伊拉克纳米三氧化钼出口量
伊拉克纳米三氧化钼出口量大概数据
| 时间 | 品名 | 出口量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2019 | 纳米三氧化钼 | 200-300 | 吨 |
| 2020 | 纳米三氧化钼 | 250-350 | 吨 |
| 2021 | 纳米三氧化钼 | 280-400 | 吨 |
| 2022 | 纳米三氧化钼 | 300-420 | 吨 |
伊拉克纳米三氧化钼出口量行情
伊拉克纳米三氧化钼出口量资讯
欧洲电动车市场升温 特斯拉7月欧洲销量表现分化
最新公布的数据显示，特斯拉7月在多个欧洲国家的新车注册量走势分化：法国、丹麦市场大幅增长，但挪威、瑞典、意大利、西班牙、葡萄牙市场出现显著下滑。 法国汽车行业协会PFA以及丹麦bilstatistik.dk的数据显示，特斯拉新车注册量在法国同比大涨86%，丹麦同比提升52%。 不过，挪威机动车信息中心OFV、瑞典Mobility Sweden、西班牙ANFAC、葡萄牙ACAP以及意大利交通部统计的数据显示，特斯拉注册量在挪威大幅下跌97%、瑞典下滑60%、西班牙大跌81%、葡萄牙下降69%、意大利锐减77%。欧洲两大汽车市场英国与德国的新车注册数据将于本周晚些时候公布。 市场分析 机构ING Research的高级经济学家里科·卢曼（Rico Luman）表示，受益于法国的政策补贴，叠加丹麦等市场纯电动车型销量持续增长，7月欧洲整体电动车市场态势向好。欧洲汽车制造商协会数据显示，6月欧洲纯电动新车整体注册量同比上涨51%。 欧洲汽车市场分析师马蒂亚斯·施密特（Matthias Schmidt）分析称，特斯拉现阶段重点布局德国、法国这类补贴力度优厚的市场，预计2026年下半年特斯拉在德国销量有望大幅攀升，其他区域销量走弱或是该公司战略导向带来的结果。 供应链研究机构SC Insights联合创始人安迪·莱兰（Andy Leyland）则表示，不宜过度解读挪威市场单月的大幅下滑。他表示：“如此剧烈的波动，通常源于车辆发货节奏调整或是税收政策变动。” 经历连续两年下滑后，特斯拉今年在欧洲销量迎来回暖。去年同期销量基数较低、燃油价格走高、各国电动车补贴政策，以及消费者对 电动汽车 接受度提升，多重因素形成利好。得益于欧洲市场复苏，特斯拉上月公布第二季度交付量创下新高，超出华尔街预期。
2026-08-05 08:47:28三星2026年Q2夺回DRAM全球第一 市占39%重登王座
AI算力需求持续扩张，正在重塑全球DRAM市场竞争格局。经历一年多的份额争夺后，三星电子在2026年第二季度重新夺回DRAM市场第一的位置，而SK海力士和美光科技之间的竞争也进一步升温，全球存储芯片三强格局正在经历新一轮调整。 据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的2026年第二季度全球内存追踪报告， 三星电子以39%的DRAM市场份额位居全球第一，结束了一年前被SK海力士超越的局面。 同期，美光科技凭借DRAM业务收入同比增长约五倍，以25%的市场份额紧追SK海力士的26%，三大存储厂商之间的差距进一步缩小。 三星此次反超主要得益于通用DRAM价格上涨以及HBM（高带宽内存）业务扩张。相比之下，SK海力士虽然DRAM营收同比增长214%，但市场份额却从去年同期的39%降至26%，反映出HBM均价下滑以及早期长期供货协议（LTA）锁价带来的阶段性压力。 三星受益于DRAM涨价，HBM业务同步扩张 Counterpoint研究员崔正久（최정구）表示，三星此次反弹“扭转了此前所有颓势”。 公司不仅受益于通用DRAM需求回升和价格上涨，同时也在HBM领域持续扩大市场份额。 报告显示，2026年第二季度，通用DRAM价格较第一季度明显上涨，为三星存储业务提供了直接的营收支撑。与此同时，HBM市场仍处于产品升级阶段，现有HBM3E产品价格同比下降，加之HBM4量产出货时间有所延后，导致整体HBM均价承压。 