整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

  整条线由一个铜晶体组成叫单晶铜线。  单晶铜线具有优异的机械性能和超常的电学特性，在电子通信、音视频信号及网络传输，军事等领域具有十分广泛的应用前景，可广泛用于高保真音视频信号传输线、超高频信号传输线等，可较大地提高产品的相关技术性能。下面以单晶铜与多晶铜的对比来进一步说明单晶铜线的特性：1.单晶铜试样与多晶铜试样的电阻测量     类别                  单晶铜      多晶铜电阻率(×10-8Ω·m)        1.632        1.767导电率(IACS%)              105.6        97.562.单晶铜与多晶铜的力学性能对比试 样  抗拉强度(MPa)  屈服强度(MPa)   伸长率(%) 维氏硬度(HV) 断面收缩率(%）单晶铜 128.31         83.23          48.32     65            55.56多晶铜 151.89         121.37         26        79            41.22  想要了解更多关于单晶铜线的信息，尽请登陆上海 有色 网查询。 

人造单晶金刚石作为刀具材料，市场上能买到的目前有戴比尔斯(DE-BEERS)生产的工业级单晶金刚石材料。这种材料硬度略逊于天然金刚石。其它性能都与天然金刚石不相上下。由于经过人工制造，其解理方向和尺寸变得可控和统一。随着高温高压技术的发展，人造单晶金刚石最大尺寸已经可以做到8mm。由于这种材料有相对较好的一致性和较低的价格，所以受到广泛的注意。作为替代天然金刚石的新材料，人造单晶金刚石的应用将会有大的发展。

天然单晶金刚石是一种各向异性的单晶体。硬度达HV9000-10000，是自然界中最硬的物质。这种材料耐磨性极好，制成刀具在切削中可长时间保持尺寸的稳定，故而有很长的刀具寿命。     天然金刚石刀具刃口可以加工到极其锋利。可用于制作眼科和神经外科手术刀；可用于加工隐形眼镜的曲面；可用于切割光导玻璃纤维；用于加工黄金、白金首饰的花纹；最重要的用途在于高速超精加工有色金属及其合金。如铝、黄金、巴氏合金、铍铜、紫铜等。用天然金刚石制作的超精加工刀具其刀尖圆弧部分在400倍显微镜下观察无缺陷，用于加工铝合金多面体反射镜、无氧铜激光反射镜、陀螺仪、录像机磁鼓等。表现粗糙度可达到Ra(0.01-0.025)μm。     天然金刚石材料韧性很差，抗弯强度很低，仅为(0.2-0.5)Gpa。热稳定性差，温度达到700℃-800℃时就会失去硬度。温度再高就会碳化。另外，它与铁的亲和力很强，一般不适于加工钢铁。

     国际多晶硅 产业 概况 当前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料,其 市场 占有率在 90%以上,而且在 今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料.多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美,日, 德等 3 个国家 7 个公司的 10 家工厂手中,形成技术封锁, 市场 垄断的状况. 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池.按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级.其中,用 于电子级多晶硅占 55%左右,太阳能级多晶硅占 45%,随着光伏 产业 的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅 需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展。     1994 年全世界太阳能电池的总 产量 只有 69MW, 2004 年就接近 1200MW, 而 在短短的 10 年里就 增长了 17 倍.专家 预测 太阳能光伏 产业 在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一. 据悉,美国能源部计划到 2010 年累计安装容量 4600MW,日本计划 2010 年达到 5000MW,欧盟 计划达到 6900MW,预计 2010 年世界累计安装量至少 18000MW.从上述的推测分析,至 2010 年太 阳能电池用多晶硅至少在 30000 吨以上。     据国外资料分析报 道,世界多晶硅的 产量2005 年为 28750 吨,其中半导体级为 20250 吨,太阳能级为 8500 吨,半导体 级需求量约为 19000 吨,略有过剩;太阳能级的需求量为 15000 吨,供不应求,从 2006 年开始太阳能 级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大. 据日本稀有 金属 杂质 2005 年 11 月 24 日报道, 世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张, 主要是由于以 欧洲为中心的太阳能 市场 迅速扩大,预计 2006 年,2007 年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多 晶硅 价格 方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005 年世界太阳能电池 产量 约 1GW,如果以 1MW 用多晶硅 12 吨计算,共需多晶硅是 1.2 万吨,2005-2010 年世界太阳能电池平均 年增长率在 25%,到 2010 年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过 6.3 万吨. 世界多晶硅主要生产企业有日本的 Tokuyama,三菱,住友公司,美国的 Hemlock,Asimi,SGS, MEMC 公司,德国的 Wacker 公司等,其年产能绝大部分在 1000 吨以上,其中 Tokuyama,Hemlock, Wacker 三个公司生产规模最大,年生产能力均在 3000-5000 吨.     国际多晶硅主要技术特征有以下两点: (1)多种生产工艺路线并存, 产业 化技术封锁,垄断局面不会改变.由于各多晶硅生产工厂所用主辅 原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标,产品质量指标,用途,产 品检测方法,过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产 主要的传统工艺有:改良西门子法,硅烷法和流化床法.其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世 界总产能的 80%,短期内 产业 化技术垄断封锁的局面不会改变. (2)新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃.除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升 级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的低 价格 工艺;冶 金法从 金属 硅中提取高纯度硅; 高纯度 SiO2 直接制取; 熔融析出法 (VLD: Vaper to liquid deposition) ; 还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si 溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等.     国内多晶硅 产业 概况 我国集成电路的增长,硅片生产和太阳能电池 产业 的发展,大大带动多晶硅材料的增长. 太阳能电池用多晶硅按每生产 1MW 多晶硅太阳能电池需要 11-12 吨多晶硅计算,我国 2004 年多 晶,单晶太阳能电池 产量 为 48.45MW,多晶硅用量为 678 吨左右,而实际产能已达 70MW 左右,多晶 硅缺口达 250 吨以上. 2005 年底国内太阳能电池产能达到 300MW, 到 实际能形成的 产量 约为 110MW, 需要多晶硅 1400 吨左右,预测 到 2010 年太阳能电池 产量 达 300MW, 需要多晶硅保守估计约 4200 吨, 因此太阳能电池的生产将大大带动多晶硅需求的增加,见表 3. 2005 年中国太阳能电池用单晶硅企业开工率在 20%-30%,半导体用单晶硅企业开工率在 80%- 90%,都不能满负荷生产,主要原因是多晶硅供给量不足所造成的.预计多晶硅生产企业扩产后的 产量 , 仍然满足不了快速增长的需要. 2005 年全球太阳能电池用多晶硅供应量约为 10448 吨,而 2005 年太阳能用硅材料需求量约为 回收单晶硅公司 15953101283 提供 22881 吨,如果太阳能电池用多晶硅需求量按占总需求量的 65%计,则太阳能电池用多晶硅需求量约为 14873 吨, 这样全球太阳能电池用多晶硅的 市场 缺口达 4424 吨. 2005 年半导体用多晶硅短缺 6000 吨, 加上太阳能用多晶硅缺口 4424 吨,合计 10424 吨,供给严重不足,导致全球多晶硅 价格 上涨.目前多 晶硅 市场 的持续升温,导致各生产厂商纷纷列出了扩产计划,根据来自国际光伏组织的统计,至 2008 年 全球多晶硅的产能将达 49550 吨,至 2010 年将达 58800 吨.预计到 2010 年全球多晶硅需求量将达 85000 吨,缺口 26200 吨.    从长远来看,考虑到未来石化能源的短缺和各国对太阳能 产业 的大力支持, 需求将持续增长.根据欧洲光伏工业联合会的 2010 年各国光伏 产业 发展计划预计,届时全球光伏 产量 将 达到 15GW(1GW=1000MW) ,设想其中 60%使用多晶硅(包括多晶硅和单晶硅)为原材料,如果技术进步每 MW 消耗 10 吨 多晶硅,保守估计全球至少需要太阳能多晶硅 5 万吨以上. 与国际水平相比,国内多晶硅生产物 耗能耗高出 1 倍以上,产品成本缺乏竞争力.  

