澳大利亚高纯铝线出口量
澳大利亚高纯铝线出口量大概数据
| 时间 | 品名 | 出口量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2018 | 高纯铝线 | 1000-1200 | 吨 |
| 2019 | 高纯铝线 | 1100-1300 | 吨 |
| 2020 | 高纯铝线 | 1200-1400 | 吨 |
澳大利亚高纯铝线出口量行情
澳大利亚高纯铝线出口量资讯
RKAB补充配额或放宽 镍价冲高回落【机构评论】
周二沪镍主力偏强震荡,伦镍隔夜冲高回落至17100美金一线。宏观方面,伊朗提出由欧洲为霍尔木兹海峡排雷,但伊朗必须向参与行动的船舰提供安全保障,确保停火得以持续,卡塔尔方面及美国财长贝森特均表示一项涉及霍尔木兹海峡的协议接近达成。中东局势存在缓和迹象,原油大幅回落削弱通胀上行预期,宏观风险偏好得以改善。基本面来看,昨日金川镍升水降至1150元/吨,进口镍贴水250元/吨,品位10%-12%的高镍生铁出厂均价为1137.5元/镍点,较上一日上涨2元/镍点。 政策端:印尼能源和矿产资源部长表示,印尼政府在审批2026年RKAB补充配额时,将优先考虑向政府缴纳更高比例特许权使用费的矿业公司,ESDM正逐步放宽RKAB配额,调整既考虑了满足国内需求,也兼顾国际市场价格波动。但他证实生产配额已进行调整,为保持市场稳定,拒绝透露具体调整详情。 中东局势出现缓和迹象提振市场风险偏好;基本面上,国内镍矿价格平稳,若海峡解封则硫磺远期价格趋于回落,成本端预期有松动迹象;政策端,印尼表示今年RKAB补充配额将优先考虑向政府缴纳更高比例特许权使用费的矿业公司,增补配额有进一步放宽的预期;下游方面,不锈钢厂淡季排产逐步降温,三元前驱体企业刚需采购为主,电镀及合金行业市场需求平淡,预计镍价短期将转入震荡。
2026-08-05 09:47:57美伊协议预期升温,亚太股市走高,韩国首尔综指涨超4%,油价续跌,日元涨势暂歇
美伊潜在协议带动全球市场情绪回暖,亚洲股市跟涨,能源价格承压,债券收益率回落。 据新华社,伊朗外交部发言人巴加埃4日说,伊朗仍在与阿曼就霍尔木兹海峡进行谈判,谈判在技术和政治层面取得“积极进展”,美国财政部长贝森特表示协议最快本周二或周三达成。 受此消息提振,标普500指数周一收于历史新高,亚洲股市周二延续涨势,MSCI亚太指数上涨1%至270.79点。韩国首尔综指涨超4%,澳大利亚ASX 200指数上涨0.6%,创盘中纪录新高。 油价进一步下跌,市场押注能源供应紧张局面有望缓解,通胀压力或随之减轻,联储加息预期降温。与此同时,美日联合干预推升日元的效果已逐渐减弱,日元涨势陷入停滞。 韩股领涨亚市,芯片股表现突出 亚洲股市周二全线走高,韩国首尔综指涨幅超4%,表现居亚太前列。 SK海力士涨逾6%,三星电子涨逾5%,科技与半导体板块成为主要推动力。此前,纳斯达克100指数大涨3.3%,芯片股指数录得2020年以来最强四日涨幅。 日经225指数涨超3%,澳大利亚股指期货亦指向上涨。韩国股指期货早盘涨幅达4.9%,领先亚太各市场。 标普500指数期货在东京时段小幅上涨0.2%。不过,延盘交易中,SpaceX股价因人工智能业务支出高于预期而下跌6.5%,超威半导体则因业绩展望未能令投资者满意,跌逾9%,显示AI交易主线仍存在分歧。 霍尔木兹协议预期升温,油价持续走低 卡塔尔称美伊双方均对重开霍尔木兹海峡的协议持乐观态度,相关提案已完成起草。财政部长贝森特则公开表示,协议可能于周二或周三落地。 受此影响,WTI原油期货延续跌势,下跌0.8%至每桶约75.10美元。霍尔木兹海峡是全球能源供应的关键通道,若重新开放,有望推动全球石油供给正常化。 富国银行投资研究所的Tony Miano表示:“市场正在对霍尔木兹海峡重开、全球石油供应趋于正常、近期能源价格压力缓解的可能性作出反应。油价下跌可以缓解通胀担忧。” 不过,市场亦注意到,即便短期协议达成,也未必能从根本上终结中东冲突,或解决特朗普政府对伊朗核计划的深层关切。 美债收益率回落,日元涨势暂歇 油价下行带动通胀预期降温,美国国债周一在纽约时段走强,各期限收益率下行4至6个基点。两年期国债收益率降至7月20日以来最低,10年期基准收益率报4.61%。交易员削减了对美联储未来一年内多次加息的押注。 