不过，随着AI服务器建设持续推进，高性能存储需求仍在快速增长。 Counterpoint预计，第三季度DRAM价格仍有进一步上涨空间，三星存储业务盈利表现有望继续改善。 SK海力士份额承压，LTA锁价影响显现 SK海力士虽然依靠HBM业务保持高速增长，但市场份额却出现明显下滑。 Counterpoint研究总监黄敏成（황민성）指出， SK海力士二季度业绩在同比和环比口径下均创历史新高，但由于三星和美光增长速度更快，公司在全球DRAM市场中的相对份额有所下降。 其中，HBM业务结构是重要影响因素。由于SK海力士此前在HBM领域领先，其HBM出货量和收入占比均高于竞争对手，因此受到HBM价格下降的影响也更为明显。 此外， SK海力士较早与客户签订长期供货协议（LTA） 。由于LTA通常会设置价格上下限，在存储价格快速上涨周期中， 早期锁定的合同价格可能低于当前市场价格，使公司阶段性无法充分受益于涨价周期。 HBM4放量，存储竞争进入新阶段 不过，随着下一代AI芯片平台推进，HBM市场格局仍可能发生变化。 英伟达Vera Rubin以及AMD Instinct MI455X等新一代GPU机架开始出货后， HBM4需求预计将从第三季度起逐步放量。 随着高端存储产品占比提升，HBM价格压力有望缓解，存储厂商盈利结构也可能进一步改善。 对于三星、SK海力士和美光而言，AI服务器需求正在成为决定未来市场排名的关键变量。随着HBM4竞争展开，DRAM市场的竞争重点也将从传统存储周期，转向先进存储技术、客户绑定能力以及产能布局的综合较量。
2026-08-05 08:25:28zHBM！三星公布全新3D内存路线图 力争在AI技术领域取得领先
三星电子正大力宣传其最先进内存硬件在性能和能效方面的提升，以期在竞争中超越SK海力士和美光科技。 当地时间8月4日，三星电子在FMS年度存储行业峰会上， 正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品，以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。 其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。 上述技术发布正值内存行业竞争白热化之际。华尔街见闻提及，SK海力士携手闪迪在大会上，联合发布高带宽闪存（HBF）全球首个标准规范。 HBF技术定位于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级，旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。 zHBM，颠覆传统封装架构 zHBM是此次发布中最受市场关注的技术愿景。 在现有设计中，HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，业界通常称之为2.5D封装。AMD、英伟达等公司均采用这一方案用于高端AI应用。 三星的zHBM则打破了这一范式，将HBM直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上。 三星表示，通过大幅缩短数据在AI处理器与内存之间的传输距离，zHBM可提供更高带宽和更优异的能效，满足大规模AI训练与推理对超高速数据处理的需求。 根据三星披露的规格，结合下一代晶圆键合技术， zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍，热阻降低逾50%。 该技术还支持客制化IP集成，可在内存与AI加速器之间的中间层嵌入定制设计，进一步扩展内存容量并提升加速器性能。 三星将该技术的量产时间预期设定在2029年前后， 目前尚未就HBM5或zHBM给出明确的量产时间表。 与此同时，三星表示已于今年2月率先实现基于1c DRAM工艺及4纳米基底裸片的HBM4量产，并于5月首批向全球客户发货HBM4E样品。 