单晶硅多晶硅都是硅的一种形态。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。想要了解更多单晶硅多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

单晶硅 多晶硅.首先要了解两者的本质和性质。单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。接下来了解两者的性质。单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准 金属 的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。多晶硅：灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。想要了解更多单晶硅 多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

1、外观上的区别外观上面看的话，单晶硅电池片的四个角呈现圆弧状，表面没有花纹；而多晶硅电池片的四个角呈现方角，表面有类似冰花一样的花纹。2、使用上面的区别对于使用者来说，单晶硅电池和多晶硅电池没有太大的区别，它们的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅电池平均转换效率要比多晶硅高1%左右，但由于单晶硅电池只能做成准正方形（四边都是圆弧状），因此当组成太阳能电池板的时候就会有一部分面积填不满；而多晶硅是正方形，所以不存在这样的一个问题。3、制造工艺多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保！

太空中的单晶硅      遥望星空，茫茫宇宙，探索太空是人类几百年的梦想。人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。航天飞机、宇宙飞船、人造卫星都要以单晶硅作为必不可少的原材料。航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。离开单晶硅，卫星会没有能源，没有单晶硅，航天飞机和宇航员不会和地球取得联系，单晶硅作为人类科技进步的基石，为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。火星上的单晶硅    当今，“火星热”在全世界范围内掀起了浪潮，仅在今年，人类就有三颗探测器在火星表面登陆，先是欧州航天局的“猎兔犬”号，接着就是美国的“勇气”号和“机遇”号的两次难度最高、惊心动魄的人工智能控制着陆。现在，两辆火星探测车正在火星表面进行漫步，在地球上的工程技术人员控制下进行火星探测，已经发回了大量珍贵的火星探测数据，甚至还发现了火星曾有水存在的证据，这在人类探索宇宙的历程上无疑是一个里程碑。    火星探测器进行所有的探测活动所需的能源都是由探测器上携带的太阳能电池板转化太阳能得来的，太阳能电池板把太阳能转化为电能，供给火星探测器使用。这样，火星探测器可以在距离地球数千万英里之外的火星上接收来自地球的控制信号，进行一系列复杂的探测活动。这些能源的来源都是以单晶硅为材料制成的太阳能转换器，火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光，探测器白天休息——利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来，晚上则进行科学研究活动。也就是说，只要有了单晶硅，在太阳光照到的地方，就有了能量来源。你身边的单晶硅    不知道你发现了没有，在你的日常生活里，单晶硅可以说是无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中各个角落。    ２1世纪是材料的世纪，科学技术的飞速发展给人们的生活带来了日新月异的变化，而每一项科学技术的应用与普及都与单晶硅有着密不可分的关系，单晶硅作为科技基础材料已经成为科技发展的基石和人们日常生活中必不可少的一部分。

