加拿大空心铝棒出口量
加拿大空心铝棒出口量大概数据
| 时间 | 品名 | 出口量范围 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 2018 | 空心铝棒 | 1000-2000 | 吨 |
| 2019 | 空心铝棒 | 1500-2500 | 吨 |
| 2020 | 空心铝棒 | 2000-3000 | 吨 |
| 2021 | 空心铝棒 | 2500-3500 | 吨 |
加拿大空心铝棒出口量行情
加拿大空心铝棒出口量资讯
永太科技成“心头好”!公司再获宁德时代9万吨VC长单
继签订电解液长协大单后,永太科技(002326)与宁德时代(300750)再度达成购销合作。受消息利好,永太科技今日开盘涨幅最高达2.83%,但受大盘影响,后冲高回落。 6月25日晚,永太科技公告称,公司全资子公司浙江永太新能源材料有限公司(简称“永太新能源”)与宁德时代签订《电解液原材料合作协议》(简称“协议”),约定双方将在协议有效期内就电解液添加剂-碳酸亚乙烯酯(VC)物料进行购销合作。 公告显示,永太新能源承诺在协议有效期内(2026年6月1日起至2029年12月31日止),向宁德时代准备足够的原材料VC并将其全部用于生产电解液满足宁德时代需求,除此之外,永太新能源另行按以下数量向宁德时代供应VC,保障宁德时代需求。 据悉,2027年至2029年期间,永太新能源需向宁德时代供货VC合计9万吨(含波动范围)。分年度采购规划为:2027年供货2万吨(±5%);2028年供货3万吨(±10%);2029年供货4万吨(±12%)。 电池网注意到,6月,永太新能源刚与宁德时代签订《电解液合作协议》,约定2026年至2028年期间,宁德时代预计向永太新能源采购电解液合计47万吨(含波动范围)。分年度采购规划为:2026年采购量7.0万吨(±1.0万吨);2027年采购量15.0万吨(±2.0万吨);2028年采购量25.0万吨(±4.0万吨)。 为配套长单落地,永太科技6月23日晚公告,公司董事会审议通过了《关于内蒙古永太年产5万吨VC及配套工程项目的议案》,同意子公司内蒙古永太化学有限公司以8亿元投资建设年产5万吨VC及配套工程项目,最终投资总额以实际投资为准。 从项目主要信息来看,建设地点为乌海市海南区乌海高新技术产业开发区低碳产业园西环路1号,建设6个主生产车间、2个后处理车间、1个成品包装车间,配套建设储罐区及蒸汽管网;建设时间为2026年8月1日—2027年12月31日,最终以实际开展为准。 目前,永太科技VC已投产产能1万吨/年,另有在建产能2万吨/年,叠加本次新增的5万吨/年产能后,若全部项目顺利达产,公司VC总产能将提升至8万吨/年,可满足上述订单需求。 中信建投研究电新团队日前分析认为,VC在新产能投产不及预期下进入新一轮供需错配期,本轮涨价周期启动板块具备业绩弹性:VC属于危险化学品,工艺及环保要求较高,伴随着储能需求高增及供给增量投放不及预期,2026年第三季度供需趋紧。判断旺季来临下VC价格将进入上涨周期,有望上涨至18-20万区间。
2026-06-26 17:38:34工业空调等项目招标公告
1. 招标条件 本招标项目工业空调等项目(AGCYGTHGZHD260626299126)招标人为鞍钢集团朝阳钢铁有限公司,招标项目资金来自自筹,该项目已具备招标条件,现进行公开招标。 2. 项目概况与招标范围 2.1 项目名称:工业空调等项目 2.2 招标失败转其他采购方式:不转 2.3 本项目招标内容、范围及规模详见附件《物料清单附件.pdf》。 3. 投标人资格要求 3.1 本次招标不允许联合体投标。 