州)新能源科技有限公司、中固时代(北京)新能源科技有限公司、中科融能(北京)科技有限公司、江苏固芯能源科技有限公司 名誉主席 陈立泉 中国工程院 院士 会议主席 李 泓 中国科学院物理研究所 研究员 组织委员会(按姓氏首字母排序) 程新兵、陈凌、戴铮、付垚、傅正文、关敬党、郭夕峰、呼志跃、胡勇胜、黄军倩、蒋震、金阳、柯海岚、李宏哲、李永伟、李立飞、李树军、李炜、刘浩博、刘舜、刘啸嵩、刘莹、卢威、陆海彦、陆浩、陆雅翔、罗飞、容晓晖、申来法、史梦欢、索鎏敏、王红梅、王可、王丽平、王荣刚、王雪锋、王愿习、魏广林、魏伟、魏学哲、吴晓东、吴凡、夏永高、向晋、许晶晶、薛龙均、颜辉、阳如坤、杨全红、杨永安、尹良、俞会根、禹习谦、张笑天、甄小立、郑杰允、钟开富、曾伟国、张凤蕊 合作媒体 eTran交通电动化、储能科学与技术、储能与电力市场、电动中国、电化学期刊、金属能源电池、锂电池新能源网、连线新能源、马里亚纳、南墅石墨矿、清深储能、深水科技咨询、石墨邦、天目湖先进储能技术研究院、新能源情报局、新威NEWARE、研之成理、仪器信息网、真锂研究、电化学能源、锂电新材料、钠电新材料、储能领跑者联盟、长江新能源、储能100人、时代储能网、锂硫电池前沿追踪、储能技术派、固态电池SSB、固态电池产学研、科创溧阳、今日锂电、江苏省储能行业协会 报名参会和住宿预定 如申请参会请填写以下二维码 转发本会议推文至朋友圈,可享受早鸟票价格参会 活动截止日期:6月18日 (报名注册后,会务组成员将与您联系,请保留朋友圈转发截图) 参会费用包含:论坛注册费、参会费、餐费、资料费、会务费等,不包含酒店住宿费用。 *如因个人原因不能参会,会前14日联系会务组,可全额退款,会前14日至会前7日联系会务组可退还50%,会前7日后谢绝退款。 扫描二维码 报名参会 缴费 - 付款方式:银行转账 扫描注册二维码完成注册选择线下支付。 公司名称:溧阳深水科技咨询有限公司 地址:江苏省溧阳市中关村大道1号 电话:0519-87300136 开户行:建设银行溧阳燕山路支行 账号:32050162634800000124 付款请注明:“电化学储能+姓名”,并将付款凭证保留,便于报到时查验。 缴费成功后,请保持手机畅通,会务组会尽快与您联系,感谢您的支持! - 住宿 - 会务组在天目湖豪生大酒店以优惠价格为本次会议联系了一定数量的房间,参会人员可享受会议优惠价,鉴于会议规模,房间数量有限,先到先得。 请各位嘉宾及时与酒店联系确认,以免错过优惠价,费用自理。 交通信息 高铁:溧阳站 溧阳站——天目湖豪生大酒店 交通方式1 :出租车 打车距离 :溧阳站距离会议酒店7公里,打车约12分钟。 交通方式2 :公交车 公交线路 :53路 溧阳站始发-豪生大酒店站,全程步行约200米,预计票价2元,用时预计30分钟(具体时间还需考虑班车发车时间点)。 飞机:南京禄口机场 南京禄口机场——天目湖豪生大酒店 交通方式1: 南京机场巴士溧阳线 发车时间 :10:30、12:00、13:45、15:30、17:15、19:00、20:45、22:30 发车地点 :南京禄口国际机场一楼到达厅外 下车地点 :皇廷大酒店旁的禄口机场溧阳候机楼 车票价格 :60-70元 咨询电话 :0519-87678111 从下车地点到达天目湖豪生大酒店打车约7公里,用时约12分钟。 交通方式2 :出租车 打车距离 :南京禄口机场距离会议酒店75公里,打车约1小时。 部分参会单位 艾迪天目(常州)新材料科技有限公司 安徽国科能源集团有限公司 安迈特科技(北京)有限公司 北京海博思创科技股份有限公司 北京万龙精益导控技术有限公司 北京卫蓝新能源科技股份有限公司 常州膜介领航新能源材料科技有限公司 常州一硫电池科技有限公司 川源科技(苏州)有限公司 东莞新威检测技术有限公司 复阳固态储能科技(溧阳)有限公司 广州鹏辉能源科技股份有限公司 广州天赐高新材料股份有限公司 赫伊尔商贸(北京)有限公司 湖南科力远新能源股份有限公司 华能投资管理有限公司 黄河三角洲京博化工研究院有限公司 江苏固芯能源科技有限公司 江苏华永烯科技有限公司 江苏麦格聚能科技有限公司 