钨是战略资源，是我国的丰产元素和保护矿种。长期以来，我国出口钨的初级产品，进口高端产品，出口产品的价格仅为进口产品的1％，与我国的经济发展要求极不适应。为加快钨新材料研发进程，实现钨产品由初级向高技术含量、高附加值产品的转变，使我国钨资源优势转化为经济优势，研究高性能钨材料的制备技术具有重要的现实意义和发展前景。     由于遗传关系，仲钨酸铵(APT)的晶体特性，如晶体形貌、平均粒度和粒度分布、松装密度和流动性对后续粉末冶金产品－钨粉、钨丝和钨合金的材料性能影响极大。单晶APT因其具有优良的物理性能，是生产高性能钨材料的理想原料。首先，单晶APT粉体具有良好的流动性，由单晶APT经焙烧－氢还原制取的钨粉，在压制过程中因滑动磨擦阻力小，坯料的空洞缺陷明显降低，加工材料的力学性能大幅度提高。由于抗拉、抗断裂性能好，拉制过程钨丝的成品率为90％，而以多晶APT为原料生产的钨丝其成品率仅为70％。因此，单晶APT成为生产车用高品质钨丝的必选粉体原料。此外，单晶APT粉体具有较高的松装密度，坯料中晶粒间隙小而均匀，力学缺陷少，压实密度高，以其制取的合金材料其抗压、抗剪力、抗冲击性能优良。如以单晶APT制取的顶锤寿命是以多晶APT制取的2～3倍。由于配重作用大，单晶APT是生产装甲弹、高密度合金、微钻、数控刀片等高性能钨材料的优良粉体原料。     因此，单晶APT粉体的制备技术及其制备原理的研究，是一关键课题。国内外现有的对APT性能的研究，较多的是关注工艺条件与仲钨酸铵的粒度、粒度分布、松装密度和流动性等晶体特性的关系。笔者在探明单晶APT结晶原理基础上，研究了结晶装置、搅拌转速、温度等因素对仲钨酸铵团聚的影响。     一、试验部分     （一）试验原料及试剂     (NH4)2WO4溶液：为黑钨矿精矿经碱溶、离子交换法除杂净化转型后所得溶液，其ρ（WO3）＝285.66 g/L，pH＝9.80，c（Cl－）＝2.5mol/L，Mo、Si、P、As杂质微量。     试验过程中，溶液结晶至初始溶液体积的40％。     （二）试验仪器     DF－1集热式恒温磁力搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；5312数显搅拌器（江苏金坛市中大仪器厂）；0.1mg电光分析天平（成都科学仪器厂）；721型分光光度计（上海精密科学仪器有限公司）；SFC－100FL麦克奥迪显微镜；红外线快速干燥器。     （三）试验装置    试验装置如图1所示。图1  制备球形仲钨酸铵的蒸发结晶装置     二、单晶仲钨酸铵的制取机理     晶粒团聚的先决条件是接触。晶粒的接触方式有2种：一是沉积于结晶器底部的堆积接触；二是悬浮于结晶溶液中的碰撞接触。其中，碰撞接触的机会大小与结晶器内流体的流动方式和溶液中固体颗粒的浓度有直接关系。     堆积接触可以通过搅拌使晶体颗粒悬浮而避免，因此，在保证晶粒处于悬浮前提下，降低以至消除晶粒在溶液中运动碰撞的机会是制取仲钨酸铵单粒晶体的前提。     由于搅拌装置和搅拌转速不同，晶粒在运动中碰撞的机会有很大不同。根据研究，在横截面为圆形的结晶器中，流体围绕搅拌轴做圆周同心层流运动时，晶粒碰撞机会最小。     流体运动是层流还是紊流，取决于流速，即搅拌速度。搅拌越慢，流体偏离紊流越远。因此，在保证晶粒不沉积的前提下，搅拌转速越慢越好。     APT晶粒的沉降速度与其粒度有关。粒度越大，越易沉降，维持其保持悬浮状态所需的转速越快。因此，结晶过程根据晶粒长大的情况，对搅拌转速进行由慢到快的控制，确定不同粒径范围，APT晶粒既不沉积也不碰撞的最佳转速是制取单粒晶形APT的技术关键之一。     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会也与单位体积晶液中颗粒多少（即固相浓度）、晶粒大小有关。根据前期研究结果，在起始钨酸铵溶液浓度相同条件下，降低结晶前期溶液温度、搅拌转速是降低成核数量（即降低固相浓度）和晶粒生长速度（即降低晶粒粒径）、减少APT晶粒碰撞、制取单粒晶形APT的技术关键之二。     三、结果和讨论     （一）结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响     反应条件：搅拌转速70 r/min，结晶温度95℃。定性考察结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响。     结晶装置均为横截面为圆形的结晶器。根据仲钨酸铵结晶动力学理论及流体力学原理，这种结晶装置中，流体围绕搅拌轴作圆周运动，相同半径点的流体速度基本一致，基本实现流体层流。研制的结晶器与普通结晶器流体流动状态显著不同，如图2所示。图2  不同结晶器中流体的流动状态     基于上述原理，对搅拌浆进行改进。装置分为A、B、C 3种。A未进行改进，B、C分别为改进1和改进2装置。试验结果见表1。可见，经过改进的结晶装置，所得APT粉体单晶率明显升高。以下试验均在C装置中进行。 表1  结晶装置对仲钨酸铵团聚的影响结晶装置APT粉体单晶率/%APT粉体粒度/μmAPT粉体松装密度/（g·cm－3）A46462.2B78351.8C85422.1     （二）搅拌转速对仲钨酸铵团聚的影响     结晶温度95℃，试验结果如图3所示。图3  搅拌速度对APT粉体团聚的影响     由图3可知：1、低搅拌速度下所得APT的单晶率较低，转速为30 r/min时，单晶率为62％。这是因为搅拌转速较慢时，APT颗粒在溶液中不能充分悬浮于溶液中，而是以堆积方式沉积于结晶器底部，这必然导致APT团聚现象发生。随着搅拌速度提高，APT团聚现象逐步得到缓解，因而APT单晶率逐步提高，并在70～90 r/min时达到最佳值，此时单晶率在86％左右。     2、随着搅拌转速的进一步提高，APT单晶率逐步下降。这是因为搅拌转速的提高必然导致结晶器内溶液的流动状态从层流变为紊流，紊流状态使悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞接触机会加大，从而导致APT团聚现象发生。     3、可以得出结论：搅拌转速70～90r/min是一个分界点。低于70r/min，溶液中的APT颗粒有部分因搅拌力不足而沉积团聚；在此范围内，溶液中的APT颗粒基本悬浮于溶液中；大于90r/min，溶液搅拌加剧，悬浮于溶液中的APT颗粒碰撞加剧而团聚。因而，从结晶的整个过程来看，搅拌转速应控制在70～90r/min范围内。     （三）搅拌转速对不同时期仲钨酸铵团聚的影响     从结晶局部过程来看，搅拌速度70～90r/min并非为最佳值。如前所述，最佳搅拌速度是在保证APT晶粒不沉积前提下越慢越好。但在结晶不同时期，由于晶粒的数量和大小是不同的，因而保证APT晶粒不沉积的最慢转速也不同。因此，有必要进一步探索不同结晶时间时维持层流和阻止晶粒沉积的最佳转速。     结晶从开始到结束，APT颗粒的大小应该呈总体增大趋势，因而搅拌速度在结晶初期可以取较小值，随着结晶过程的进行，搅拌速度应逐步提高。在结晶后期，搅拌转速达到70^90 r/min总体最佳值。     结晶时间取3个点：晶核出现前，晶核出现时和晶核出现后1h。对于时间点1，取转速分别为10，20，30r/min；对于时间点2，取转速分别为30，40，50r/min；对于时间点3，取转速分别为60，70，80r/min；结晶温度为95℃。在此条件下进行正交试验。试验结果见表2。 表2  不同结晶时期搅拌转速对APT团聚的影响试验序号时间点1时间点2时间点3APT单晶率/%120406089230507093340608091420508092530606088640407092720607091830408092940506090     由表2可知：2号试验所得产品单晶率最高，即晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期，搅拌转速控制在70～90r/min范围内。在此条件下，所得产品APT单晶率达93％。     结晶后期指的是溶液中不再形成新的晶核，即溶液的过饱和度达到了最低值。据测算，这个点溶液的密度为1.116～1.125g/cm3。结晶后期到结晶结束，仍有5～6h的结晶时间，但这段时间工艺条件的改变对APT单晶率影响很小，因为这段时间晶体已经长的比较大了，相互的碰撞不再易于团聚。     （四）温度对仲钨酸铵团聚的影响     APT晶粒在结晶过程中的碰撞机会与单位体积溶液中颗粒数量的多少也有关系。如上所述，对APT单晶率影响最大的阶段是结晶前期，即从成核开始至成核结束。因此，着重研究了结晶前期不同温度对APT单晶率的影响。溶液温度仍取95℃，加速加热以缩短周期；成核终了至结晶结束，温度仍控制在95℃。     试验条件：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现后1h，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶终了，搅拌转速为80r/min。结晶前期，改变蒸汽温度，试验结果如图4所示。图4  结晶温度对APT粉体单晶率的影响     由图4可知：适当降低结晶前期的温度，APT粉体的单晶率有较大的提升空间，但温度不能降低得太多；温度为80℃时，APT单晶率达到最佳值，为96％；进一步降低温度，晶体成核率过低，晶体长大速度过快，晶粒粗大，反而对APT粉体单晶率有负面影响。     四、验证试验     根据上述试验结果，在最佳工艺条件下进行验证试验。结果表明，APT粉体单晶率大于95％，松装密度1.5～3.0 g/cm3，费氏粒度在30～60μm之间，霍尔流动性30～50s/50g。产品单晶电镜扫描图如图5所示。图5  单晶APT电镜扫描图     五、结论     采用改进的结晶装置，APT粉体单晶率明显提高。这种改进主要体现在搅拌浆上，可以促进结晶器内溶液层流的实现。所研发的单晶APT粉体制备流体层流控制技术及装置，可有效减少晶粒间的碰撞，使制备出的单晶APT粉体单晶率达90％以上。     APT粉体最佳结晶条件为：晶核出现前，搅拌转速为30r/min；晶核出现时，搅拌转速为50r/min；晶核出现1h后，搅拌转速为70r/min；结晶后期至结晶结束，搅拌转速为70～90r/min；适当降低结晶前期温度，APT粉体单晶率有较大提升空间，在结晶温度为80℃时达到最佳值，单晶率为96％。