3.2 本次招标要求投标人须具备如下资质要求: (1)生产型质量管理体系认证(ISO9000) (2)生产型营业执照 3.3 本次招标要求投标人需满足如下注册资金要求: 生产型注册资金:300.0(万元)及以上 3.4 本次招标要求投标人须具备如下业绩要求: 提供2023年起至招标公告发布之日止的工业空调的供货业绩(合同及对应发票)。 3.5 本次招标要求投标人须具备如下能力要求、财务要求和其他要求: 财务要求:本次招标要求投标人为具有合法营业执照的自然人、法人或其他组织,注册资金人民币不低于300万元,财务、资金状况良好,能够承担项目实施过程运营费用及不可预见风险。 能力要求:详见附件(如有需要) 其他要求:需要提供年检合格的企业资质要求: (1)营业执照(或副本)原件的扫描件或照片(非三证合一的还需提供税务登记证(或副本)原件的扫描件或照片、组织机构代码证(或副本)原件的扫描件或照片)。 (2)通过本项目相应的ISO9000质量认证并提供原件扫描件或照片。 3.6依法必须进行招标的项目,失信被执行人投标无效。 4. 招标文件的获取 4.1 凡有意参加投标者,请于2026年06月26日08时00分至2026年07月17日08时00分(北京时间,下同),登录鞍钢智慧招投标平台http://bid.ansteel.cn下载电子招标文件。 点击查看详情: 》工业空调等项目招标公告
2026-06-26 16:22:54【SMM公告】关于新增东南亚铝棒相关价格点的公告
尊敬的用户: 您好! 在区域加工扩张及低碳趋势之下,东南亚6063铝棒加工费逐渐成为市场重点关注的价格指标之一。为帮助企业更好地跟踪东南亚6063铝棒市场价格变化,SMM经过市场调研及价格方法论完善,将自2026年7月3日起新增一系列东南亚6063铝棒加工费价格点、SMM6063铝棒价格点及CIF东南亚6063铝棒升贴水价格点,以供市场参考。 东南亚6063铝棒加工费 价格点将以周度价格点形式于每周五马来西亚吉隆坡时间(同北京时间GMT+8)中午12.00更新,铝棒全价因企业结算方式不同存在差异,作为参考,可按【LME现货结算价格 + 季度MJP + 最新6063铝棒加工费】的公式进行估算。相关价格点信息如下: 1. 柬埔寨6063(均质)铝棒加工费;周度,每周五,吉隆坡时间下午12点;柬埔寨出厂自提价格;美元/吨 2. 马来西亚6063(均质)铝棒加工费;周度,每周五,吉隆坡时间下午12点;马来西亚出厂自提价格;美元/吨 3. 泰国6063(均质)铝棒加工费;周度,每周五,吉隆坡时间下午12点;泰国出厂自提价格;美元/吨 4. 泰国6063(无均质)铝棒加工费;周度,每周五,吉隆坡时间下午12点;泰国出厂自提价格;美元/吨 5. 越南6063(无均质)铝棒加工费;周度,每周五,吉隆坡时间下午12点;越南出厂自提价格;美元/吨 SMM东南亚6063铝棒 价格点将以日度价格点形式于每个工作日马来西亚吉隆坡时间(同北京时间GMT+8)中午12.00更新。SMM计算价将以 【LME现货结算价(D-1)+ 季度MJP + 最新6063铝棒加工费】的公式进行推算,并在此基础上形成计算价低位、高位及均价。相关价格点信息如下: 1. SMM 柬埔寨 6063(均质)铝棒;日度,每个交易日,吉隆坡时间下午12点;柬埔寨出厂指导价;美元/吨 2. SMM 马来西亚 6063(均质)铝棒;日度,每个交易日,吉隆坡时间下午12点;马来西亚出厂指导价;美元/吨 3. SMM 泰国 6063(均质)铝棒;日度,每个交易日,吉隆坡时间下午12点;泰国出厂指导价;美元/吨 4. SMM 泰国 6063(无均质)铝棒;日度,每个交易日,吉隆坡时间下午12点;泰国出厂指导价;美元/吨 5. SMM 越南 6063(无均质)铝棒;日度,每个交易日,吉隆坡时间下午12点;越南出厂指导价;美元/吨 同时,为供东南亚6063铝棒加工及贸易市场作为参考对比,SMM同时将上线CIF/到港东南亚6063铝棒升贴水以供市场参考。 