对标HBF，面向边缘AI的高带宽闪存方案zNAND-O 三星同步推出了zNAND-O，这是该公司基于V-NAND技术构建的下一代高性能NAND解决方案，目标量产时间为2028年，将提供四层和八层两种版本。 从技术路径来看，zNAND-O与SK海力士和闪迪此前开发的高带宽闪存（HBF）概念相近，同样采用TSV和UCIe接口。 但据三星官员介绍，两者的应用定位存在本质差异： HBF的设计初衷是在服务器端填补AI加速器旁侧的内存分层空缺，而zNAND-O的定位是在端侧设备中存储大型模型，以便与NPU交互。 三星表示，zNAND-O凭借高空间效率、改善的I/O性能和低延迟特性，专为支持实时、数据密集型AI应用的边缘AI环境而优化。 V10 BV-NAND，业界首款400层以上晶圆键合闪存 三星此次还发布了V10 BV-NAND，这是其历史上首款采用晶圆键合（Bonding V-NAND）架构的3D NAND产品。 距三星于2013年Flash Memory Summit上发布业界首款V-NAND技术，时隔13年后，这一里程碑式更新正式亮相。 V10 BV-NAND堆叠层数超过400层，通过晶圆键合技术垂直堆叠存储单元，存储密度较上一代V9提升约58%。 此外，该产品在读取、写入和I/O性能方面均优于前代，旨在为未来AI系统和应用提供高性能、大容量的NAND支撑。 全栈AI内存布局，从HBM到PIM与企业级存储 除上述前沿概念产品外，三星还在本次展会上系统性展示了其现有AI内存与存储产品组合及路线图，涵盖HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及PM1763等产品线。 其中， LPDDR5X-PIM是业界首款搭载存算一体（Processing-in-Memory）技术的LPDDR内存 ，支持在内存内部直接执行数据处理，可同时提升数据搬运效率与功耗表现。 企业级存储方面 ，三星展示了面向AI数据中心日益增长存储需求的PM1763和BM1773解决方案。 作为全球唯一一家在内存、晶圆代工和先进封装领域均具备行业领先能力的整合元件制造商（IDM），三星将上述产品定位于一站式端到端AI基础设施解决方案，意图帮助客户缩短开发周期，加速差异化AI半导体产品的市场导入。
2026-08-05 08:23:21西澳州纳纳迪铜金矿资源量有望上升
据Miningnews.net网站报道，索斯蒂斯矿产公司（Solstice Minerals）在西澳州的纳纳迪（Nanadie）铜金矿本周晚些时候将接待矿商大会（Diggers & Dealers conference）代表来访。 公司日前宣布了纳纳迪项目更多钻探结果，称这些结果表明纳纳迪资源量有可能进一步“大幅上升”。 主要钻探结果为在194米深处见矿51米，铜品位1.03%，金0.29克/吨。 公司称，钻探还在继续以扩大矿体规模。 目前，纳纳迪铜金矿矿石资源量为4040万吨，铜品位0.4%，金0.1克/吨。按金属量计算为铜16.2万吨，金13万盎司。 公司计划明年更新资源量，进一步的反循环钻探结果将在今年余下时间公布。
2026-08-04 19:51:25收涨6%！半导体板块强势反弹 和林微纳涨停 存储芯片供应紧张仍未结束！【热股】
SMM 8月4日讯：近几个交易日，半导体板块波动频繁，相较7月份的高位明显回落，不过在市场整体表现向好——创业板指以5.64%的涨幅，科创综指收涨4.77%的大环境下，今日半导体板块表现再度活跃，指数从此前的超跌中有所修复，截至日间收盘，半导体指数以6%的涨幅报2468.7。个股方面，和林微纳以20%的涨幅封死涨停板，欧莱新材、源杰科技、明微电子、芯原股份、芯朋微等近20股涨逾10%。 消息面上，昨日晚间，美国知名功率半导体龙头企业安森美发布了截至7月3日的第二季度财报，用于AI数据中心的电源管理芯片需求激增，带动业绩超过市场预期。安森美二季度营收16.04亿美元，同比+9%），超出此前市场预期的15.89亿美元，公司预计2026年AI数据中心相关收入将超过5亿美元、较2025年翻倍。安森美半导体盘前上涨7%，超预期的业绩表现提振全球芯片景气预期。 