金線: 使用最廣泛,傳導效率最好但是價格也最貴,近年來已有被銅線所取代鋁線: 多半用在功率型元件的封裝, 線徑較粗 有5mil ~ 20mil銅線 : 由於金價飛漲, 近年大多數封裝廠積極開發銅線製程降低成本           銅線在製程中需要較多的能量才能BONDING 所以WAFER在製程中           必須增加DIE PAD的厚度以避免PEELING  三种线之间的对比。金线：不用多做介绍，性能稳定， 价格 高，在高端封装领域永远都是主流；比如INTEL成都，打BGA，既然是牌子，人家还在乎这点金线的成本？铝线：在分立器件上因为功率的原因也会长期占据 市场 ；比如济南晶恒，规模也比较大，用铝线效益也很好；铜线：从2000年开始都十年了， 价格 也低，性能将就的说的过去，好不容易打开局面了，但是就是有人不买铜线的账啊；金线的废旧产品，回收站回收以后还可以提炼出金子来，用你的铜线，废了也就废了，浪费资源；铜线对目前国内的部分封装厂来说，在中低端产品上还是用的实惠的；银线：目前为止，还没有纯银线，不过最近出来一种银的合金线，性能较铜线也好， 价格 比金线要低，也得用保护气体，对于中高端封装来说，不失为一个好选择。

  银铜线的一个较大的特点是它的导流能力较强，它在电气化铁路上有着广泛的用途。  纯银是一种美丽的银白色的 金属 ，它具有很好的延展性，其导电性和传热性在所有的 金属 中都是最高的。   元素用途：  用于制合金、焊药、银箔、银盐、化学仪器等，并用于制银币和底银等方面。  银的最重要的化合物是硝酸银。在医疗上，常用硝酸银的水溶液作眼药水，因为银离子能强烈地杀死病菌。 价格 一般在3元左右/克,纯度为999。硝酸银见光或遇有机物就分解出银。银如果是极小颗粒就呈灰黑色。这种化合物用于镀银或制造其他银的化合物，化合物AgBr（溴化银）是相机底片的主要成分，化合物AgI（碘化银）成粉末状撒入云层，可以起到人工降雨的效果。  在音频领域上常应用于信号线的制作，在铜线上镀银，或者直接银线跟铜线混合，这样有利于音频信号传输，特别是中高频率的信号，人耳听感上的差异是银线高中频解析上面铜线来的快，质感更好，但低频信号却锐减，所以线材搭配上一般采用银铜线捆绑。  想要了解更多关于银铜线的信息，请继续浏览上海 有色 网。 

多晶硅在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。多晶硅作用包括电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。　　硅单晶按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)单晶与有坩埚直拉(CZ)单晶。区熔单晶不受坩埚污染，纯度较高，适于生产电阻率高于20欧•厘米的N型硅单晶（包括中子嬗变掺杂单晶）和高阻 P型硅单晶。由于含氧量低，区熔单晶机械强度较差。大量区熔单晶用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等器件。直接法易于获得大直径单晶，但纯度低于区熔单晶，适于生产20欧•厘米以下的硅单晶。由于含氧量高,直拉单晶机械强度较好。大量直拉单晶用于制造MOS集成电路、大功率晶体管等器件。外延片衬底单晶也用直拉法生产。硅单晶商品多制成抛光片，但对FZ单晶片与CZ单晶片须加以区别。外延片是在硅单晶片衬底（或尖晶石、蓝宝石等绝缘衬底）上外延生长硅单晶薄层而制成，大量用于制造双极型集成电路、高频晶体管、小功率晶体管等器件。　　电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。硅是 产量 最大、应用最广的半导体材料，多晶硅作用应得到推广。它的 产量 和用量标志着一个国家的电子工业水平。

    多晶硅英文polycrystalline silicon,多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。   多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。   高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏 产业 的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏 产业 主要原材料。   随着信息技术和太阳能 产业 的飞速发展，全球对多晶硅polycrystalline silicon的需求增长迅猛， 市场 供不应求。世界多晶硅的 产量 2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15600吨，供不应求。 

近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅和多晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术 产业 的发展，成为当代信息技术 产业 的支柱，其产生的废料，正引起越来越多的关注和重视。目前国内大部分单多晶硅废料供应 价格 如下：　　单晶硅废料供应：单晶硅棒/单晶硅废料/单晶硅片/裸片/抛光片等。　　单晶硅裸片/P型/电阻:0.5以上/40元/片　　单晶硅抛光片/P型/电阻:0.5以上/38元/片　　单晶硅方棒/P型/电阻:0.5以上/1800.00元/公斤　　单晶硅圆棒/P型/电阻:0.5以上/2000.00元/公斤　　单晶硅废料/P型/电阻:0.5以上/太阳能级/1000.00元/公斤　　多晶硅 现货价格 让下游无法承受。按照目前10g/W的消耗量计算，如果全部用 现货市场 300$/kg的原料，则每瓦的硅料成本就有3$/W。半导体废片和多晶硅废料/边角料的 价格 都在170$/kg以上。　　更多单多晶硅废料 价格 详见上海 有色 网。