CIF东南亚6063铝棒升贴水 价格点将以周度价格点形式于每周五马来西亚吉隆坡时间(同北京时间GMT+8)中午12.00更新。进口铝棒全价因企业结算方式不同存在差异,作为参考,可按【LME现货结算价格 + 季度MJP + 6063铝棒升贴水】的公式进行结算。相关价格点信息如下: 1. CIF 泰国 6063(无均质)铝棒升贴水;周度,每周五,吉隆坡时间下午12点;泰国港口到岸价;美元/吨 欢迎产业链更多相关企业参与、支持SMM更好服务铝产业链相关企业。如您有数据纠偏、价格核实或新信源推荐等需求,欢迎联系SMM铝团队。 刘小磊 15021973263 liuxiaolei@smm.cn 杨世昊 18064693306 yangshihao@smm.cn 甄凯砚 +60 124247012 adrian.chin@metal.com
2026-06-26 13:35:44砷化镓与磷化铟——第二代化合物半导体衬底核心材料【小金属大会】
6月26日,在由上海有色网信息科技股份有限公司(SMM)主办、广西誉升锗业高新技术有限公司冠名的 2026 SMM(第十四届)小金属产业大会——稀散金属产业论坛(铟、镓、锗、铋、硒、碲、铼) 上,朝阳金美镓业有限公司营销总监蒋军对“砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP)——第二代化合物半导体衬底的核心材料”进行了分享。 现代科技-算力的基石——镓(Ga)与铟(In) 镓和铟同属元素周期表第ⅢA族,是典型的稀散金属和伴生金属。它们在地壳中丰度极低,无法形成独立矿床,生产完全依赖于主金属(铝和锌)的冶炼过程。 镓(Ga):手可熔化的奇妙金属 ►熔点极低 · 掌中消融:熔点仅为 29.7℃,低于人体正常体温,放在手心即可观察到其融化过程。 ►液态极宽 · 工业宠儿:沸点高达 2403℃,拥有所有金属中最宽的液态温度范围,适合做高温温度计。 ►化学特性 · 两性金属:化学性质活泼且独特,既能与强酸发生反应,也能与强碱发生反应 ►资源分布 · 铝土伴生:全球超过 90% 的原生镓,都是从生产氧化铝的铝土矿冶炼残渣中提取的。 铟(In):比稀土更稀有的金属 ►地壳丰度极低:约0.1ppm,比黄金还要稀少,被称为“比稀土更稀有的金属”。 ►质地极软:非常柔软,甚至能用指甲划出痕迹,物理延展性极佳。 ►主要来源:超过90%的原生铟,来自于冶炼锌的闪锌矿副产品回收。 ►传统应用:制造ITO靶材,广泛应用于液晶显示器(LCD)和各类触摸屏、焊料等。某些交易平台有铟品种,可以投资。 ►新兴应用:制造InP半导体,是高速光通信与AI数据中心的核心材料。 其对GaAs和InP的“母体”——镓和铟的战略地位,主要半导体材料及参数等进行了介绍。 第二代III-V族化合物半导体 ►砷化镓 (GaAs) 定义:由镓(Ga)与砷(As)构成的直接带隙半导体材料,兼具优异的光电与高频特性。 核心优势:电子迁移率高(约为硅的5-6倍),适合高频器件;直接带隙结构,发光效率极高,抗辐射/耐高温。 主要类型:半绝缘型(核心射频器件)、导电型(光电子/光伏应用)。 ►磷化铟 (InP) 定义:由铟(In)与磷(P)构成的直接带隙半导体材料,性能优于GaAs的高端化合物半导体。 核心优势:电子迁移率极高(硅的10倍,GaAs的2倍),饱和速度快;带隙完美匹配光纤通信低损耗窗口 (1.3-1.6μm)。 核心应用场景:5G/6G超高频器件、长距离光纤通信、光电集成芯片,800G及1.6T,以及未来3.2T光模块。 核心性能参数对比 关键技术与制造工艺 其从晶体生长、外延生长以及关键制程等进行了介绍。 