江苏时代新能源科技有限公司 江苏卫蓝新能源电池有限公司 江苏宜锂科技有限责任公司 夸克检测技术(江苏)有限公司 蓝固(常州)新能源有限公司 溧阳市溧泉科技有限公司 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 溧阳中科固能新能源科技有限公司 宁波蔚孚科技有限公司 宁波长阳科技股份有限公司 奇瑞汽车股份有限公司 青岛龙迪碳材料科技有限公司 山东京博控股集团有限公司 上海恩力动力技术有限公司 上海迈科英诺科学仪器有限公司 上海璞钠能源科技有限公司 深圳吉阳智能科技有限公司 深圳市科晶智达科技有限公司 深圳耀石锂电科技有限公司 双登集团股份有限公司 苏州储慧智能科技有限公司 苏州润禾化学材料有限公司 天津德尚科技有限公司 天津空间电源公司 天津普兰能源科技有限公司 天目湖先进储能技术研究院有限公司 威格科技(苏州)股份有限公司 悟通感控(北京)科技有限公司 浙江锋锂新能源科技有限公司 至微新能 (常州) 科技有限公司 中电科蓝天科技股份有限公司 中固时代(北京)新能源科技有限公司 中科海钠科技有限责任公司 中科摩通(常州)智能制造股份有限公司 中科融能(北京)科技有限公司 中科深蓝汇泽新能源(常州)有限责任公司 中科先储(常州)新能源科技有限公司 中汽研汽车检验中心常州有限公司 江苏省产业技术研究院 江苏省储能行业协会 苏州国家实验室 长三角国家技术创新中心 长三角物理研究中心 中关村储能产业技术联盟 中国航天科技集团八院811所 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院上海微系统所 中国科学院物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中科院苏州纳米所 安徽工业大学 北京化工大学 北京理工大学 哈尔滨工业大学 河北科技大学 河南大学 华北理工大学 吉林大学 吉林师范大学 集美大学 江苏大学 内蒙古工业大学 山东大学 上海科技大学 天津大学 同济大学 新疆大学 郑州大学 中国科学技术大学 持续更新中......
2026-06-16 09:15:02【SMM公告】关于SMM不锈钢板块分类架构进一步升级优化的公告
尊贵的客户: 您好! 为了进一步提升您在SMM不锈钢板块获取价格信息的效率,并更清晰地呈现不同区域市场的价格趋势,SMM将于近期对不锈钢价格点分类标签进行全面升级。具体调整方案如下: 中文网站: 调整方案:在原有的分类(属性标签)新增 “ 300系不锈钢-欧洲 “。 价格迁移: 300系不锈钢-中国: 保留原目录中所有涉及中国境内市场的不锈钢价格点。 300系不锈钢-东南亚: 保留原目录下所有关于东南亚不锈钢(即印尼及马来西亚不锈钢)的价格点。 300系不锈钢-欧洲: 于6月15日上线的4个欧洲价格点( 304/2B 卷-毛边,CIF比利时、304/NO.1卷-毛边,CIF比利时、316L/2B卷-毛边,CIF比利时、316L/NO.1卷-毛边,CIF比利时 )统一归类在此新分类中。 英文网站: 调整方案:将原有的三级分类新增一个分类 ‘ Stainless Steel – Europe ’. 价格迁移: Stainless Steel – China: 保留原目录中所有涉及中国境内市场的不锈钢价格点。 Stainless Steel – Southeast Asia: 保留原目录下所有关于东南亚不锈钢(即印尼及马来西亚不锈钢)的价格点。 Stainless Steel – Europe: 于6月15日上线的4个欧洲价格点( 304/2B Coil Mill Edge ,CIF Belgium、304/NO.1 Coil Mill Edge,CIF Belgium、316L/2B Coil Mill Edge,CIF Belgium、316L/NO.1 Coil Mill Edge,CIF Belgium )统一归类在此新分类中。 上海有色网镍及不锈钢行业研究团队 2026年6月15日
2026-06-15 16:20:00钨退钼进 势不可挡?