根据搜索结果，您可能要找的是“铝箔”的相关信息。铝、铂是两种不同族的 金属 元素。铝箔（铂），一种用 金属 铝直接压延成薄片的烫印材料，其烫印效果与纯银箔烫印的效果相似，故又称假银箔。由于铝的质地柔软、延展性好，具有银白色的光泽，如果将压延后的薄片，用硅酸钠等物质裱在胶版纸上制成铝箔片，还可进行印刷。但铝箔本身易氧化而颜色变暗，摩擦、触摸等都会掉色，因此不适用于长久保存的书刊封面等的烫印。铝箔（铂）因其优良的特性，广泛用于食品、饮料、香烟、药品、照相底板、家庭日用品等的包装材料；电解电容器材料；建筑、车辆、船舶、房屋等的绝热材料；还可以作为装饰的金银线、壁纸以及各类文具印刷品和轻工产品的装潢商标等。在上述各种用途中，能最有效地发挥铝箔性能点的是作为包装材料。铝箔（铂）是柔软的 金属 薄膜，不仅具有防潮、气密、遮光、耐磨蚀、保香、无毒无味等优点，而且还因为其有优雅的银白色光泽，易于加工出各种色彩的美丽图案和花纹，因而更容易受到人们的青睐。特别是铝箔与塑料和纸复合之后，把铝箔的屏蔽性与纸的强度、塑料的热密封性融为一体，进一步提高了作为包装材料所必需的对水汽、空气、紫外线和细菌等的屏蔽性能，大大拓宽了铝箔的应用 市场 。由于被包装的物品与外界的光、湿、气等充分隔绝，从而使包装物受到了完好的保护。尤其是对蒸煮食品的包装，使用这种复合名箔的材料，至少可以保证食物一年以上不变质。而且，加热和开包都很方便，深受消费者的欢迎。更多关于铝、铂 金属 的内容，尽在上海 有色 网~~~

 金属硅粉加工及单晶硅切片项目获备案  发布时间：2008-01-15  所 在 地：河南  行    业：化工医药  进展阶段：核准  摘    要：  项目需求：  项目名称：洛阳市博明硅材贸易有限公司金属硅粉加工及单晶硅切片项目建设规模：项目计划占地约8亩，建设厂房、办公楼、质检中心及附属设施3000平方米，新建金属硅粉加工生产线一条，单晶硅切片生产线一条，金属硅粉生产工艺为：金属硅—水洗—精选—研磨—分装，主要设备：粉碎机、雷蒙磨等；单晶硅切片生产工艺为：单晶硅生长棒—切断、外径滚磨、平边或V型槽处理—切片—倒角—研磨、抛光—包装，主要设备有：内、外圆切割机、双面研磨机、切片机、抛光机等。产品用途广泛，具有良好的市场前景。  总投资及资金来源：  投资总额：1000万元  企业自筹：1000万元  项目法人名称：洛阳市博明硅材贸易有限公司  工业硅粉又称金属硅粉，是银灰色或黑色粉末，有金属光泽。其熔点高，耐热性能好，抗氧化性高，电阻率高，具有高度抗氧化作用，被称为“工业味精”，是很多高科技产业的不可缺少的基础原材料。  更多关于金属硅粉加工的资讯，请登录上海有色网查询。 

硅有无定形和晶体两种同素异形体。晶体硅具有金刚石晶格，硬而脆，密度2.4，熔点1420℃，沸点2355℃。无定形硅是一种灰黑色粉末，实践是微晶体。晶体硅的电导率不及金属，且随温度升高而添加，具有显着的半导体性质。　　硅在常温下不生动，与空气、水和酸等没有显着效果；在加热下，能与卤素反响生成四卤化硅；650℃时硅开端与氧彻底反响；硅单质在高温下还能与碳、氮、硫等非金属单质反响；硅可直接生成一系列硅的氢化物；硅还能与钙、镁、铁等化合生成金属硅化物。超纯的单晶硅可作半导体材料。粗的单晶硅及其金属互化物组成的合金，常被用来增强铝、镁、铜等金属的强度。　　自然界中的硅以含氧化合物的方式存在，硅与氧结组成二氧化硅，与金属结合生成金属的硅酸盐。首要的硅矿藏为石英和硅石，一般的硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、金属和单晶。　　工业上，通常是在电炉中由碳复原二氧化硅而制得金属硅，化学反响方程式：SiO2 + 2C → Si + 2CO，这样制得的硅纯度为97-98%，叫做金属硅。再将它消融后重结晶，用酸除掉杂质，得到纯度为99.7-99.8%的金属硅。用作半导体的超纯硅的制法则是先用纯度不高的硅与氯化氢和的混合物效果，制取三氯氢硅，并用精馏法提纯。然后在复原炉内用纯氢将三氯氢硅复原，硅就堆积在用超纯硅制成的细芯上，这样制得的超纯硅称为多晶硅，把它放在单晶炉内，就可拉制成单晶硅。　　单晶硅的出产工艺首要有直拉法、区熔法和外延法。直拉法适宜于成长低电阻大直径的单晶，其径向杂质散布均匀，适协作低压硅器材和集成电路的材料。区熔单晶径向杂质散布均匀性较直拉法差，但氧、碳含量低，用高阻区熔单晶通过中子辐照能够得到杂质散布均匀性适当满足的单晶材料，适宜于制作高压大功率器材。衡量单晶质量的参数首要有导电类型、晶向电阻率及其均匀性、位错密度、补偿度等。影响单晶质量的关键因素是晶格缺点和杂质。　　因为硅的资源非常丰厚，易于提纯，报价便宜，并且硅器材易于完成平面工艺，具有效率高、寿命长、体积小、导热好、耐高温、可靠性高档长处，大多数半导体器材都选硅作质料。硅首要用于制作各种集成电路、晶体管及电力电子器材，后者包含大功率的整流管、晶闸管、晶体管及各种派生器材，已广泛用于机械、冶金、电力、矿山、交通运输、航天、化工等各个领域。硅晶体管和集成电路首要用于无线电设备、电信设备、自动控制系统、计算机、航天等各个领域。此外，还可制作太阳能电池，用作航天飞机、人造卫星、无人灯塔等的电源。　　硅还用来出产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅。硅橡胶弹性好，耐高温，用于制作医疗用品、耐高温垫圈。硅树脂用于出产绝缘漆、高温涂料等。硅油是一种油状物，其粘度受温度的影响很小，用于出产高档润滑剂、上光剂、流体绷簧、介电液体等，还可加工成无色通明的液体，作为高档防水剂喷涂在建筑物表面。　　在钢铁工业中，硅铁用作合金添加剂，在多种金属冶炼中用作复原剂。硅铝合金用量最大，是一种强复合脱氧剂，在炼钢过程中替代纯铝可进步脱氧剂利用率，并可净化钢液，进步钢材质量。硅铝合金密度小，热膨胀系数低，铸造功用和抗磨功用好，用其铸造的合金铸件具有很高的抗冲击才能和很好的高压细密性，可大大进步使用寿命，常用其出产航天飞行器和轿车零部件。　　冶炼铝合金时参加少数的纯度为98%的冶金级硅可大大改进铝合金的功用。硅铜合金具有杰出的焊接功用，且在受到冲击时不易发生火花，具有防爆功用，可用于制作储罐。钢中参加硅制成硅钢片，能大大改进钢的导磁性，下降磁滞和涡流丢失，可用其制作变压器和电机的铁芯，进步变压器和电机的功用。