晶体生长工艺 (以砷化镓举例) ►液封直拉法(Liquid Encapsulated Czochralski,简称LEC) LEC法采用石墨加热器和PBN坩埚,以氧化硼作为液封剂,在2MPa的氩气环境下进行砷化镓晶体生长。 LEC工艺的主要优点:可靠性高,容易生长较长的大直径单晶,晶体碳含量可控,晶体的半绝缘特性好。 主要缺点:化学剂量比较难控制、热场的温度梯度大(100~150 K/cm)、晶体的位错密度高达104以上且分布不均匀。 ►水平布里其曼法(Horizontal Bridgman,简称HB) HB法是曾经是大量生产半导体(低阻)砷化镓单晶(SC GaAs)的主要工艺,使用石英舟和石英管在常压下生长,可靠性和稳定性高。 HB法的优点:可利用砷蒸汽精确控制晶体的化学剂量比,温度梯度小从而达到降低位错的目的。HB砷化镓单晶的位错密度比LEC砷化镓单晶的位错密度低一个数量级以上。主要缺点:难以生长非掺杂的半绝缘砷化镓单晶,所生长的晶体界面为D形,在加工成晶体过程中将造成较大的材料浪费。同时,由于高温下石英舟的承重力所限,难以生长大直径的晶体。 ►垂直布里奇曼法(Vertical Bridgman , 简称VB) VB法是上世纪80年代末开始发展起来的一种晶体生长工艺,将合成好的砷化镓多晶、氧化硼以及籽晶装入PBN坩埚并密封在抽真空的石英瓶中,炉体垂直放置,采用电阻丝加热,石英瓶垂直放入炉体中间。高温下将砷化镓多晶熔化后与籽晶进行熔接,然后通过机械传动机构由支撑杆带动石英瓶与坩埚向下移动,在一定温度梯度下,单晶从籽晶端开始缓慢向上生长。 VB法的优点:生长的晶体质量较好,能生长出低位错密度的单晶,可用于生长大尺寸的晶片,已扩展至 英寸圆片制造,甚至在 6 英寸圆片方面取得的结果也较为乐观。 缺点:生长速度很慢,对于一些饱和蒸汽压很高的晶体,难以用此种方法来完成,设备要求相对较高。 ►垂直梯度凝固法(Vertical Gradient Freeze ,简称VGF) VGF工艺与VB工艺的原理和应用领域基本类似。其中最大区别在于VGF法取消了晶体下降走车机构和旋转机构,由计算机精确控制热场进行缓慢降温,生长界面由熔体下端逐渐向上移动,完成晶体生长。 VGF工艺优点:这种工艺由于取消了机械传动机构,使晶体生长界面更加稳定,适合生长超低位错的砷化镓单晶。 缺点:VB与VGF工艺的缺点是晶体生长过程中无法观察与判断晶体的生长情况,同时晶体的生长周期较长。 其还对镓是两用物项出口管制物资包括技术及资料;镓是第8类腐蚀性危险化学品等内容进行了介绍。 外延生长和关键制程工艺 MOCVD设备:金属有机化学气相沉积,是量产外延片的核心设备,通过精确控制温度与反应气体,实现薄膜的高质量生长。 晶圆抛光 (CMP):化学机械抛光,结合化学腐蚀与机械研磨,实现晶圆表面的原子级平坦化,是多层布线工艺的基础保障。 光刻工艺:利用光刻机与光刻胶的感光特性,将掩膜版上复杂的电路图案精确转移到晶圆表面,是芯片制造的核心步骤。 磷化铟芯片工艺流程 技术总结:磷化铟(InP) 制造流程具有极高的复杂性。通过这六大核心步骤的循环与配合,最终将微小的晶圆转化为具备高效光电性能的通信核心器件。 全球市场规模与增长 (2026-2030E) 其对砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)的市场规模和增长进行了阐述:GaAs市场相对成熟,预计以8-10%的年复合增长率稳定增长,主要驱动力来自5G射频和消费电子中的VCSEL。而InP市场虽然当前规模较小,但增长势头极其迅猛,预计未来几年的复合增长率高达27%。这背后的核心驱动力,正是AI大模型带来的对高速光模块的爆发式需求,以及激光雷达等新兴应用的兴起。 其结合GaAs射频功率放大器市场销售额以及全球磷化铟晶片销量及市场的数据等进行了分享。 