近日,据韩国媒体The Elec报道,SK海力士已顺利完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证工作,并计划于今年年底前在韩国清州M15工厂正式实现量产。 这款产品最初在SK海力士内部被称为“400层级”NAND闪存,但因超高层数堆叠工艺面临的技术挑战,尤其是沟道孔蚀刻等关键制程难度指数级上升,最终将实际量产层数下修至375层。 然而,相较于层数的微调,真正令业界关注的关键变革,隐藏在一个细节里:这款375层NAND闪存首次在字线金属栅极中引入了钼(Mo)材料,取代了传统上已沿用了十余年的钨(W)薄膜。 然而,SK海力士的技术转向,并非孤例。 在此之前,三星电子、美光等存储巨头就已布局了采用钼材料的相关产品;全球半导体设备龙头泛林半导体也明确表态,钨向钼的技术切换,是高层数3D NAND演进的唯一可行路径。 随着行业巨头相继从钨转向钼,行业释放出一个清晰的信号:曾在存储芯片行业沿用十余年的钨材料体系迎来替代拐点。钼金属一跃成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存落地的核心关键材料。 在这场半导体材料革命中,为何全球存储巨头集体转向钼?相较于老牌导电金属钨,钼具备哪些不可替代的优势?这场材料替代风暴,又将如何重塑半导体材料产业链、改写全球行业的竞争格局? 为什么要“以钼代钨”? 要理解“以钼代钨”的缘由,首先需要理解3D NAND的技术演进逻辑。 众所周知,3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元来提升容量。随着层数的攀升,穿行于各层之间的字线数量同步激增,字线的线宽也在不断被压缩至纳米级的极限尺寸。字线是连接存储单元控制栅极、负责选择与操作特定行内存单元的核心线路,其材料性能直接决定了芯片的信号传输效率和存储密度。 回顾字线材料演变史:早期方案是多晶硅,因其电阻较高,从64层、96层起主流方案转向电阻率更低的金属钨。彼时,钨堪称材料层面的胜利,支撑了3D NAND从两位层数跨越到三位层数的黄金时期。 然而,当层数突破300+层大关时,电阻率高、阻挡层对到点空间挤占、长期可靠性隐患等传统钨材料的结构性缺陷暴露无遗。 因此,到如今300+层时代,钨在高层数NAND中彻底触碰到了其物理与工艺天花板,这一代材料红利已经被吃尽。 图源:东方财富 钨触顶、钼崛起,掀起新一轮材料竞赛 与此同时,在半导体领域仅作为溅射靶材、光刻掩模等辅助材料存在的钼,长期以来属于行业关注度极低的小众金属。而如今,钼凭借其独特的物理化学特性,正从边缘辅料逆袭为高层数存储芯片的核心功能性材料。 据了解,钼是一种难熔金属,密度约为钨的一半,熔点高达约2623°C,热膨胀系数低、导热率优异,这些特性使其天然适配高密度、高热量、高可靠性的芯片制造环境,早已在冶金、特种合金、光伏等领域广泛应用。而在半导体产业中,其经历了从边缘辅料到核心功能材料的完整转变。 从基础物理参数来看,钼与钨均属于高导电、高熔点金属,二者体相电阻率相差极小,钨约5.28μΩ·cm,钼约5.34μΩ·cm,宏观导电能力几乎持平。但进入纳米尺度——也就是3D NAND栅极、接触孔这类芯片微结构中,二者的性能差距被急剧放大,这也是高层数闪存选择钼的核心原因。 不同金属在不同厚度下的电阻率(图源:imec) 在芯片微缩结构内,钨的电阻率会随线宽减小、结构深宽比提升出现断崖式上涨,进而造成信号延迟、芯片功耗上升、发热加剧;而钼的电子平均自由程更短,在纳米尺度下电阻率增幅仅为钨的六成左右,能够长期维持稳定的导电性能。 同时,钨作为栅极材料,必须搭配TiN氮化钛作为阻挡层,防止金属扩散与漏电,这层辅料会持续占用堆叠空间。