收购是指一个企业或个人收购全部或部分货物的方式购买了另一个企业或个人的全部或部分所有权.而收购多晶硅就是收购的产品对象是多晶硅.  多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。灰色 金属 光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 　　多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。　  在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。  收购多晶硅时,需要注意写清产品信息,基本包裹所需产品的型号 品种 要求.以便卖家了解到足够信息提供货源. 

太阳能硅片切割液废砂浆（以下简称废砂浆）是硅片切割的必然产物，废砂浆是多种物质组成的混合物，其组成为：聚乙二醇35%；碳化硅微粉33%；单晶硅微粉9%；水5%和组成切割液的其它物质15%；有机胶粒；二氧化硅； 金属 及 金属 离子；破碎的碳化硅微粉（色素和有机胶粒以及 金属 及 金属 离子和破碎的碳化硅微粉3%）。其中最有价值也是最难回收的是单晶硅微粉。一、废砂浆中单晶硅微粉的产生集成电路用基板、太阳能电池用基板的薄片状产品的切割制备，采用多线切割原理，用钢丝带动由碳化硅磨料构成的砂浆对高纯度的单晶硅或多晶硅棒进行切割。在切割硅棒为硅片的同时也产生了一定量的硅屑，随着切割过程的进行，混入切割液中的硅屑越来越多，最终使砂浆的切割性能降低，导致获得的硅片精度恶化，硅屑的产生不仅影响了切割液的使用，还使硅棒的使用率下降。作为战略资源，在我国高纯度硅的95%需要进口，其主要原因是我国还无法规模化将工业硅加工成高纯度的多晶硅。而废的切割砂浆里面混有8～9%（重量）的高纯硅粉料，在硅棒切割加工过程中高纯硅棒的切割损失率高达40%（重量），这也是硅片成本高居不下的原因之一。二、废砂浆中各组分的价值1、每吨废砂浆中含有8%～9%（重量）的高纯硅，也就是含有80～90公斤的单晶硅，目前单晶硅 市场价格 为50万元/吨，因此，废砂浆中的单晶硅价值为4万～4.5万元。2、每吨废砂浆中含有35%的聚乙二醇，也就是含有350公斤的聚乙二醇，目前 市场 价为1.3万元/吨,因此,废砂浆中聚乙二醇的价值为0.4550万元。3、每吨废砂浆中含有33%的碳化硅微粉，即330公斤的碳化硅，目前碳化硅的 市场 价为1.5万元/吨,因此,废砂浆中的碳化硅价值为0.4950元/吨。可以看出,废砂浆中各物质的价值以单晶硅为最大。三、废砂浆中单晶硅回收的重要性从单晶硅的产生和价值分析可以看出, 回收废砂浆中的单晶硅意义非凡。1、将切割砂浆中的高纯硅粉提取出来，进一步用于制备单晶硅或多晶硅的原料，对于资源的有效利用将是一个重要贡献，还可以解决高纯度硅的资源短缺问题。2、降低了硅片的成本。3、为废砂浆的回收指明了方向。    

