泰国工地槽钢库存

铜价高波动下，铜加工企业如何稳住利润？

伊朗冲突导致海湾地区7月铝产量骤降 拖累全球产量

周四公布的数据显示，全球7月原铝产量同比下降1.7%，至616万吨，因受伊朗战事影响，中东产量大幅下滑。 国际铝业协会（IAI）称，海湾地区7月原铝产量从上年同期的52.3万吨骤降44%，至29.3万吨。 伊朗在3月底袭击了海湾地区两家铝冶炼厂。这两家冶炼厂的产能约占全球原铝产能的9%。冲突还导致二者无法通过正常渠道向出口市场发运铝。 按日产量计算，海外地区7月原铝产量较上月下降逾10%，至9,800吨，远低于战前基准水平的17,800吨。 阿联酋环球铝业（Emirates Global Aluminium）本月表示，在3月紧急停产后，其位于阿布扎比的Al Taweelah铝冶炼厂正在以快于预期的速度恢复生产，但产量可能需要最长一年才能恢复到此前水平。

三星美国扩产提速：德州2号晶圆厂年底动工 设备认证已提前启动

三星电子正在加快其美国德克萨斯州Taylor晶圆厂二期项目的前期准备工作，在厂房规格尚未最终确定的情况下，已率先向多家设备供应商发出认证要求，显示出其扩大美国先进制程产能的强烈意愿。 据韩国科技媒体ZDNet Korea报道， 三星电子近期已向主要半导体设备合作商发出请求，要求其提前获得用于Taylor二期晶圆厂设备导入所需的SEMI认证。SEMI认证是评估半导体设备安全性的行业标准，也是设备出口前的必要资质。 一名半导体设备行业人士表示，"尽管Taylor二期晶圆厂的具体规格尚未确定，三星电子晶圆代工事业部的应对速度已超出预期"，并指出具体计划预计将于今年年底逐步明朗。 三星电子在上月30日举行的二季度业绩发布电话会议上正式宣布，计划于今年年底启动Taylor二期晶圆厂建设，目标于2030年实现量产，以"及时响应不断增长的客户需求"。 一期建设提速，二纳米制程锁定特斯拉 Taylor晶圆厂是三星电子专门承担最先进制程晶圆代工量产的核心设施。一期晶圆厂目前正处于设备进场与安装阶段，目标于今年年底投入运营，主力量产工艺为业界最先进的2纳米制程。 特斯拉是目前外界广泛提及的一期晶圆厂核心客户。三星电子与特斯拉于去年第三季度签署了规模达22.76万亿韩元的半导体代工合同，此后Taylor一期项目的建设进度明显加快。在此之前，该项目曾因客户拓展困难及市场环境恶化，多次推迟投资计划。 大客户能否落地，决定二期量产节奏 尽管前期准备工作已提前启动，Taylor二期晶圆厂能否按期推进，关键仍在于大型客户的确保。 业内人士指出，无论是特斯拉订单量的进一步扩大，还是新增大客户的引入，都将直接影响二期项目从洁净室建设到量产线落地的整体路线图。 据悉，三星电子旗下建设子公司三星E&A目前正在推进向Taylor项目现场派遣数十名人员的方案，以支持二期厂房建设。不过，上述行业人士强调，"三星电子若要在洁净室建成后快速推进量产线建设，必须提前锁定大型客户"。 供应链提前布局，投资意志明确 此次三星电子在二期厂房规格尚未最终确定的情况下，便已要求供应商提前完成SEMI认证，被业界解读为其对该项目投资意志的明确信号。SEMI认证是设备出口的前置条件，提前推进这一流程意味着三星电子正在为后续设备快速导入预留时间窗口。 该行业人士表示，"这表明三星电子正在积极准备投资，具体计划的轮廓将在今年年底前逐渐清晰"。对于关注三星电子晶圆代工业务进展的投资者而言，大型客户的拓展动态将是判断二期项目能否如期推进的核心观察指标。