在375层、400层等高堆叠架构中,每层额外增设的阻挡层会持续挤占堆叠空间,累计占用30%-40%的有效结构厚度,直接锁死存储密度提升上限;钼则凭借优异的界面稳定性,无需额外增设阻挡层,这意味着在同等线宽条件下,钼字线的有效导电截面显著大于钨字线,等效导电性能的提升远高于单纯电阻率对比数据所带来的影响。在多层堆叠结构中可直接节省大量垂直物理空间,为存储密度提升腾出余地。 此外,在制程工艺适配性上,二者的差异同样显著。传统钨金属主要依靠CVD化学气相沉积工艺成膜,面对3D NAND动辄40:1以上的高深宽比孔道结构,CVD填充极易出现空洞、薄膜不均等缺陷,直接拉低产品良率;而钼完美适配当下先进制程主流的ALD原子层沉积技术,填充均匀性强、薄膜成型平整度与贴合度更高,能够完美匹配超高堆叠架构的制造要求。并且钼与二氧化硅等绝缘介质的粘附性更强,电迁移抗性更优,能有效降低芯片长期使用中的失效风险,大幅提升产品可靠性。 纵观钼材料在半导体行业的应用历程,其发展大致可分为三个阶段: 早期阶段,钼仅作为辅助材料存在,主要用于半导体溅射靶材、光刻掩模基材、封装散热部件等非核心环节,市场体量有限,行业关注度较低。 随着ALD沉积工艺、高纯金属提纯技术逐步成熟,钼前驱体实现商业化量产,钼开始小范围切入逻辑芯片接触孔、先进封装TSV硅通孔等场景,完成从辅料到功能材料的转型。 真正的爆发节点,正是3D NAND走向300层以上超高堆叠的时代,传统钨材料触及物理极限,钼顺势接棒,成为字线金属栅极的首选方案,正式跻身半导体核心材料行列。 一场由钼主导的半导体材料迭代浪潮已然开启,不仅将重构3D NAND技术演进路径,未来更有望重塑全球半导体材料产业链格局。 不止NAND,钼打开半导体多场景增量空间 NAND已是确定性爆发赛道 上文提到,NAND是钼材料当前最大、最确定的应用市场。随着存储巨头相继导入,钼的需求量级正在快速提升。 据行业测算数据显示,三星去年钼材料采购量约4吨,今年预计增至10吨,按照其技术路线的持续推进,预计2030年将达到80吨。SK海力士则从明年开始大规模导入钼工艺,初期年需求量约为4吨。需要注意的是,上述采购量仅是字线工艺方面的直接用量,若考虑靶材等更大口径的应用,实际需求不止于此。 DRAM:下一个增量市场轮廓已现 钼材料在DRAM领域的应用前景同样值得高度关注。事实上,NAND领域的钼前驱体供应商已在量产设备中展开相关布局,DRAM紧随其后引入钼材料已成大概率趋势。 钼在HBM领域的应用尤为值得注意。HBM通过垂直堆叠DRAM层来提升带宽,层数已达8至12层,HBM4规格更高。在如此高密度堆叠的场景下,钨的电阻高、氟残留、填充困难等短板被极致放大。 相比之下,钼电阻率比钨低30%至40%,无需TiN阻挡层,接触电阻降低约56%,良率更高。据市场信息,单颗HBM的钼靶用量约为普通DRAM的3至5倍,HBM4的钼渗透率已接近100%。随着三星、SK海力士、美光在HBM3e/HBM4产品中全面转向钼字线,DRAM领域对钼的需求正快速赶上NAND。 逻辑芯片的远期想象空间 从NAND到DRAM再到逻辑芯片,钼在半导体领域的应用路径正在形成清晰的传导脉络。 在逻辑芯片领域,钼正被积极探索作为铜互连的替代材料。铜互连在10nm以下先进制程中因表面散射和晶界散射而面临电阻率指数级上升的窘境,而钼的电子平均自由程远短于铜,在纳米尺度下受到尺寸效应的负面影响更小。另有研究指出,钼与钌在特定结构下的表现优于传统方案。 业内预期,逻辑芯片将在未来两到三年内开始逐步采用钼互连方案,这将把钼的市场空间从一个细分应用推向半导体材料的全局性变革。 从投资逻辑角度看,NAND赛道是当前最确定的机会窗口——存储巨头的技术路线图均已明确,钼需求呈指数级增长态势,而国内钼靶材企业进入存储大厂供应链的进程正在加速,国产替代的空间广阔。中期来看,DRAM和HBM领域的钼渗透率正在快速提升,将成为下一个重要的需求拉动极。