彭博美元即期指数小幅走低,但整体变动有限。日元报157.78兑1美元,此前美日联合干预推升日元的效果已逐渐消退,涨势陷入停滞。 在经济数据层面,美国6月职位空缺有所下降,但招聘略有回升,显示劳动力市场需求保持相对平稳。eToro的Bret Kenwell指出,本周五的非农就业报告将是下一个关键节点: “若数据强劲,尤其在通胀仍然偏高的背景下,将强化9月加息预期;但若数据疲软,叠加上周低于预期的GDP增速,则可能为美联储按兵不动提供更多依据。” 亚洲对冲基金7月录得历史最差月度表现 尽管市场近期情绪回暖,但据彭博报道,亚洲本土对冲基金在7月遭遇重创。高盛大宗经纪部门数据显示,受科技股抛售拖累,7月成为亚洲地区选股型基金有记录以来表现最差的月份,多家对冲基金此前积累的收益被全面抹去。 AI交易能否重拾动能,仍是投资者持续关注的核心议题之一。超威半导体延盘大跌逾9%的走势表明,市场对科技股估值与业绩预期的审视并未放松。 持续更新中
2026-08-05 09:46:06宏观情绪继续修复 铝价偏强【机构评论】
周二沪铝主力收23810元/吨,张0.95%。LME收3217.5美元/吨,跌0.29%。现货SMM均价23730元/吨,涨230元/吨,贴水20元/吨。南储现货均价23830元/吨,涨220元/吨,升水85元/吨。据SMM,8月3日,电解铝锭库存95.8万吨,环比增加0.5万吨;国内主流消费地铝棒库存12.2吨,环比更加0.25万吨。宏观面:围绕霍尔木兹海峡恢复通航谈判出现迄今最明显的积极信号。伊朗已放弃此前要求对霍尔木兹海峡双向航运实施全面控制的立场。 美伊接连释放外交信号,霍尔木兹海峡重开预期升温,国际油价跌超5%缓解了通胀担忧,抑制了市场对美联储进一步加息的预期,风险偏好继续修复。基本面消费季节性淡季影响,国内铝锭社会库存小幅累库,基本面对铝价上方形成压力。整体,宏观流动性支撑但需求淡季制约上行空间,短期沪铝预计偏强震荡运行。
2026-08-05 09:42:55期铜创逾两个月新高 受库存下降推动【8月4日LME收盘】
8月4日(周二),伦敦金属交易所(LME)期铜一举突破14,000美元大关,创下两个多月来的最高水平,受美国境外库存减少以及结束伊朗战争取得进展的迹象推动。 伦敦时间8月4日17:00(北京时间8月5日00:00),LME三个月期铜上涨196.5美元,或1.42%,收报每吨14,066.5美元。 **市场供应日益紧张,铜价突破14,000美元大关** 在LME库存数据发布后不久,铜价便突破14,000美元大关,并触及14,117美元的盘中高点,创下自5月14日以来的最高水平。 库存数据显示,又有7,225吨铜被申请从LME仓库提货,使可用库存降至仅9.42万吨,仅略高于全球一天的消费量。 这推动现货与三个月合约的逆价差扩大至每吨115美元,创下1月以来最大升水,表明市场供应日益紧张。 这些提货(或称注销仓单)主要来自美国的新奥尔良仓储枢纽,铜材若运往COMEX交易所交易,可在该地获得溢价。COMEX的铜库存量达650,736吨,是LME和上海期货交易所铜库存总和的两倍多。 **其他金属表现** LME三个月期铝上涨1.5美元,或0.05%,收报每吨3,223.0美元;此前曾一度跳涨1.5%,创下6月23日以来的最高水平。 最近针对商船的袭击事件凸显了铝及能源运输面临的风险。据央视新闻客户端报道,当地时间8月4日,美国国务卿鲁比奥表示,与伊朗就重新开放霍尔木兹海峡进行的谈判“已经取得进展”,但协议尚未最终敲定,希望协议“很快能够达成”。 LME三个月期锌上涨32.5美元,或0.89%,收报每吨3,673.5美元,周一曾触及近四年高点。 LME三个月期铅上涨29美元,或1.55%,收报每吨1,896.0美元。 LME三个月期镍上涨133美元,或0.78%,收报每吨17,193.0美元。 LME三个月期锡上涨543美元,或0.98%,收报每吨55,989.0美元,同样创下两个月新高。 (文华综合)
2026-08-05 08:36:59zHBM!三星公布全新3D内存路线图 力争在AI技术领域取得领先