很多朋友都认为铝合金电镀较主要的问题还是镀层结合力的问题，特别是所加工生产的铝合金电镀件种类繁多、结构复杂，问题就突出反映在铝铸造件的内腔、凹槽、背面、盲孔和螺牙孔的四周等处。     综上所述有，铝合金电镀前处理附着力问题主要有以下原因造成：     (1)铝合金电镀件的内腔孔径过小且太深，这样镀液与清洗液在工件内部流动与循环量少，这样，产品的内孔槽周边前处理工作就做的很不彻底，如此，该处镀层结合力就差或无结合力;而产品根部夹角与直角，这些地方都存在界面张力而导致无法清洗干净，这时得到的镀层是没办法保障有好的结合力的。     (2)在前处理过程中，由于酸碱液的浸蚀作用，尤其是表面粗糙多孔油的表面更不易彻底清洗干净，后期在电镀加工时夹缝内与微粒孔表面的溶液返吐出就一定会影响深沉积层的质量。     2针对性铝合金电镀的工艺前处理部分的改进方案     根据对铝合金电镀工艺过程反复试验发现，电镀面的夹角与夹缝在酸碱溶液中是可以得到有效的处理，但是为何问题多次重复出现?这主要还是由于铝合金电镀加工时在前处理水清洗时对电镀件的粗糙面、夹角、夹缝的污垢清洗不彻底造成的。     为了解决铝合金电镀常规前处理清洗中存在的问题，我们反复试验了多种水清洗方法，较后总结出，在既保证镀层质量又经济高效的条件下，我们在靠前沉锌和第二次浸锌前各增加一道超声波震荡水清洗，更进后的铝合金电镀工艺流程：     碱蚀一水洗一酸洗一水洗一超声波清洗一一次浸锌一水洗一酸洗一水洗一超声波清洗一二次浸锌。     3工艺改进     3.1铝合金电镀过程中水清洗方式改进     3.2引入超声波清洗进行铝合金电镀加工生产应用中。     我们知道由于超声波具有很强的穿透能力，对有复杂形状、内腔、细孔工件均有良好的清洗效果，是其它清洗方法无法比拟的。     (1)铝合金电镀中使用超声波清洗原理。     超声波清洗的基本原理是“空化”效应。在超声波产生“空化”效应的过程中，形成超过100MPa的瞬问高压冲击波，对介质溶液产生激烈的搅拌作用。“空化”效应持续在工件表面和清洗液的界面附近，把黏附在工件表面的污物撞击下来。     (2)铝合金电镀加工生产中超声波设备选型及参数设计。     ①超声波设备。近年来，国内专业生产超声波设备的企业不断涌现，专门用于表面处理领域的超声波清洗机已有多款面市。我公司是在现有铝合金自动镀银线进行技术改造，在一、二次浸锌槽前各增加一个超声波清洗槽，槽体尺寸为1500mm×1000mm×1000mm，槽体为PP材料。根据镀银线槽体结构，采用振盒式超声波，超声波振盒材料采     用316I不锈钢板制成，不锈钢板氩弧焊成型。超声波振盒安装在清洗槽的侧面，同时在槽体内衬316L不锈钢，可有效降低超声能量被PP材料吸收。超声波振盒发射面采取镀硬铬处理，可增强超声波振盒的使用寿命。     ②超声波功率。超声波的功率越高，空化效果越强，清洗效果越好，速度也越快。但对于加工精度较高、表面粗糙度低及工件材质疏松的工件，如长时间强洗会导致表面状态损坏，甚至报废，所以清洗功率大小应根据工件的几何形状、尺寸精度要求及工件材质合理选择。我公司工件大部分为铝合金锻坯件，表面粗糙度低，同时还有部分铝合金铸造件，工件材质疏松。在确保清洗质量的同时，经计算分析，对于长1500×宽1000×高1000mm的清洗槽，每槽需超声波振子12个，振子总功率为1296w。     ③超声波频率。超声波频率越低，空化现象越多，作用也越强但由于波长相应变长，使冲击力方向性减弱，工件被遮盖的部分表面清洗效果将受到影响，然而对工件缝隙或小孑L深处的污物都能清除，所以在选择超声波频率范围时，也要按工件形状和构造的不同有所区别，一般小型工件应采用较高频率，大工件采用较低频率为宜。在电镀前处理工艺中，常用的频率为15～40kHz之间。根据我公司工件的结构特点和工件材质状态，将超声波频率固定为28Khz。     4铝合金电镀前处理改进后的效果验证     我们在铝合电镀的工艺改进之前，我们在工件浸锌前使用PH试纸测试工件的内腔槽根部、狭缝等处明显呈红色，这是因为工件处理面夹角处的酸液没有被清洗到，说明前处理是不彻底的。而在增加超声波清洗应用到铝合金电镀工艺中之后，再使用PH试纸测试工件处理面的各个夹角处均不变色。这直观的反映说清洗的效果是大大的提高了。     5铝合金电镀加工生产前处理总结     我们在电镀加工生产的长期实践得以证明，铝合金电镀质量问题比较一般的五金件要多，但我们只要抓住生产过程中的各种问题的核心关键，在电镀加工作业过程中仔细观察、勤于思考、总结，再将这些发现有效的结合与改进，就可以成功的撑握好铝合金电镀件产品质与稳定。

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。

多晶硅论坛,就是一种对于多晶硅的信息交流平台。对于多晶硅生产制造使用等技术的交流进步有着重要的作用。论坛是Internet上的一种电子信息服务系统。它提供一块公共电子白板，每个用户都可以在上面书写，可发布信息或提出看法。它是一种交互性强，内容丰富而即使的Internet电子信息服务系统。用户在BBS站点上可以获得各种信息服务，发布信息，进行讨论，聊天等等。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。想要了解更多多晶硅论坛的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

        有机硅 多晶硅的区别？由于有机硅独特的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质，并具有耐高低、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性，广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、化工、纺织、食品、轻工、医疗等 行业 ，其中有机硅主要应用于密封、粘合、润滑、涂层、表面活性、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。随着有机硅数量和品种的持续增长，应用领域不断拓宽，形成化工新材料界独树一帜的重要产品体系，许多品种是其他化学品无法替代而又必不可少的。    多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。　　在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

多晶硅工程，是一种新能源的工程，相对于目前的能源来说，相对环保。近日国家出台了很多关于新能源的推广应用的法律法规，新能源建设是将来的热门，其中太阳能的利用更是得到大力推广，而多晶硅、单晶硅及相关工程的建设更是越来越多！在当经世界经济形式下加之中国的这些法律法规的出台，众多的企业会投资这个 行业 ，而国内的多晶硅、单晶硅厂家相对较少！施工领域更是不够，陕西建工在我国湖北的多晶硅建设，施工总包更是全国首家！这家中国老是工企业堪称卓越领头羊！我公司单晶硅建设正在时常评估阶段，我走访过国内几家厂商。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。近年来，在中央政府大力推广新能源政策的支持下，各地方省份也是积极跟进，培养优势 产业 。江西省抓住机遇，凭借粉石英（硅材料主要原料）储量全国第一的资源优势，出台多方面措施保障光伏 产业 发展。短短3、4年间，使得一大批光伏 产业 上下游项目迅速在江西集聚，成为我国重要的光伏 产业 基地。以新余为主产地、以赛维LDK和盛丰能源为核心企业的 产业 带具有较强的生产能力，初步建立了从硅料、硅片到太阳能电池组件及配套产品的完整 产业 链，拥有了对外合作的有效途径和一批关键人才，在国内已具有较明显的规模优势和 市场 竞争力。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。想要了解更多多晶硅工程的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

多晶硅电池片,是太阳能电池片的一种，相对环保的一种电池片。电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。多晶硅电池片的优良性能简介：高效率，低衰减，可靠性强；先进的扩散技术，保证了片间片内的良好均匀性，降低了电池片之间的匹配损失；运用先进的管式PECVD成膜技术，使得覆盖在电池表面的深蓝色氮化硅减反射膜致密、均匀、美观；应用高品质的 金属 浆料制作电极和背场。确保了电极良好的导电性、可焊性以及背场的平整性；高精度的丝网印刷图形，使得电池片易于自动焊接。目前，中国光伏设备企业从硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设，已经初步具备成套供应能力，部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉、多晶铸锭炉等开始少量出口，可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种，其中有6种（扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/制绒机、石英管清洗机、低温烘干炉）已在国内生产线上占据主导地位，2种（管式PECVD、快速烧结炉）与进口设备并存但份额正逐步增大。此外，全自动丝网印刷机、自动分拣机、平板式PECVD则完全依赖进口。组件生产用的层压机、太阳能模拟器等在 行业 获得广泛应用。硅材料加工设备中单晶炉以优良的性价比占据了国内 市场 的绝对统治地位并批量出口亚洲，多线切割机已取得突破，多晶硅铸锭炉已经开始大量在国内企业中使用。想要了解更多多晶硅电池片的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