长期而言,逻辑芯片互连方案的变革将为钼打开更大想象空间。 全球玩家跑马圈地,产业链价值重估 随着“以钼代钨”成为行业趋势,全球存储厂商的技术路线、产品迭代节奏开始出现分化,而上游材料、设备、耗材等配套产业链,也迎来了全新的市场增量与竞争格局。 先从存储厂商来看,三星的技术路线已相当清晰:已从2024年4月量产的第九代286层3D NAND开始,在金属布线工艺中引入钼;第十代400层以上产品将于今年下半年推向市场,钼材料的应用范围还将持续扩大。SK海力士紧随其后,其375层产品敲定今年年底量产,接下来将依次推出480层和604层产品,意味着钼材料在NAND领域的渗透率将持续走高。 美光则双线布局NAND与DRAM领域钼材料应用,探索复合金属技术路线,差异化抢占先进制程市场;相较之下,铠侠、西部数据相对保守,目前仍处于技术验证阶段,暂无明确量产规划。 向上游产业链延伸,这场材料变革正在带动整条半导体供应链的价值重估。 SK海力士的供应链体系中,法国液化空气集团(Air Liquide)、美国英特格(Entegris)与德国默克被确定为主要供应商。韩国本土企业SK Specialty也正积极入局,双方正在商讨其借用液化空气集团的配送基础设施来构建供应能力的方案。 在设备方面,据科创板日报披露,SK海力士在考察了泛林集团(Lam Research)和东京电子(TEL)的设备后,最终选择了后者的设备。泛林集团的设备采用单片晶圆处理方法,逐片处理晶圆;东京电子的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业,在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。三星选择的是泛林集团的沉积设备处理钼材料。 同时,在靶材领域,高纯钼原料与半导体钼靶材需求爆发,随着3D NAND层数持续提升、应用场景不断拓展,2026-2028年全球半导体级钼材料市场规模有望扩容4倍以上。有数据显示,全球电子级高纯钼靶材市场2025年销售额达到了77.52亿元,预计2032年将达到132.0亿元,年复合增长率为7.9%,增量空间巨大。国内企业正在加速追赶,并取得了一定突破。 其次,钼前驱体作为核心耗材,目前较为依赖海外进口,是国内材料企业攻坚的核心赛道。再者,适配钼制程的ALD设备需求持续攀升,国内设备厂商加速技术研发与客户验证,有望借助本轮材料迭代实现弯道超车。此外,钼制程配套的CMP抛光液、专用清洗液等电子化学品,也将迎来全新增量市场。 落到终端应用层面,钼材料带来的性能提升也将传导至下游全场景。例如搭载钼栅极的3D NAND闪存,读写速度可提升20%~30%,功耗降低15%~20%,单颗芯片存储密度提升30%以上。对于AI服务器、数据中心而言,更高密度、更低延迟的存储产品能够有效缓解高算力场景下的存储带宽瓶颈;对于智能手机、平板电脑等消费电子,可支撑终端轻薄化设计,同时大幅优化续航能力,助力终端产品迭代升级。 综合来看,本轮材料迭代对于国内半导体产业而言,是难得的国产化黄金窗口期。不同于传统制程追赶的代差壁垒,钼材料属于全新技术赛道,国内外产业研发、量产节奏基本同步,不存在绝对技术代差。同时,国内拥有全球领先的钼资源储量与成熟的基础钼产业集群,具备天然供应链优势。 上游可依托本土资源,攻坚高纯钼提纯、高端前驱体“卡脖子”技术;中游国产ALD设备可借助本轮量产浪潮完成客户验证,快速实现国产化替代;下游国内存储厂商可同步跟进钼材料技术路线,因此有望摆脱跟随式发展困境,实现弯道超车。 钼材料规模化量产的隐忧与挑战 虽然钼的技术优势全面碾压传统钨材料,但从实验室技术到规模化量产落地,仍面临多重产业化壁垒,这也是业界厂商仍处于验证阶段、尚未大规模量产的核心原因。 有行业专家向笔者表示,目前行业核心难点集中在材料提纯、前驱体制备、制程管控、产线适配等几大维度。 