全球竞争格局:高度垄断 全球衬底市场由日、美、德企业形成高度寡头垄断格局;国内厂商正加速国产化替代进程,奋力追赶国际领先水平。 下游应用:砷化镓 (GaAs) 射频器件 (RF):GaAs 最成熟的应用领域,核心用于5G手机功率放大器(PA)、基站建设,以及雷达和卫星通信系统中。 VCSEL垂直腔面发射激光器:广泛应用于数据中心的短距离光通信传输,同时也是智能手机3D结构光传感(人脸识别)的核心光源。 LED 发光器件:利用GaAs材料的光电特性,可制造红、橙、黄可见光LED及红外LED,是显示屏幕与光电传感的关键组件。 下游应用:磷化铟 (InP) 光通信(核心):800G/1.6T光模块核心材料 支撑AI数据中心与骨干网建设。 激光雷达 (LiDAR):1550nm长距人眼安全方案 自动驾驶感知层的核心技术。 射频与毫米波:5G/6G毫米波功率放大器 未来超高频通信的关键潜力材料。 发展趋势与挑战 ►核心发展趋势 •技术演进:大尺寸与集成化 晶圆向大尺寸升级 (GaAs 6→8英寸/InP 4→6英寸);推进与硅基光子的异质集成及薄膜化工艺。 •市场格局:爆发与稳健并行 InP在AI算力驱动下需求爆发;GaAs依托5G/6G射频保持稳健;国产替代进程全面加速。 •产业链:上下游深度协同 上游高纯金属供应趋紧;中游头部厂商加速扩产;下游应用端与通信、算力需求深度绑定。 ►面临的核心挑战 •生产成本居高不下 外延材料稀缺、制造工艺复杂,且量产良率较低,导致整体成本高昂。 •大尺寸量产技术瓶颈 化合物半导体的大尺寸晶圆制造难度远高于硅基,良率控制是规模化量产的核心难题。 •国际专利与技术壁垒 核心专利与关键技术长期被日、美、欧等国际大厂垄断,国产替代面临技术封锁风险。 •关键原材料供应链风险 关键原材料(如镓、锗)面临出口管制,供应链安全与稳定性面临严峻考验。 总结与展望 GaAs 砷化镓:第二代半导体中最成熟、应用最广的材料,市场保持稳健增长态势。 InP 磷化铟:高速光通信核心材料,是AI算力时代最具市场爆发力的关键半导体材料。 产业共性与基石:均为5G/6G、光通信、光子传感的核心基石,全球市场呈现高度集中化特征。 短期展望 (1-2年):GaAs 市场在存量应用下保持稳中有升。InP 将因AI数据中心建设需求持续高景气。 中长期展望 (3-5年):产业链的国产化突破与大尺寸量产技术的成熟,将是决定企业竞争胜负的关键。 核心战略地位:作为光电芯片核心材料,是支撑数字经济与算力网络发展的底层物理基础。 最后,其对金美镓业有限公司进行了介绍。 》点击查看2026 SMM(第十四届)小金属产业大会专题报道
2026-06-26 13:27:25土耳其对华光伏铝边框作出反倾销终裁
2026年6月24日,土耳其贸易部发布第2026/23号公告,对原产于中国的光伏铝边框(土耳其语:fotovoltaik paneller için alüminyum çerçeveler)作出反倾销肯定性终裁,正式以到岸价(CIF)征收反倾销税,税率详见附表。涉案产品的土耳其税号为8541.90.00.00.11。措施自公告发布之日起生效,有效期为五年。 2025年5月25日,土耳其对原产于中国的光伏铝边框启动反倾销调查,案件倾销调查期为2023年10月1日~2024年9月30日,损害调查期为2022年1月1日~2024年9月30日。2025年12月13日,土耳其对该案作出肯定性初裁,决定对涉案产品以到岸价收14.79%~31.40%临时反倾销税。 附表:土耳其对华光伏铝边框反倾销终裁征税表 (编译自:土耳其官方公报) (文 璐编译) (潘晓君校对) 原文:https://www.resmigazete.gov.tr/eskiler/2026/06/20260624-7.htm
2026-06-26 13:18:14