太阳能发电是一种公平的、无污染的、绝佳的传统能源替代品。然而在光伏与多晶硅之间，只是局限于科技水平的现状，特别是储能（电池）技术的现状，造成其发电成本过高，加之上游太阳能电池板主要原材料多晶硅的生产加工过程存在污染环境的问题，才使太阳能的发展受到一些阻力。　　多晶硅在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用，具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、是电子计算机等的基础材料。此外，多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。享有“微电子大厦基石”的美誉。　　更为重要的是，太阳能发电（光伏）与风电、核电等同为被世界公认的未来新型能源趋向，在这一背景下，太阳能正逐渐被 市场 接受。而单晶硅和多晶硅正是生产太阳能电池不可或缺的主要原材料。有最新统计数据显示，单晶硅与多晶硅在光伏 产业 中的应用率高达90%以上。　　从目前国际太阳电池的发展过程中看，其趋势大致为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。而最后的“薄膜材料”（薄膜电池）正是业内对以单晶硅和多晶硅为主原料的太阳能电池的更新换代。一些薄膜电池中已经彻底放弃了对多晶硅的应用，从而解决了“环保技术不环保”，光伏多晶硅生产过程中存在的污染问题。 

太阳能多晶硅,太阳能是一种重要的、新的、有效的可再生清洁能源，其储量巨大，没有环境污染，充满了诱人的前景。目前太阳能光电方面的研究和应用在全世界范围内方兴未艾，相关太阳能光电工业发展迅速，是令人瞩目的朝阳 产业 。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的 市场 ，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。想要了解更多太阳能多晶硅的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

多晶硅清洗,多晶硅生产对环境及设备的清洁要求十分高。生产工艺过程比较复杂。尤其是塔器设备，对产品的质量影响极为重要。多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。为了保证一次性开车投产顺利，保证产品质量，在设备的安装过程中，对设备及管线等重要设备的清洗工作十分严谨。在清洗过程中，使每个环节质量都达到标准。避免开车质量事故的发生。最大限度地降低调试费用，必须做好工艺设备和工艺管道安装前的清洗处理。针对不同的工艺要求、不同的设备材质以及不同的设备类型，清洗处理要求和达到的基本标准（要求达到无油、无水与无尘的三无要求）也不同。同时符合《脱脂工程施工及验收规范》和《工业设备化学清洗质量标准》并根据业主和成达公司的具体要求可分为一般清洗和洁净清洗。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。想要了解更多多晶硅清洗的相关资讯，请浏览上海 有色 网（ www.smm.cn ） 有色金属 频道。

硅有无定形和晶体两种同素异形体。晶体硅具有金刚石晶格，硬而脆，密度2.4，熔点1420℃，沸点2355℃。无定形硅是一种灰黑色粉末，实践是微晶体。晶体硅的电导率不及金属，且随温度升高而添加，具有显着的半导体性质。 硅在常温下不生动，与空气、水和酸等没有显着效果;在加热下，能与卤素反响生成四卤化硅;650℃时硅开端与氧彻底反响;硅单质在高温下还能与碳、氮、硫等非金属单质反响;硅可直接生成一系列硅的氢化物;硅还能与钙、镁、铁等化合生成金属硅化物。超纯的单晶硅可作半导体材料。粗的单晶硅及其金属互化物组成的合金，常被用来增强铝、镁、铜等金属的强度。 自然界中的硅以含氧化合物的方式存在，硅与氧结组成二氧化硅，与金属结合生成金属的硅酸盐。首要的硅矿藏为石英和硅石，一般的硅石和石英用于玻璃和其它建材，优质的石英用于制作合金、金属和单晶。 工业上，通常是在电炉中由碳复原二氧化硅而制得金属硅，化学反响方程式：SiO2 + 2C → Si +2CO，这样制得的硅纯度为97-98%，叫做金属硅。再将它消融后重结晶，用酸除掉杂质，得到纯度为99.7-99.8%的金属硅。用作半导体的超纯硅的制法则是先用纯度不高的硅与氯化氢和的混合物效果，制取三氯氢硅，并用精馏法提纯。然后在复原炉内用纯氢将三氯氢硅复原，硅就堆积在用超纯硅制成的细芯上，这样制得的超纯硅称为多晶硅，把它放在单晶炉内，就可拉制成单晶硅。 单晶硅的出产工艺首要有直拉法、区熔法和外延法。直拉法适宜于成长低电阻大直径的单晶，其径向杂质散布均匀，适协作低压硅器材和集成电路的材料。区熔单晶径向杂质散布均匀性较直拉法差，但氧、碳含量低，用高阻区熔单晶通过中子辐照能够得到杂质散布均匀性适当满足的单晶材料，适宜于制作高压大功率器材。衡量单晶质量的参数首要有导电类型、晶向电阻率及其均匀性、位错密度、补偿度等。影响单晶质量的关键因素是晶格缺点和杂质。 因为硅的资源非常丰厚，易于提纯，报价便宜，并且硅器材易于完成平面工艺，具有效率高、寿命长、体积小、导热好、耐高温、可靠性高档长处，大多数半导体器材都选硅作质料。硅首要用于制作各种集成电路、晶体管及电力电子器材，后者包含大功率的整流管、晶闸管、晶体管及各种派生器材，已广泛用于机械、冶金、电力、矿山、交通运输、航天、化工等各个领域。硅晶体管和集成电路首要用于无线电设备、电信设备、自动控制系统、计算机、航天等各个领域。此外，还可制作太阳能电池，用作航天飞机、人造卫星、无人灯塔等的电源。 硅还用来出产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅。硅橡胶弹性好，耐高温，用于制作医疗用品、耐高温垫圈。硅树脂用于出产绝缘漆、高温涂料等。硅油是一种油状物，其粘度受温度的影响很小，用于出产高档润滑剂、上光剂、流体绷簧、介电液体等，还可加工成无色通明的液体，作为高档防水剂喷涂在建筑物表面。 在钢铁工业中，硅铁用作合金添加剂，在多种金属冶炼中用作复原剂。硅铝合金用量最大，是一种强复合脱氧剂，在炼钢过程中替代纯铝可进步脱氧剂利用率，并可净化钢液，进步钢材质量。硅铝合金密度小，热膨胀系数低，铸造功用和抗磨功用好，用其铸造的合金铸件具有很高的抗冲击才能和很好的高压细密性，可大大进步使用寿命，常用其出产航天飞行器和轿车零部件。 冶炼铝合金时参加少数的纯度为98%的冶金级硅可大大改进铝合金的功用。硅铜合金具有杰出的焊接功用，且在受到冲击时不易发生火花，具有防爆功用，可用于制作储罐。钢中参加硅制成硅钢片，能大大改进钢的导磁性，下降磁滞和涡流丢失，可用其制作变压器和电机的铁芯，进步变压器和电机的功用。