此外，存储芯片行业再现涨价，据近期消息， 传统DRAM与NAND闪存价格7月双双创下多年新高，AI服务器持续抢占存储产能，推动传统PC及消费电子存储芯片供应趋紧，存储涨价周期仍未结束。 据韩联社援引TrendForce旗下DRAMeXchange数据，PC用基准DDR4 8Gb DRAM 7月平均合约价升至24美元，环比上涨14.3%，创2016年6月有统计以来新高；128Gb MLC NAND均价升至30.05美元，首次突破30美元。 TrendForce预计，AI服务器及高带宽内存（HBM）需求将继续挤占传统DRAM产能，DRAM供应紧张或持续至2027年；相比之下，NAND市场随着新增产能投放，2027下半年供应有望逐步改善。 据悉，本轮涨价的核心来自供给端，随着AI服务器需求快速增长，存储厂商持续将产能优先配置至HBM、服务器DRAM以及高层3D NAND等利润率更高的产品，传统PC DRAM及成熟制程NAND供应持续收缩。TrendForce预计，服务器产品未来仍将持续吸纳DRAM产能，PC DRAM供应将进一步趋紧。尽管笔记本电脑涨价已开始抑制终端需求，但供应商在价格谈判中仍占据优势。NAND市场也呈现类似趋势。由于厂商持续向企业级SSD及高层3D NAND倾斜产能，传统NAND产品供应依然偏紧。其中，库存偏低的SLC NAND供需最为紧张，价格表现明显强于MLC产品。SLC NAND广泛应用于汽车电子、网络设备及工业控制等领域。 不仅如此，业内有消息称， 三大DRAM原厂2027年全年产能已提前售罄，AI浪潮正将存储市场推入前所未有的结构性短缺周期。 8月4日，据媒体DIGITIMES援引业界人士透露，三星电子、美光及SK海力士的DRAM与高带宽存储器（HBM）2027年产能已全数分配完毕，涵盖长期协议大客户及中小型买家。与此同时，三星电子、美光、闪迪的NAND Flash全年产能亦已预售一空，铠侠与SK海力士预计最晚于2026年8月底前完成分配。而这一情况意味着，尚未锁定产能的买家面临2027年"无货可买"的困境，而云端服务巨擘与AI大厂的优先级持续压缩手机及PC等消费性终端的供给空间。不过，随着主要产能陆续分配到位，业界预期2027年价格涨幅将较2026年趋缓，但供给紧张与终端成本压力短期内难以实质缓解。 SK集团会长崔泰源近期表示，2027年AI半导体需求可望较2026年大增60%至100%，整体储存需求增幅估达50%至60%，供需缺口恐持续扩大，2027年将面临史上最严重的短缺与供需失衡。 目前，业内普遍认为，由于主要产能已基本分配到位， DRAM与NAND的最终价格将待接近实际出货期时才进一步确定，2027年的价格涨幅有望较2026年的倍数式暴涨趋于温和。但"价格高位常态化"将成为新常态。 国联民生证券指出，过去市场对存储板块的定价模式相对固化，资金始终博弈单轮价格上涨带来的阶段性利润峰值，一旦行情上行至高位便提前预判周期回落。但全球头部存储厂商经营策略全面调整，行业整体估值框架迎来系统性切换。AI时代存储行业最大的变化，并非利润率能够提升至多高，而是高盈利状态能够持续多久。随着市场对行业长期盈利能力的信心逐步提升，存储原厂估值体系有望由传统周期股框架，逐步向成长制造业框架演进，行业估值中枢存在系统性提升空间。 东吴证券测算2024至2028年全球HBM晶圆月需求将从2.9万片跃升至44.2万片，复合增速超90%。AI芯片对高带宽内存的持续挤占使DRAM供需维持紧平衡，推动三星、SK海力士及长鑫存储等厂商加速扩产。制程升级同步抬升单位产能设备投资额，薄膜沉积、刻蚀及量检测设备合计占资本开支超五成，将成为本轮周期核心受益环节。 摩根大通认为，投资者对超大规模数据中心支出的担忧以及对软件公司股票的厌恶情绪可能会持续存在。小摩策略师们目前更青睐半导体股票。 此外，近日修订后的《集成电路布图设计保护条例》公布，自10月15日起施行。该《条例》旨在保护集成电路布图设计专有权，鼓励集成电路技术创新，促进科学技术发展，同样也可能在一定程度提振板块表现。
2026-08-04 18:43:09