超高纯度提纯门槛高:半导体核心制程使用的钼材料,纯度需达到6N-7N(99.9999%-99.99999%),微量杂质就会引发芯片漏电、性能衰减、寿命缩短等问题。当前全球高端高纯钼原料、高纯钼前驱体市场,长期被默克、液化空气等海外巨头垄断,国内传统钼企多聚焦工业级产品,高端产品的稳定性、一致性仍需持续打磨。 前驱体输送与管控难度大:区别于气态氟化钨,主流钼前驱体常温下为固态,无法直接适配传统气态输送产线,生产时必须借助专用设备进行高温加热,同时精准把控物料的供给量与输送速率,对产线硬件改造、制程参数精细化管控提出极高要求,初期设备投入成本较高。 固态前驱体相比气态或液态前驱体在热稳定性和供料均匀性方面存在天然劣势,大晶粒钼薄膜的稳定沉积对集成成功至关重要,小晶粒钼的电阻率对厚度的依赖性与钨相当,会导致性能大打折扣。 imec等研究机构已多次发出警示:从材料体特性到实际器件性能之间存在显著落差,钼最终呈现的电学、热学和电迁移特性,完全取决于沉积薄膜的晶粒尺寸和晶界结构。不是任何“钼”都能实现低电阻——工艺方案的优劣决定了性能天花板的上限。 存量产线改造成本高: 原有面向钨CVD工艺的存储产线,无法直接适配钼ALD沉积工艺,企业需要新增设备、重构制程流程,前期资本投入压力较大。 薄膜工艺良率管控严苛: 钼ALD薄膜的厚度、均匀度、附着力对腔体温度、气压、气体流量等参数高度敏感,参数细微偏差就会导致批量产品质量波动,需要企业长期的工艺积累与量产打磨。 钼矿供应与价格波动风险: 随着钼在半导体领域的用量快速攀升,上游矿端资源供给的瓶颈问题日益突出。钼粉价格已出现大幅上涨,半导体用靶材钼的供需缺口预期将持续存在。若需求快速放量而矿端扩产滞后,钼价的剧烈波动可能对中游靶材厂商和下游芯片制造商的成本结构带来冲击。 从全球供需格局来看,钼资源的分布高度集中。若主要产区面临地缘政治或政策变动因素干扰,供应链安全性将面临考验。这既是挑战,也进一步强化了钼材料国产替代的投资逻辑。 针对上述壁垒,全产业链正循序渐进的探索破局路径,规避技术风险与改造成本压力,加速推动钼材料产业化落地。 还值得注意的是,“以钼代钨”本身并非技术演进的终点。 在半导体行业材料的竞逐中,钌(Ru)同样是备受关注的方向。钌的电阻率甚至低于钼,但其成本和工艺废料问题严重限制了大规模商业化应用的可行性。 如果能够解决成本和工艺废料问题,钌材料在高端场景中仍是颇具竞争力的挑战者。imec院士Tőkei曾指出:钼较钨有更优电阻率且无需阻挡层;较钌成本更低、附着力更好。 更重要的是,拓扑半金属等新材料方向也在快步进入研究视野。国内科研团队已在用二硫化钼这类二维材料探索芯片制造的可能性,而磷化钼等拓扑半金属在极细纳米线中的电阻率甚至低于铜,展现出令人瞩目的潜力。 这意味着,钼虽然在这一轮材料革命中占据了先机,但半导体材料竞赛的赛道还在延伸。对行业参与者而言,当前的关键在于将钼工艺尽快落地转化为产品优势;对投资者而言,则需在密切关注钼赛道的同时,保持对未来替代方案的前瞻性观察。 写在最后 当半导体制造走到物理极限的边缘时,创新的主体正在从架构设计与微缩制程,渐渐转移到材料和工艺的底层突破。 钼从实验室走向量产线,从三星的一条产线扩散到SK海力士的整厂改造,从NAND的字线推进到DRAM的HBM堆叠再到逻辑芯片的互连探索,标志着金属材料在整个半导体行业中正在被重估其战略价值。 传统上,业界习惯于将芯片性能的提升归功于摩尔定律驱动的晶体管微缩。然而在3D堆叠成为主流、二维微缩逼近极限的今天,材料革命正在成为延续半导体性能提升曲线的关键变量。 展望未来,“以钼代钨”已经不再是一个是否会发生的问题,而是一个以多快速度发生的问题。当这场材料变革全面铺开之后,下一个站上舞台中央的半导体关键材料,会是谁? 本文来源: 半导体行业观察
2026-06-15 09:48:18