专为AI高性能计算设计 台积电1.6nm级A16工艺目标Q4量产

台积电先进制程再迎关键进展。 近日，据中国台湾地区媒体电子时报援引业界消息，台积电已完成A16制程的开发与验证，并 计划于今年第四季度进入量产。 作为台积电首个采用“超级供电轨”（Super Power Rail）背面供电架构的埃米级CMOS平台， A16瞄准AI和高性能计算等对算力、能效及供电稳定性要求极高的应用。 据悉，与上一代N2P制程相比， A16在相同功耗下可实现8%至10%的性能提升，或在相同性能下将功耗降低15%至20%，晶体管密度则提升8%至10%。 其核心优势不仅在于引入晶背供电，更在于尽可能减少对正面晶体管结构和既有设计生态的改动。 晶背供电破解先进制程“布线瓶颈” 随着制程节点不断缩小，传统芯片正面需要同时承担供电和信号互连，有限的布线空间越来越难以满足高性能计算芯片的需求，线路拥塞和IR drop（电阻压降）问题也随之加剧。 晶背供电的思路，是将电源网络从芯片正面迁移至背面，从而释放正面布线空间，让信号互连获得更多资源，同时降低供电路径的电阻和压降。但这项技术并非简单地“把电源搬到背面”。晶背供电通常需要调整晶体管、标准单元乃至整个设计流程，客户也可能因此承担较高的IP重构和设计迁移成本。 台积电A16采用专用垂直背面接点（VB），将电源直接连接至晶体管的源极和漏极，使供电网络与信号网络实现分离。 更关键的是，台积电试图将对正面结构的改动控制在最低水平。 据悉，A16保留了N2P的栅极密度和NanoFlex设计弹性，在提升供电效率的同时，尽可能维持既有芯片设计生态的兼容性。 这意味着， 对于已经基于台积电先进制程进行设计的客户而言，向A16迁移可能无需对标准单元和设计架构进行大规模重构。对于设计周期长、IP复杂度高的AI加速器和高性能计算芯片而言，这一优势尤其重要。 AI算力需求推动先进制程加速演进 A16的推出，背后是AI芯片对先进制程提出的更高要求。 AI加速器和高性能计算芯片通常集成大量计算单元，对电源完整性、信号布线和能效的要求远高于传统芯片。 晶背供电能够释放正面布线资源并改善供电效率，因此被视为进一步提升AI芯片性能和能效的重要技术路径。 如果A16按照计划于今年第四季度量产，台积电将率先积累大规模晶背供电的量产经验。随着AI算力需求持续增长，A16能否凭借性能、能效与设计兼容性的组合优势获得客户青睐，也将成为台积电下一阶段先进制程竞争力的重要观察点。

十年100亿美元！美光科技加码美国内存研发 博伊西园区2027年动工

美光正在把AI存储竞争进一步推向研发端。8月20日，据报道，美光科技宣布成立美光研究实验室（Micron Research Labs）， 未来十年将投入100亿美元，专注存储技术、先进计算架构、封装工艺及半导体制造等前沿领域。 研究实验室落地美光总部所在地爱达荷州博伊西，计划于2027年启动园区建设，建成后可容纳数百名研发人员。 此次布局是美光进一步强化美国本土研发能力的重要举措。值得注意的是， 100亿美元专项投资独立于公司此前宣布的逾2500亿美元美国制造与研发总承诺，意味着美光将在既有大规模本土投资之外，继续增加研发端资源投入。 除博伊西核心园区外，美光还计划资助高校合作项目、在全球设立卫星实验室，并与研究网络中的产业及学术伙伴展开合作，将本土研发能力与全球科研资源连接起来，形成开放式研发体系。 随着AI和高性能计算对存储与算力的需求持续增长，美光正将研发重点进一步延伸至存储架构、先进计算、封装及制造工艺等底层技术。此次设立研究实验室，也意味着公司试图通过长期研发投入巩固下一代存储与计算技术优势。