三星电子正大力宣传其最先进内存硬件在性能和能效方面的提升,以期在竞争中超越SK海力士和美光科技。 当地时间8月4日,三星电子在FMS年度存储行业峰会上, 正式宣布了zHBM和zNAND-O两款概念产品,以及业界首款采用晶圆键合技术、堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND。 其中,zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上,性能预计约为下一代HBM5的8倍。 上述技术发布正值内存行业竞争白热化之际。华尔街见闻提及,SK海力士携手闪迪在大会上,联合发布高带宽闪存(HBF)全球首个标准规范。 HBF技术定位于高带宽内存(HBM)与固态硬盘(SSD)之间的新型存储层级,旨在同时解决AI推理场景下的带宽瓶颈与容量扩展难题。 zHBM,颠覆传统封装架构 zHBM是此次发布中最受市场关注的技术愿景。 在现有设计中,HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内,业界通常称之为2.5D封装。AMD、英伟达等公司均采用这一方案用于高端AI应用。 三星的zHBM则打破了这一范式,将HBM直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上。 三星表示,通过大幅缩短数据在AI处理器与内存之间的传输距离,zHBM可提供更高带宽和更优异的能效,满足大规模AI训练与推理对超高速数据处理的需求。 根据三星披露的规格,结合下一代晶圆键合技术, zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上,能效提升3倍,热阻降低逾50%。 该技术还支持客制化IP集成,可在内存与AI加速器之间的中间层嵌入定制设计,进一步扩展内存容量并提升加速器性能。 三星将该技术的量产时间预期设定在2029年前后, 目前尚未就HBM5或zHBM给出明确的量产时间表。 与此同时,三星表示已于今年2月率先实现基于1c DRAM工艺及4纳米基底裸片的HBM4量产,并于5月首批向全球客户发货HBM4E样品。 对标HBF,面向边缘AI的高带宽闪存方案zNAND-O 三星同步推出了zNAND-O,这是该公司基于V-NAND技术构建的下一代高性能NAND解决方案,目标量产时间为2028年,将提供四层和八层两种版本。 从技术路径来看,zNAND-O与SK海力士和闪迪此前开发的高带宽闪存(HBF)概念相近,同样采用TSV和UCIe接口。 但据三星官员介绍,两者的应用定位存在本质差异: HBF的设计初衷是在服务器端填补AI加速器旁侧的内存分层空缺,而zNAND-O的定位是在端侧设备中存储大型模型,以便与NPU交互。 三星表示,zNAND-O凭借高空间效率、改善的I/O性能和低延迟特性,专为支持实时、数据密集型AI应用的边缘AI环境而优化。 V10 BV-NAND,业界首款400层以上晶圆键合闪存 三星此次还发布了V10 BV-NAND,这是其历史上首款采用晶圆键合(Bonding V-NAND)架构的3D NAND产品。 距三星于2013年Flash Memory Summit上发布业界首款V-NAND技术,时隔13年后,这一里程碑式更新正式亮相。 V10 BV-NAND堆叠层数超过400层,通过晶圆键合技术垂直堆叠存储单元,存储密度较上一代V9提升约58%。 此外,该产品在读取、写入和I/O性能方面均优于前代,旨在为未来AI系统和应用提供高性能、大容量的NAND支撑。 全栈AI内存布局,从HBM到PIM与企业级存储 除上述前沿概念产品外,三星还在本次展会上系统性展示了其现有AI内存与存储产品组合及路线图,涵盖HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及PM1763等产品线。 其中, LPDDR5X-PIM是业界首款搭载存算一体(Processing-in-Memory)技术的LPDDR内存 ,支持在内存内部直接执行数据处理,可同时提升数据搬运效率与功耗表现。 企业级存储方面 ,三星展示了面向AI数据中心日益增长存储需求的PM1763和BM1773解决方案。 作为全球唯一一家在内存、晶圆代工和先进封装领域均具备行业领先能力的整合元件制造商(IDM),三星将上述产品定位于一站式端到端AI基础设施解决方案,意图帮助客户缩短开发周期,加速差异化AI半导体产品的市场导入。
2026-08-05 08:23:21






